Sau khi tạo điện cực, chế tạo được các lớp, chúng tôi tiến hành cấp điện cho QLED. Điện áp cấp cho QLED ~ 3-5 V. Hình 3.26 là hình ảnh QLED trong phòng thí nghiệm (a), QLED chuẩn bị đo (b) và hình ảnh QLED phát sáng khi cấp điện áp (c).
Với mẫu CdTe khác chúng tôi tiến hành khảo sát cường độ phát quang theo cường độ dòng điện bằng máy quang phổ iHR550. Kết quả cho thấy khi tăng cường độ dòng điện lên 40 mA - 50 mA thì cường độ phát quang tăng. Khi cường độ lớn hơn 50 mA thì cường độ phát quang giảm dần. Điều đó cho thấy LED chế tạo chưa được ổn định. Và khi cấp dòng cho diode một phần dòng điện đó chuyển thành nhiệt năng nên khả năng phát quang kém (hình 3.27).
Hình 3.27. Phổ phát xạ điện tử của mẫu Diode phát quang CdTe
Hình 3.28. Đường đặc trưng V-A của Diode phát quang sử dụng chấm lượng tử CdTe
Hình 3.28 biểu diễn đường đặc trưng V-A của mẫu diode CdTe được đo bằng thiết bị aMixer MGA lặp lại 3 lần. Ta thấy khi tăng thế từ 0 V lên 6 V thì có sự tăng điện tử vào trong các tinh thể của CdTe (hình 3.28). Khi thế tăng cao quá 10 V hoặc dòng quá cao dẫn đến sự phá hủy vật liệu bên trong cấu trúc.
KẾT LUẬN
Sau một thời gian quan tâm làm luận văn, tập trung nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn Q-LED tôi đã thu được một số kết quả như sau:
1. Tạo được các lớp của Q-LED.
2. Đã khảo sát được đặc tính phát quang của CdTe với các lớp phát quang khác nhau có cường độ phát quang tốt.
3. Đã tiến hành phủ các lớp truyền điện tử Alq3 và điện cực âm. 4. Bước đầu đã chế tạo Q-LED phát sáng quy mô phòng thí nghiệm.
Luận văn mới là bước đầu nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn Q-LED. Chúng tôi sẽ cải tiến, hoàn thiện các quy trình chế tạo để có thể thu được Q-LED phát sáng tốt hơn.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Tài liệu tiếng Việt
[1]. Trần Thị Kim Chi (2010), Hiệu ứng kích thước ảnh hưởng lên tính chất
quang của CdS, CdSe, CdIn , Luận án Tiến sĩ khoa học, Viện Khoa học
Vật liệu.
[2]. Vũ Đức Chính (2011), Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các chấm
lượng tử CdSe với cấu trúc lõi/vỏ và định hướng ứng dụng, Luận án tiến
sĩ, Viện Khoa học Vật liệu.
[3]. Đỗ Ngọc Chung (2014), Nghiên cứu cấu trúc, tính chất điện và huỳnh
quang của vật liệu lai nano sử dụng trong chiếu sáng mới, Luận án Tiến
sĩ, Đại học Công nghệ, Đại học quốc gia Hà Nội.
[4]. Nguyễn Năng Định (2014), Polymer dẫn và điốt phát quang hữu cơ, Nhà xuất bản đại học Quốc gia Hà Nội.
[5]. Nguyễn Quang Liêm (2011), Chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdTe, InP và
CuIn : Chế tạo, tính chất quang và ứng dụng, Nhà xuất bản khoa học
tự nhiên và công nghệ.
[6]. Nguyễn Văn Ngọc (2009), Phổ hấp thụ và huỳnh quang của các nano
tinh thể bán dẫn CdS và CdS/ZnS chế tạo trong AOT, Khóa luận tốt
nghiệp, Đại học Sư phạm Thái Nguyên.
[7]. Lê Trấn (2017), Phương pháp bốc bay, Luận án Tiến sĩ.
[8] Hoàng Sơn (2015), Nghiên cứu tính chất màng ZnO pha tạp Cu, Khóa luận tốt nghiệp, Đại học Khoa học Tự nhiên
[9] Lịch sử ra đời và phát triển của đèn, Công ty TNHH công nghệ và xúc
tiến thương mại HALECO.
[10] (2010), Khảo sát tính chất quang điện của Alq3 - ứng dụng trong chế tạo OLED, Khóa luận tốt nghiệp.
2. Tài liệu tiếng Anh
[11]. B. Bowers and P. Anastas, Lengthening the day: a history of lighting technology: oxford university Press Oxford, 1998.
[12]. Highly transparent quantum-dot light-emitting diodes with sputtered indium-tin-oxide electrodes. Department of Electrical and Electronics Engineering, South University of Science and Technology of China, Shenzhen, P. R. China
[13]. Fei Chen and Q.Lin and H.Wang (2016), “Enhanced performance of quantum dot based light emitting diodes with gold nanoparticle doped hole injection layer”, Nanoscale Research Letters, doi:10.1186/s11671- 016-1573-8.
[14]. Hugh W. Hillhouse, Matthew C. Beard (2009), Current Opinion in Colloid & Interface Science 14, 245-259.
[15]. Hyunki Kim and J.Han (2011), Journal of Crystal Growth, 326, 90 - 93 [16] Joanna Kolny - Olesiak and H.Weller (2013), Appied Materials &
Interfaces, 5, 12221 - 12237.
[17] Shaojian Hel and S.Lil and F.Wang (2013), “Efficient quantum dot light emitting diodes with solution processable molybdenum oxide as the anode buffer layer”, Nanotechnology, 24, 175201(7pp).
[18]. Soonil Lee and Nang Dinh Nguyen and Huu Tuan Nguyen (2013), “Application os solution – processed meatl oxide layers as charge transport layers for CdSe/ZnS quantum dot LEDs”, Nanotechnology, 24, 115201 (5pp).
[19]. Yixing Yang and Y.Zheng (2015), “High – efficiency light emitting devices based on quantum dots with tailored nanostructures”, Nature photonics, 36.
[20]. An Introduction to Ultraviolet/Visible Molecular Absorption Spectrometry. Haiying Liu, Department of Chemistry, Michigan Technological University, Houghton, MI 49931