Ngồi ra cịn cĩ một loại microplasma jet sử dụng dây kim loại tiêu hao làm điện cực để tạo ra vật liệu nano kim loại. Trong cấu hình này, dây kim loại siêu mỏng cĩ kích thước đường kính thơng thường là 50 – 100 m được đưa vào các ống và đĩng vai trị là tiền chất ăn mịn. Plasma được hình thành ở cuối điện cực và bị giới hạn một phần hoặc hồn tồn trong các ống thạch anh hoặc alumina. Cơng suất tần số cao được ghép nối thơng qua các điện cực bên ngồi để duy trì plasma. Các khí trơ như argon hoặc helium chảy vào ống dưới dạng khí plasma. Bằng cách cung cấp oxy, nitơ hoặc các hợp chất hữu cơ, loại microplasma này cĩ thể được áp dụng để chế tạo các oxit kim loại, nitrite, cacbua hoặc hạt nano kim loại nhúng trong lớp vỏ polymer. Các sản phẩm được tạo ra cĩ thể được thu thập bằng cách chỉ cần đặt một tấm đế dưới dây tiêu thụ (Hình 1.8).
Hình 1.8. Sơ đồ nguyên lý của microplasma jet với điện cực dây Au tiêu thụ
Yoshiki Shimizu và cộng sự đã tổng hợp hạt nano Au theo cấu hình plasma như vậy và được mơ tả trong Hình 1.9 [29]. Trong hệ thống này, một
dây Au tiêu hao cĩ đường kính 100 m được sử dụng làm nguồn kim loại và đưa vào mao quản thạch anh (O.D. = 1,2 mm, I.D. = 800 m). Một dịng hỗn hợp H2/Ar được đưa vào mao quản với tốc độ dịng chảy 200 cm3
/phút. Một máy phát điện (450 MHz) đã được đặt vào để duy trì microplasma jet. Sau khi đánh lửa plasma, dây Au bị nung nĩng và nĩng chảy do dẫn nhiệt cũng như làm nĩng cảm ứng. Sau đĩ, các hạt nano Au do nguyên tử hĩa của dây tiêu hao đã bị dịng khí mang đi và lắng đọng trên một tấm epoxy thủy tinh 5 mm về phía cuối ống.
Hình 1.9. Một máy phát điện tần số cao 450 MHz cho phép chế tạo nano vàng AuNPs
theo nguyên lý microplasma jet với điện cực dây Au tiêu thụ.
Microplasma jet với điện cực dây tiêu thụ là một loại đặc biệt của hệ thống microplasma. Với cấu hình như vậy, cĩ thể tạo ra một loạt các hạt nano kim loại, hợp kim, oxit, nitrit và cacbua. Các đặc tính của sản phẩm cĩ thể được kiểm sốt và điều chỉnh trên dịng chảy bằng cách kiểm sốt các thơng số xử lý, như thành phần khí, năng lượng plasma, tốc độ nạp khí, v.v. Tuy nhiên, hạn chế của hệ thống như vậy là liên tục tạo ra các sản phẩm mong muốn, điều này làm cho việc tiêu thụ lượng lớn dây kim loại trong suốt phản ứng.