Data Memory Map 3.6 Bộ nhớ SRAM

Một phần của tài liệu Đề tài nghiên cứu ba chế độ điều khiển onoff, pid, fuzzy và ứng dụng trong điều khiển mô hình lò nhiệt (Trang 27 - 29)

3.6 B nh SRAM

Bộ nhớ SRAM cĩ trong hầu hết các bộ xử lý của Vi Điều Khiển AVR. Dung lượng của bộ nhớ SRAM 2K byte, bộ nhớ SRAM được truy nhập bằng cách sử dụng nhiều lệnh truy nhập dữ liệu trực tiếp hoặc gián tiếp, bộ nhớ SRAM cũng được sử dụng cho ngăn xếp, thời gian truy nhập vào bộ nhớ SRAM bằng 2 chu kỳđồng hồ.

32 địa chỉ đầu tiên trong SRAM là dành cho 32 thanh ghi đa năng (R0 đến R31). Tệp thanh ghi được tách thành 2 phần, mỗi phần cĩ 16 thanh ghi đánh số từ R0 đến R15 và R16 đến R31. Tất cả các lệnh thao tác trên các thanh ghi đều cĩ thể truy cập trực tiếp hoặc gián tiếp đến tất cả các thanh ghi. Nhưng cĩ một ngoại lệ là cĩ một số các lệnh (SBCI, SUBI, CPI, ANDI và ORI …) chỉ tác động đến thanh ghi từ R16 đến R31. Các thanh ghi R0 và R26 đến R31 cĩ các chức năng bổ sung. Thanh ghi R0 được sử

dụng trong các lệnh nạp bộ nhớ chương trình LPM (load program memory), trong khi các thanh ghi R26 đến R31 được sử dụng làm các thanh ghi con trỏ. Các thanh ghi con trỏ này được sử dụng trong nhiều lệnh gián tiếp dùng trong thanh ghi.

Các Thanh Ghi Con Trỏ X, Y, Z

64 địa chỉ tiếp theo ($00 đến $5F) được dùng cho các thanh ghi I/O, ta cĩ thể

truy xuất các thanh ghi I/O này bằng các lệnh IN, OUT, SBI, CBI.

ATmega32 mở rộng khơng gian I/O từ $60 đến $FF trên SRAM chỉ cĩ các lệnh ST/STS/STD và LD/LDS/LDD mới được sử dụng.

Một phần của tài liệu Đề tài nghiên cứu ba chế độ điều khiển onoff, pid, fuzzy và ứng dụng trong điều khiển mô hình lò nhiệt (Trang 27 - 29)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(79 trang)