2. Ứng dụng màng ZnO:Al trong pin mặt trời vô cơ
2.1.3.Tạo lớp p+Si bằng cách pha tạp Nhôm
Boron là vật liệu thường được sử dụng để pha tạp tạo bán dẫn loại p+Si. Tuy nhiên đây là một vật liệu tương đối hiếm và đắt tiền, nên chúng tôi quyết định thay thế
bằng Nhôm vì Al có hóa trị ba như Boron có thể sử dụng để pha tạp loại p cho Silic. Ngoài ra quá trình này vừa làm giảm chi phí vừa có thể sử dụng Nhôm như một điện cực để lấy hạt tải vì Nhôm là một kim loại dẫn điện tương đối tốt. Quá trình tạo p+ Si có thểđược sơđồ hóa như hình II.2.4 [7, 8].
Hình II.2. 4 : Sơ đồ chế tạo p+Si
Trong đó, các quá trình bốc bay được thực hiện với các thông số:
Hình II.2.5: (a) Hệ bốc bay tạo điện cực, (b) Mẫu sau khi tao điện cực song song
Các thông số chế tạo điện cực
Áp suất buồng (Torr) 10-4 Thuyền đốt (V=14 V, I=80 A) W
Mẫu sau khi bốc bay, được khuếch tán nhiệt trong hệ ủ nhiệt đã được trình bày
ở phần (II.2.2) và khảo sát ở các nhiệt độ 6000C, 7000C, 8000C trong môi trường Nitơ.
Ở nhiệt độ 8000C, chúng tôi khảo sát thêm trong hai môi trường chân không (10-3 torr) hoặc không khí. Thời gian ủ nhiệt cho tất cả các mẫu là 2 giờ.
Trong quá trình khuếch tán nhiệt trong môi trường không khí, sẽ tạo trên bề mặt một lớp Nhôm Oxit (thực ra, đây là một lớp có cấu trúc dị thể với thành phần là Aluminum silicat, tuy nhiên , lớp này đóng vai trò như 1 lớp pha tạp suy biến loại p). Vì thế, để tNy lớp bề mặt này chúng tôi dùng dung dịch HF 10% ngâm mẫu khoảng 10-15 giây.
Sau khi đã thực hiện hoàn tất các bước trên, chúng tôi tiến hành bốc bay một
điện cực song song bằng Nhôm một lần nữa để làm điện cực cho quá trình đo đạt tiếp theo (hình II.2.5b).