Phổ FTIR và Phổ UV-VIS

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen​ (Trang 33 - 34)

Phổ FTIR

Sơ đồ cấu tạo và nguyên lý của hệ đo phổ hấp thụ hồng ngoại:

Hình 2.8.(a) Sơ đồ hệ FTIR và (b) mô hình mẫu đo

Hệ FTIR gồm máy phổ kế FTIR kết nối với máy tính, một nguồn phát ánh sáng hồng ngoại và một detector (hình 2.8a). Mẫu được nén lại thành viên hình trụ với kích thước như trên hình 2.8b. Nguồn phát ánh sáng hồng ngoại được chiếu lên bề mặt mẫu. Một phần năng lượng của nguồn sáng bị hấp thụ chuyển thành các dao động nhiệt của các liên kết trong mẫu. Phần còn lại bị phản chiếu về phía detector và được thu nhận và truyền về phổ kế FTIR. Máy tính sẽ xử lý các thông tin thu được từ phổ kế (cường độ, tần số dao động của các liên kết trong mẫu) và đưa ra phổ hấp thụ của mẫu.

Trong các phép đo phổ FTIR trong luận văn này được thực hiện trên thiết bị SHIMADZU IR Prestige21 Spectrometer đặt tại Trường Đại học Sư phạm Hà Nội.

Phổ hấp thụ (UV-VIS)

Máy quang phổ hấp thụ UV-vis (Ultraviolet–visible spectroscopy) được sử dụng rộng rãi để khám phá tính chất quang học, hành vi hấp thụ và cấu trúc liên kết của vật liệu nano. Các phân tử khác nhau có các bước sóng hấp thụ khác nhau, do đó, số lượng các dải hấp thụ trong phổ hấp thụ tương ứng với các nhóm cấu trúc trong các phân tử. Phổ hấp thụ biểu thị mối quan hệ giữa cường độ hấp thụ ánh sáng của vật liệu với bước sóng ánh sáng chiếu vào vật liệu. Chúng tôi sử dụng phép đo phổ hấp thụ để xác định

3 – 5 (mm)

dải bước sóng hấp thụ tốt của màng MEH-PPV, qua đó xác định bằng thực nghiệm độ rộng vùng cấm của màng bằng công thức    2

g h A h E

    . Trong các phép đo phổ UV-VIS trong luận văn này được thực hiện trên thiết bị Jasco V670 đặt tại Viện Khoa học Quốc gia Nhật Bản về Khoa học Vật liệu.

Hình 2.9.Thiết bị đo UV-VIS (Jacos V670)

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen​ (Trang 33 - 34)