4. Transistor hai cc tính (BJT) ự
4.4.1 M ch base chung ạ
* H đ c tuy n vàoọ ặ ế
M c BJT theo s đ BC tr ng thái tĩnh (t c là ch cĩ đi n áp m t chi u phân c c).ắ ơ ồ ở ạ ứ ỉ ệ ộ ề ự E1, E2 là các ngu n đi n áp m t chi u cĩ th thay đ i giá tr . Các đ ng h mA k dùngồ ệ ộ ề ể ổ ị ồ ồ ế đ đo dịng đi n, cịn các volt k đo đi n áp gi a hai c c. Gi đi n áp Vể ệ ế ệ ữ ự ữ ệ CB = const, l nầ lượt hay đ i giá tr Eổ ị 1 r i đ c các c p giá tr tồ ọ ặ ị ương ng c a Iứ ủ E và VEB, k t qu v đế ả ẽ ược
đồ thị
IE = f (VEB)VCB =constnh hình 2.21. ư
Đĩ là đ c tuy n vào c a BJT m c BC. T p h p nhi u đ c tuy n vào (m i đặ ế ủ ắ ậ ợ ề ặ ế ỗ ường ng v i m t giá tr khơng đ i c a V
ứ ớ ộ ị ổ ủ CB) t o nên h đ c tuy n vào. ạ ọ ặ ế
Cĩ th th y r ng d ng đ c tuy n này tể ấ ằ ạ ặ ế ương t nh đ c tuy n thu n c a diode, b iự ư ặ ế ậ ủ ở vì gi a c c E và c c B c a BJT cĩ chuy n ti p Iữ ự ự ủ ể ế E phân c c thu n. Đi n áp ngõ ra Vự ậ ệ CB
nh h ng r t ít đ n dịng đi n ngõ vào.
* H đ c tuy n raọ ặ ế
N u l n lế ầ ượt gi dịng Iữ E b ng các giá tr nh t đ nh, thay đ i ngu n Eằ ị ấ ị ổ ồ 2 r i xác đ nhồ ị các c p giá tr tặ ị ương ng c a Iứ ủ C và VCB, ta cĩ đ c tuy n ra c a m ch BC. ặ ế ủ ạ
IC = f(VCB)
const IE =
- Đ c tuy n g n nh song song v i tr c hồnh, ch ng t r ng ngay c khi Vặ ế ầ ư ớ ụ ứ ỏ ằ ả CB = 0, dịng IC v n cĩ m t giá tr khác 0 nào đĩ và vi c tăng Vẫ ộ ị ệ CB nh hả ưởng r t ít đ n tr s c aấ ế ị ố ủ IC.
- Đường th p nh t ng v i Iấ ấ ứ ớ E = 0 ch cách tr c hồnh m t kho ng r t h p. Tung đỉ ụ ộ ả ấ ẹ ộ này chính là giá tr dịng đi n ngị ệ ược collector.
- Ph m vi r t h p. phía dạ ấ ẹ ướ ặi đ c tuy n này là mi n t t, tế ề ắ ương ng v i tr ng tháiứ ớ ạ t t c a BJT (c 2 chuy n ti p Jắ ủ ả ể ế E và JC đ u phân c c ngh ch). ề ự ị
- IE càng tăng thì IC cũng càng tăng. Đĩ là vì s h t d n đa s c a mi n emitter phunố ạ ẫ ố ủ ề vào mi n base càng l n thì s t i đề ớ ố ớ ượ ực c c collector cũng s càng nhi u. ẽ ề
- Đ c tuy n bao g m 3 đo n. Đo n g n nh song song v i tr c hồnh ng v iặ ế ồ ạ ạ ầ ư ớ ụ ứ ớ tr ng thái khu ch đ i thơng thạ ế ạ ường c a BJT (Jủ E phân c c thu n, Jự ậ C phân c c ngh ch).ự ị Đo n ch ch xiên bên trái tr c tung (v nét đ t) tạ ế ở ụ ẽ ứ ương ng v i tr ng thái d n bão hồứ ớ ạ ẫ
c a BJT (c hai chuy n ti p Jủ ả ể ế E, JC đ u phân c c thu n). Đo n th ba bên ph i (v ch mề ự ậ ạ ứ ả ẽ ấ ch m) chính là quá trình đánh th ng chuy n ti p Jấ ủ ể ế C, x y ra khi Vả CB quá l n làm dịng Iớ C
tăng v t. Đây là mi n c m s d ng đ kh i phá h ng BJT.ọ ề ấ ử ụ ể ỏ ỏ
* Đ c tuy n truy n đ t dịng đi nặ ế ề ạ ệ
IC = f(IE)V const CB =
Nĩ cĩ d ng g n tuy n tính, phù h p v i h th c lý thuy t (coi ạ ầ ế ợ ớ ệ ứ ế α là khơng đ i). Trênổ th c t , h s ự ế ệ ốα ch là h ng s khi dịng đi n Iỉ ằ ố ệ E tương đ i nh . Cịn khi Iố ỏ E khá l n, nghĩaớ là dịng h t d n khu ch tán qua mi n base cĩ m t đ l n thì t l ph n trăm s h t d nạ ẫ ế ề ậ ộ ớ ỷ ệ ầ ố ạ ẫ b tái h p trên đị ợ ường đi s tăng lên, khi n ẽ ế α gi m. Đi u này làm cho đ c tuy n vùngả ề ặ ế ở dịng đi n l n ngày càng lêch kh i quy lu t tuy n tính.ệ ớ ỏ ậ ế
