Cường độ từ trường là yếu tốảnh hưởng trực tiếp đến tín hiệu ra của cảm biến,
đối với cảm biến van spin là loại cảm biến được chế tạo ở dạng màng mỏng và rất nhạy với từ trường ngoài. Vì vậy nếu chúng ta sử dụng nguồn từ trường quá mạnh thì sẽ rất có thể làm cho từđộ của lớp ghim bị quay theo, gây hư hỏng cảm biến. Ngược lại nếu như chúng ta sử dụng nguồn từ trường yếu quá thì tín hiệu ra của cảm biến sẽ rất bé nhưđã đề cập trong chương 2, việc sử dụng hiệu ứng từ - điện trở đối với cảm biến van spin sẽ phải được chuyển thành tín hiệu điện, sau đó cần phải được khuếch đại lên nhiều lần sao cho có mức điện áp đủ lớn để đưa vào bộ vi xử lý, do vậy việc khảo sát
đặc trưng điện áp ra theo từ trường là rất cần thiết. Trong quá trình khảo sát sử dụng nguồn từ trường tác dụng vào cảm biến, cần phải có sự thay đổi cả về chiều và cường
độ từ trường để xác định được sự phụ thuộc tín hiệu ra theo từ trường. Đường đặc trưng
V(H) được trình bày trong hình 3.2.2.
Từđường đặc trưng này ta có thể xác định được độ nhạy của cảm biến:
Thông qua việc khảo sát đặc trưng V(H) ta có thểđánh giá được một số tính chất quan trọng của cảm biến như độ nhạy, vùng từ trường làm việc tốt nhất vv… Từ kết quả đường đặc trưng điện áp ra của cảm biến theo từ trường trên hình 3.2.2, ta thấy rằng trong khoảng từ trường H ≤ ± 100 Oe thì đường đặc trưng của cảm biến khá tuyến tính, do đó sử dụng cảm biến để chế tạo phương tiện đo thì đây là chế độ thích hợp nhất, còn nếu chế tạo các thiết bị đóng ngắt thì cần phải sử dụng vùng từ trường lớn hơn
H ≥ ± 150 Oe.