¾ Cảm biến AA005-02: Là loại cảm biến hiệu ứng GMR rất nhạy với từ trường ngoài. Loại cảm biến này thường được sử dụng trong kỹ thuật đo lường như đo từ
trường trái đất, xác định phương hướng vv...
Thông số kỹ thuật
- Điện áp cung cấp : 5-12 VDC
- Từ trường làm việc : 100 (Oe) - Trở kháng : 5 KΩ
¾ Cảm biến AD22151: Đây là IC cảm biến từ hiệu ứng GMR có trở kháng đầu ra tuyến tính với cường độ từ trường ngoài khi tác dụng vuông góc với bề mặt cảm biến. Loại cảm biến này được tích hợp từ nhiều phần tử van spin và có khả năng giảm sự dao
động nhiệt trong một sốứng dụng. Tín hiệu đầu ra là nguồn dòng, giá trị đạt tới 1mA.
Thông số kỹ thuật
- Điện áp cung cấp : 12VDC
¾ Cảm biến AC004-01: Đây là cảm biến hiệu ứng GMR rất nhạy cảm với từ
trường yếu, kể cả khi có một dòng điện rất nhỏđi qua dây dẫn đặt trên bề mặt cảm biến nó cũng đủ gây ra hiệu ứng. Vì thế loại cảm biến này thường được ứng dụng trong các thiết bịđể phát hiện dòng điện AC có tần số lên đến 1MHZ , hoặc ta có thểứng dụng nó
để chế tạo ra thiết bị phát hiện dây dẫn điện âm tường trong trạng thái không phá hủy.
Thông số kỹ thuật - Điện áp cung cấp - Điện áp cung cấp : (5 ÷ 25)VDC
- Từ trường làm việc : (0 ÷ 1,14) KA/m - Trở kháng : (2.4 đến 4.7)KΩ
¾ Cảm biến ADV001-00E: Đây là loại cảm biến hiệu ứng GMR có trở kháng thay
đổi rất nhạy theo từ trường ngoài. Cảm biến được tích hợp gồm 4 phần tử van spin ghép theo kiểu cầu Wheatstone, phối hợp với mạch khueecshs đại bên trong.
Thông số kỹ thuật
- Điện áp cung cấp : (5 ÷ 24)VDC
- Từ trường làm việc : 12 (Oe) - Trở kháng : (1 đến 3)KΩ
¾ Cảm biến KMZ43T : Đây là một cảm biến nhạy từ trường sử dụng hiệu ứng từ điện trở của màng mỏng permalloy. Bộ cảm biến này có chứa hai cầu Wheatstone đặt lệch nhau 450. Khi có một từ trường quay trong mặt phẳng xy sẽ tạo ra hai tín hiệu độc lập biến thiên liên tục ở các đầu ra. Loại cảm biến này phù hợp cho các ứng dụng để đo góc độ rất chính xác kể cả trường hợp đặt trong từ trường yếu.
Thông số kỹ thuật
- Điện áp cung cấp : (5 ÷ 9)VDC
- Từ trường làm việc : 25 KA/m (ARM) - Trở kháng : (2,7÷3,7)KΩ
- Độ nhạy : ( 2,1÷2,6)mV/V
¾ Cảm biến SV- 01: Cảm biến SV-01 là loại cảm biến van spin hiệu ứng GMR đã
được chế tạo thử nghiệm từ rất sớm, cấu trúc bên trong gồm có 4 phần tử van spin đơn ghép với nhau theo kiểu cầu Wheatstone [15]. Cảm biến này rất nhạy đối với từ trường ngoài [24], đặc biệt là khoảng thay đổi tuyến tính giữa MR được kéo dài theo trục X.
Thông số kỹ thuật
- Điện áp cung cấp : (3,5 - 5)V - Từ trường làm việc : (8 - 320) KA/m - Trở kháng : (1,5 đến 2,3)KΩ