4. Transistor hai cc tính (BJT) ự
4.2Nguyên lý ho tđ ng và kh năng khu ch đi ca BJT ủ
Ngu n Eồ 1 (cĩ s c đi n đ ng vài volt) làm chuy n ti p Jứ ệ ộ ể ế E phân c c thu n. Ngu n Eự ậ ồ 2
(thường cĩ giá tr t 5V đ n 12V) làm cho chuy n ti p Jị ừ ế ể ế C phân c c ngh ch. Rự ị E, RC là các đi n tr phân c c. ệ ở ự
Đ đ n gi n, gi thi t ban đ u n ng đ t p ch t phân b đ u trong các l p bánể ơ ả ả ế ầ ồ ộ ạ ấ ố ề ớ d n, đ ng th i ta ch chú ý đ n đi n tr c a các vùng nghèo Jẫ ồ ờ ỉ ế ệ ở ủ E, JC.
Khi ch a cĩ ngu n Eư ồ 1, E2 tác d ng, cũng gi ng nh quá trình x y ra diode, trongụ ố ư ả ở m i vùng nghèo Jỗ E, JC s t n t i m t đi n trẽ ồ ạ ộ ệ ường ti p xúc (hế ướng t N sang P) từ ương ng v i m t hi u đi n th ti p xúc. Hi u đi n th này đĩng vai trị nh m t hàng rào
ứ ớ ộ ệ ệ ế ế ệ ệ ế ư ộ
đi n th , duy trì tr ng thái cân b ng c a chuy n ti p (cân b ng gi a dịng trơi c a h tệ ế ạ ằ ủ ể ế ằ ữ ủ ạ d n thi u s và dịng khu ch tán c a h t d n đa s , khi n cho dịng đi n t ng h p quaẫ ể ố ế ủ ạ ẫ ố ế ệ ổ ợ m i chuy n ti p b ng 0). ố ể ế ằ
Khi cĩ ngu n Eồ 2, chuy n ti p Jể ế C b phân c c ngh ch, hàng rào đi n th và đi nị ự ị ệ ế ệ trường ti p xúc trong vùng nghèo này tăng. Tế ương t nh diode phân c c ngh ch, quaự ư ự ị vùng nghèo JC s cĩ m t dịng đi n r t nh (do h t d n thi u s c a mi n base và mi nẽ ộ ệ ấ ỏ ạ ẫ ể ố ủ ề ề collector t o nên), kí hi u là Iạ ệ CBO, đĩ là dịng đi n ngệ ược collector.
N u cĩ thêm ngu n Eế ồ 1, chuy n ti p Jể ế E s phân c c thu n. Hàng rào đi n th trong Jẽ ự ậ ệ ế E
h th p (so v i tr ng thái cân b ng) khi n đi n t t mi n Nạ ấ ớ ạ ằ ế ệ ử ừ ề + tràn qua mi n P, l tr ngề ỗ ố t mi n P tràn qua mi n Nừ ề ề +. Sau đĩ các h t d n khơng cân b ng này ti p t c khu ch tán.ạ ẫ ằ ế ụ ế Trên đường khu ch tán, chúng s tái h p v i nhau. Nh ng do n ng đ h t d n 2 mi nế ẽ ợ ớ ư ồ ộ ạ ẫ ề chênh l ch nhau xa (nệ n > pp) cho nên các đi n t phun t mi n Nệ ử ừ ề + vào mi n P, ch m t bề ỉ ộ ộ
ph n r t nh b tái h p, cịn tuy t đ i đa s v n cĩ th khu ch tán qua mi n base t iậ ấ ỏ ị ợ ệ ạ ố ẫ ể ế ề ớ vùng nghèo JC (kh năng b tái h p trên đả ị ợ ường đi ch r t ít vì mi n base r t m ng, n ngỉ ấ ề ấ ỏ ồ đ l tr ng mi n này khơng cao l m). Khi t i vùng nghèo Jộ ỗ ố ở ề ắ ớ C, các đi n t nĩi trên l pệ ử ậ t c b đi n trứ ị ệ ường trong JC hút v phía collector t o nên dịng đi n trong m ch collector.ề ạ ệ ạ
N u g i Iế ọ E là dịng đi n ch y qua c c emitter (tệ ạ ự ương ng v i chuy n đ ng c a đi nứ ớ ể ộ ủ ệ t mi n Nử ề + sang mi n P thì dịng đi n t o nên b i s đi n t ch y t i collector v a nĩiề ệ ạ ở ố ệ ử ạ ớ ừ s là ẽ αIE, trong đĩ α là t s gi a s lỉ ố ữ ố ượng đi n t t i đệ ử ớ ược collector và t ng s đi n tổ ố ệ ử phát đi t emitter, t c là: ừ ứ
= α
Thơng thường α = 0,95 ÷ 0.99 (nghĩa là t l hao h t h t d n d c đỉ ệ ụ ạ ẫ ọ ường đi t c c Eừ ự t i c c C ch r t nh ).ớ ự ỉ ấ ỏ V iớ β = α α − 1 : h s khu ch đ i dịng đi nệ ố ế ạ ệ 4.3 Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ
BJT cĩ 3 c c: E, B và C. Tuỳ theo cách ch n đi n c c nào làm nhánh chung choự ọ ệ ự m ch vào và m ch ra mà cĩ 3 s đ c b n sau đây: ạ ạ ơ ồ ơ ả