Trong hơn một năm qua, một số vấn đề khoa học liên quan đã được thảo luận và triển khai hợp tác nghiên cứu giữa các phòng phí nghiệm. Trong đó, hướng photonics đã được các phòng thí nghiệm triển khai các nghiên cứu hoàn thiện công nghệ chế tạo chấm lượng tử (QD) bán dẫn huỳnh quang trong vùng phổ khả kiến và hồng ngoại gần, có cấu trúc lõi/vỏ và cấu trúc lượng tử loại I và loại II (CdTe/CdS, CdSe/ZnS,…), chuẩn bị cho những nghiên cứu về linh kiện quang điện tử tiên tiến. Bên cạnh những thử nghiệm ứng dụng làm chất đánh dấu huỳnh quang kích thước nanô, một trong các định hướng ứng
dụng triển vọng của chấm lượng tử bán dẫn huỳnh quang gần đây được quan tâm là làm chất phát quang vùng phổ khác nhau trong cấu trúc của diode phát quang (QLED).
Thực tế, ở trong nước đã có một số nhóm nghiên cứu chế tạo một số loại chấm lượng tử huỳnh quang chất lượng cao. Ví dụ, nhóm của PGS Phạm Thu Nga đã chế tạo chấm lượng tử lõi/vỏ CdSe/ZnSe, CdZnSe/ZnS,…), PGS Nguyễn Xuân Nghĩa (CdSe/ZnS,…) ở Viện Khoa học vật liệu thuộc Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam; nhóm của PGS Lê Văn Vũ (InP/ZnS,….) ở Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên; nhóm do GS Nguyễn Quang Liêm lãnh đạo đã nhiều năm triển khai nghiên cứu về công nghệ chế tạo nhiều loại chấm lượng tử bán dẫn (CdTe/CdS, CdSe/ZnSe, InP/ZnS,…), về các quá trình quang điện tử/tính chất quang của các chấm lượng tử bán dẫn. Gần đây, đã có một số nhóm nghiên cứu chế tạo một số loại diode phát quang mà tiêu biểu là nhóm của GS Nguyễn Năng Định, thuộc Trường Đại học Công nghệ - Đại học Quốc Gia Hà Nội. Nhóm đã có rất nhiều công trình công bố liên quan đến nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng hợp chất hữu cơ làm chất phát quang vùng phổ khác nhau. Việc sử dụng chấm lượng tử làm chất phát quang trong cấu trúc của diode phát quang hiện nay vẫn là vấn đề mới đang được tập trung nghiên cứu [1].
CHƯƠNG 2
CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM
Chương 2 của luận văn sẽ trình bày các phương pháp nghiên cứu và phương pháp phân tích mẫu.