Anốt là lớp màng mỏng có độ dẫn cao và thỏa mãn yêu cầu tạo ra được lỗ trống để tiêm vào lớp phát quang, đồng thời có khả năng cho ánh sáng phát ra từ lớp phát quang đi ra ngoài. Do đó, việc lựa chọn các vật liệu làm anốt phải thỏa mãn điều kiện rào thế giữa anốt và lớp màng polymer tiếp xúc là nhỏ nhất. Anốt thích hợp là phải tạo ra được các lỗ trống mà khi có điện trường phân cực đặt lên anốt thì lỗ trống được phun vào các lớp hữu cơ. Ôxit dẫn điện trong suốt có công thoát cao thường được dùng làm anốt cho QLED. Các loại màng mỏng trong suốt như ITO (In2O3:Sn) hoặc AZO (ZnO:Al) thường được lựa chọn để làm điện cực trong linh kiện trong suốt. Đối với bán dẫn hữu cơ, độ linh động của lỗ trống thường cao hơn độ linh động của điện tử. Do đó, việc đảm bảo lượng lỗ trống phun vào có tác dụng làm cân bằng hạt tải và tăng hiệu suất phát quang. Thông thường, các vật liệu có tác dụng tăng cường sự phun lỗ trống và truyền lỗ trống thường có mức HOMO ~ 5 eV. Vì vậy công thoát của anốt cũng phải xấp xỉ 5 eV. Trong báo cáo này, điện cực anode được sử dụng là ITO với độ truyền qua trong vùng nhìn thấy ~ 90% và công thoát ~ 4,8 eV.
Hình 3.1. Tiếp giáp giữa lớp anốt và lớp phun lỗ trống [10].
Điện cực dương được lựa chọn là ITO. Các tấm ITO được cắt với kích thước 1,5x1,5 cm, sau đó được làm sạch bề mặt qua các bước sau để dung dịch bám dính tốt hơn và không ảnh hưởng đến chất lượng của màng.
Bước 1: Rửa đế với nước tẩy rửa Decon 90 5% nhằm loại bỏ những tạp
Bước 2: Rửa đế với nước cất nhằm lấy hết xà phòng bám trên đế sau khi thực hiện ở bước 1. Ở bước này thường được thực hiện 2 lần để đảm bảo đế được sạch xà phòng trước khi thực hiện bước thứ 3.
Bước 3: Rửa đế với axeton rồi isopropanol. Nhiệt độ bay hơi của
isopropanol thấp sẽ giúp việc quan sát độ sạch của đế sau khi xử lý
Các bước rửa đế được thực hiện trên máy siêu âm với thời gian tương ứng mỗi dung dịch là 10 phút. Sau khi đã loại bỏ được tạp chất, đế được gắp ra và sấy khô để bay hơi hết dung môi và nước hấp thụ trên bề mặt. Hình 19 trình bày kết quả đo hình thái bề mặt sử dụng kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) của mẫu đế ITO. Kết quả cho thấy, bề mặt màng tương đối bằng phẳng với độ mấp mô là ~ 5nm.
Hình 3.2. Ảnh AFM của đế ITO