Màng mỏng ZnO:Al đã được nghiên cứu từ rất nhiều thập niên qua với nhiều phương pháp chế tạo khác nhau: phún xạ, lắng đọng hóa học (CVD), phun nhiệt phân và Sol-gel…[18]. Mỗi phương pháp đều có đặc thù riêng, màng thu được từ các phương pháp khác nhau sẽ có những tính chất khác nhau.
Với định hướng làm màng dẫn điện trong suốt đểứng dụng trong pin mặt trời, màng thành phNm phải thỏa mãn các yêu cầu sau:
• Màng có độ dẫn và độ truyền qua tốt
• Đáp ứng nhu cầu tăng cường nhận photon và truyền hạt tải tốt. • Màng có độ bám dính tốt, đồng đều đểđảm bảo tính ổn định. • Dễ chế tạo, ít tốn kém, giá thành thấp.
• Phương pháp chế tạo phải đáp ứng khả năng điều khiển cấu trúc màng từ xếp chặt đến cấu trúc xốp để phù hợp với các ứng dụng khác nhau của màng ZnO trong pin mặt trời.
Tạo màng ZnO:Al bằng phương pháp sol-gel thỏa mãn hầu hết các yêu cầu trên.
Đây cũng là hướng nghiên cứu đang được nhiều phòng thí nghiệm quan tâm. Nội dung nghiên cứu của đề tài bao gồm các bước sau:
• Tạo màng ZnO:Al bằng phương pháp sol-gel với các thông số kỹ thuật khác nhau như: hàm lượng pha tạp, chế độ ủ nhiệt, dung môi và chất tạo phức... để
tìm ra thông số chế tạo tối ưu trong các ứng dụng cụ thể nêu trên.
• Đánh giá cấu trúc, hình thái học bề mặt, tính chất điện, quang của màng ZnO:Al theo các điều kiện chế tạo khác nhau.
• Chế tạo pin mặt trời Si và khảo sát sự ảnh hưởng của màng ZnO:Al với vai trò là lớp chống phản xạ lên hiệu suất của pin.
1. Phương pháp chế tạo màng ZnO:Al 1.1.Tiến trình thực nghiệm