MCNP cho phép người dùng mô tả nguồn ở các dạng khác nhau thông qua các thông số nguồn như năng lượng, thời gian, vị trí, hướng phát nguồn, hay các thông số hình học khác như cell hoặc surface. Bên cạnh việc mô tả nguồn theo phân bố xác suất, người ta có thể sử dụng các hàm dựng sẵn để mô tả nguồn bao gồm các hàm giải tích cho các phổ năng lượng phân hạch và nhiệt hạch như phổ Watt, Maxwell và dạng Gauss.
Một số loại nguồn sử dụng trong MCNP: + Nguồn tổng quát (SDEF)
+ Nguồn mặt (SSR/SSW) + Nguồn tới hạn (KCODE) + Nguồn điểm (KSRC)
Các thông số của nguồn bao gồm:
+ Năng lượng (energy): ERG
+ Thời gian (time): TME
+ Vị trí (position): POS
+ Loại hạt (particle type): PAR
+ Trọng số (weight): WGT (nếu có)
Trong luận văn này, chúng tôi sử dụng cấu trúc của nguồn tổng quát, do đó chúng tôi chỉ giới thiệu dạng khai báo của nguồn tổng quát như sau:
* Card SDEF được dùng để định nghĩa nguồn tổng quát. Cú pháp: SDEF các biến nguồn = giá trị
Bảng 2.2. Các biến nguồn thông dụng [40]
Biến nguồn Ý nghĩa Biến nguồn Ý nghĩa
POS Tọa độ vị trí nguồn, mặc
định: (0,0,0) AXS
Vector tham chiếu cho RAD và EXT
ERG Năng lượng hạt phát ra từ
nguồn, mặc định: 14 MeV RAD
Bán kính quét từ POS hoặc từ AXS, mặc định: 0
WGT
Trọng số của hạt phát ra từ nguồn, mặc định: 1
EXT
Khoảng cách quét từ POS dọc theo AXS hoặc cosin của góc quét từ AXS, mặc
định: 0, PAR Loại hạt phát ra từ nguồn, 1: neutron, 2: photon, 3: electron. X Vị trí trên trục x
VEC Vector tham chiếu cho DIR Y Vị trí trên trục y DIR
Cosin của góc hợp bởi VEC và hướng bay của hạt,
mặc định: đẳng hướng.
Z
Vị trí trên trục z