Cấu hình đo, khảo sát từ trường theo khoảng cách, theo góc

Một phần của tài liệu Ứng dụng hiệu ứng van spin để đo lường hay chuyển mạch điện tử bằng áp lực áp suất (Trang 42 - 44)

Đường đặc trưng quan hệ giữa từ trường và khoảng cách H(d) là cơ sở quan trọng cho việc thiết kế và chế tạo thiết bị đo, vì vậy cần xác định vị trí không gian thích hợp để đặt cảm biến với đầu đo sao cho kết quả đường đặc trưng quan hệ giữa từ

trường và khoảng cách H(d) biến thiên tuyến tính nhất. Hình 2.2.1 trình bày các cấu hình khảo sát từ trường của các viên nam châm cho mục đích này.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(a): Xác định đường đặc trưng H(d) bằng cách đặt cảm biến trùng với trục của nam châm theo hướng phương x, dịch chuyển nam châm hình trụ sang phía bên trái, tiến gần cảm biến với phạm vi dịch chuyển dx = 0 ÷ 20 mm. Trước khi đo Gauss meter đã được hiệu chuẩn thang đo bằng bộ khử từ H=0.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(b): Xác định đường đặc trưng H(d) bằng cách đặt cảm biến đối diện với trục của nam châm theo phương x nhưng lệch trục và cách nam châm khoảng 2,5 mm, dịch chuyển nam châm hình trụ sang phía bên trái, bề mặt của cảm biến chịu tác dụng của từ trường Hx. Phạm vi dịch chuyển dx = ± 2,5 mm như cấu hình thí nghiệm.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(c): Xác định đường đặc trưng H(d) bằng cách đặt cảm biến ở góc của nam châm hình trụ, góc tạo với phương x là 1350. Cho nam châm dịch chuyển theo phương Z với khoảng dz = 0 ÷ 3,2 mm như cấu hình thí nghiệm.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(d): Xác định đường đặc trưng H(d) giữa cảm biến và nam châm bằng cách đặt cảm biến nghiêng theo chiều cạnh của nam châm và cách nam châm khoảng 2 mm, sao cho từ trường của nam châm tác dụng vào hướng cạnh của cảm biến như cấu hình thí nghiệm. Cho nam châm dịch chuyển về bên trái theo phương x với phạm vi thay đổi dx = ± 2,5 mm.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(e): Xác định đường đặc trưng H(α) giữa cảm biến và nam châm bằng cách đặt cảm biến nằm theo hướng dọc trục của nam châm, cách cạnh của nam châm 3mm. Cho nam châm quay theo chiều ngược chiều kim đồng hồ (chiều dương theo hướng mũi tên) như cấu hình thí nghiệm.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(f): Khảo sát đặc trưng H(d) bằng nam châm hình vuông có cường độ từ trường mạnh hơn (HMax ≈ 2500 Oe), cảm biến đặt bên trên và dịch chuyển theo phương Y, phạm vi dịch chuyển của nam châm là dy = 0 ÷ 25 mm.

¾ Cấu hình đo trên hình 2.2.1(g): Xác định đường đặc trưng H(d) bằng cách đặt cảm biến nằm dọc theo phương trục X, trục của cảm biến hướng về phía cực bắc của nam châm, phạm vi dịch chuyển của nam châm là dX = 0 ÷ 20 mm.

Bằng thực nghiệm qua 7 phép đo với các cấu hình đo khác nhau, kết quả cho thấy với cấu hình đo trên hình 2.2.1(d) cho ra đường đặc tính khá tuyến tính trong khoảng d

= (0,2 ÷ 2,5) mm. Như vậy đây sẽ là cơ sở cho việc xác định cấu hình đo và khảo sát

đặc tính của cảm biến van spin.

Một phần của tài liệu Ứng dụng hiệu ứng van spin để đo lường hay chuyển mạch điện tử bằng áp lực áp suất (Trang 42 - 44)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(83 trang)