Phổ huỳnh quang của C-dot

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu xây dựng một hệ phát plasma để chế tạo vật liệu nano (Trang 61 - 62)

Cũng như kết quả đo UV – Vis, kết quả đo phổ huỳnh quang (Hình 3.13) cho thấy đỉnh phát quang của C-dot dịch chuyển từ 459 nm – 552 nm, khi bước sĩng kích thích (kích thích) tương ứng thay đổi từ 390 nm – 520 nm với bước tăng 20 nm. Các tính chất huỳnh quang của các C-dot là một trong số các đặc điểm quan trọng nhất của chúng. Tính chất phụ thuộc vào bước sĩng kích thích của phổ huỳnh quang của C-dot (Hình 3.13 và 3.14) tương tự như các kết quả đã được cơng bố trước đĩ bởi các nhĩm tác giả Miao và Lim [42, 43].

Hình 3.13. Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào bước sĩng kích thích của C-dot

Nghiên cứu này chứng minh thêm rằng khi bước sĩng kích thích tăng, các đỉnh phát xạ cũng tăng theo, một phản ứng khác với chất màu hữu cơ, thường thể hiện sự phát xạ huỳnh quang độc lập với bước sĩng kích thích. Ngồi ra, chất màu hữu cơ là các phân tử cĩ cấu trúc xác định (explicit structure), trong khi các C-dot là các hạt nano carbon với sự thụ động bề mặt, cĩ nghĩa là cấu trúc của chúng đa dạng hơn so với các phân tử.

Hình 3.14. Phổ huỳnh quang chuẩn hĩa của C-dot ở các bước sĩng kích thích khác

nhau

Sự phát xạ phụ thuộc bước sĩng kích thích cĩ thể được giải thích là do hiệu ứng từ các hạt cĩ kích thước khác nhau trong mẫu cũng như sự phân bố của các vị trí phát xạ trên mỗi điểm của C-dot thụ động. Nĩi cách khác, do các cấu trúc và mức năng lượng đa dạng của các vị trí bề mặt cĩ nguồn gốc khuyết tật là nguyên nhân tạo ra một số lượng lớn các trạng thái kích thích phát xạ, do đĩ chúng ta cĩ thể lựa chọn các bước sĩng kích thích khác nhau để nhận được phổ phát xạ tương ứng [44].

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu xây dựng một hệ phát plasma để chế tạo vật liệu nano (Trang 61 - 62)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(71 trang)