Hình 3.7. Ảnh SEM của SiNW được chế tạo theo thời gian khác nhau 1, 3, 6, và 15
Trong nghiên cứu này chúng tôi chỉ sử dụng dung dịch ăn mòn với một nồng độ cố định là HF 4.6M + AgNO3 0.02M và khảo sát sự ảnh hưởng của thời gian ăn mòn lên cấu trúc của SiNW hình thành trên bề mặt của đế Si. Ảnh SEM của SiNW được chế tạo trong cùng điều kiện (nhiệt độ, môi trường, v.v..) nhưng thay đổi thời gian ăn mòn được thể hiện ở hình 3.7. Có thể thấy rằng, khi tăng thời gian ăn mòn từ 1 đến 60 phút thì độ dài của SiNW tăng lên. Ngoài sự thay đổi về chiều dài thì ta còn nhận thấy rằng với SiNW có chiều dài lớn hơn 800 nm sẽ có xu hướng tụ thành từng đám riêng lẻ chứ không xếp một cách thẳng hàng như thể hiện trên hình 3.7. Sự tụ đám này có khả năng sẽ làm giảm khả năng xâm nhập của hỗn hợp dung dịch PEDOT:PSS/Gr khi chế tạo pin mặt trời. Tốc độ ăn mòn để hình thành SiNW bằng dung dịch ăn mòn chứa HF 4.6M + AgNO3 0.02M được xác định vào khoảng 133 nm/phút (Hình 3.8). Các quả nghiên cứu trên cho thấy rằng, độ dài của SiNW có thể kiểm soát bằng cách thay đổi thời gian ăn mòn. Kết quả nghiên cứu cũng là cơ sở để giải quyết câu hỏi đặt ra ở đây là SiNW có chiều dài là bao nhiêu sẽ là tối ưu cho việc chế tạo pin mặt trời cấu trúc SiNW/PEDOT:PSS/Gr có hiệu suất cao nhất.