Trong chương 2, luận án đã trình bày các bước thực nghiệm trong việc chế tạo cảm biến dây nano cấu trúc dị thể SnO2/SMO và phương pháp khảo sát hình thái cấu trúc của các cảm biến chế tạo được cũng như phương pháp khảo sát nhạy khí của các cảm biến:
• Chế tạo dây nano SnO2 bằng phương pháp bốc bay nhiệt, với điện cực Pt phủ lớp xúc tác Au dày 5 nm.
• Biến tính bề mặt dây nano SnO2 bằng phương pháp bốc bay chùm điện tử với kim loại Ni trong thời gian khác nhau kết hợp ủ nhiệt trong không khí để tạo dây nano cấu trúc dị thể khác loại hạt tải n-SnO2/p-NiO với chiều dày lớp phủ NiO khác nhau. • Biến tính bề mặt dây nano SnO2 bằng phương pháp nhúng phủ dây nano SnO2
trong dung dịch muối AgNO3 để tạo dây nano cấu trúc dị thể khác loại hạt tải n-
SnO2/p-Ag2O với mật độ hạt nano biến tính khác nhau.
• Biến tính bề mặt dây nano SnO2 bởi lớp ZnO bằng phương pháp CVD với thời gian mọc lớp biến tính là 5, 10, 15 phút để tạo dây nano cấu trúc dị thể cùng loại hạt tải n-SnO2/n-ZnO với chiều dày lớp biến tính khác nhau.
• Biến tính bề mặt dây nano SnO2 bằng phương pháp phún xạ một chiều DC lần lượt với bia kim loại là W và thời gian phún xạ khác nhau kết hợp với ủ nhiệt trong không khí để tạo dây nano cấu trúc dị thể cùng loại hạt tải n-SnO2/n-WO3 có chiều dày lớp nano biến tính khác nhau.
• Trình bày các phương pháp khảo sát hình thái và cấu trúc của các cảm biến đã chế tạo.
55
CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH NHẠY KHÍ CỦA DÂY NANO OXIT KIM LOẠI BÁN DẪN
CẤU TRÚC n-SnO2/p-SMO
Trong chương này chúng tôi trình bày kết quả nghiên cứu chế tạo dây nano oxit kim loại bán dẫn cấu trúc dị thể khác loại hạt tải n-SnO2/p-SMO và đặc trưng nhạy khí H2S nồng độ thấp (1 ÷10 ppm) của các mẫu chế tạo. Kết quả nghiên cứu cũng thể hiện ảnh hưởng của độ dày lớp biến tính Ag2O, NiO trên bề mặt dây nano SnO2 và nhiệt độ làm việc của cảm biến đến tính chất nhạy khí. Cơ chế nhạy khí H2S của cảm biến được giải thích bằng lý thuyết vùng năng lượng và quá trình sufua hóa.