- T ng tr ngõ ra: ổở o.
6. Các d ng ghép liê nt ng ầ
6.2 Ghép tr cti ế
Đ khu ch đ i các tín hi u m t chi u ho c t n s r t th p (tín hi u bi n thiênể ế ạ ệ ộ ề ặ ầ ố ấ ấ ệ ế ch m) khơng th ghép t ng b ng t đi n ho c bi n áp mà ngậ ể ầ ằ ụ ệ ặ ế ười ta n i tr c ti p ngõ raố ự ế t ng trầ ước v i ngõ vào t ng sau. Trên hình 2.30 là m t ví d v ki u ghép này.ớ ầ ộ ụ ề ể
Ch đ tĩnh c a các t ng liên quan v i nhau. Hi n tế ộ ủ ầ ớ ệ ượng khơng n đ nh đi m làmổ ị ể vi c c a t ng này s gây ra s xê d ch đi m làm vi c c a t ng kia và do đĩ làm thay đ iệ ủ ầ ẽ ự ị ể ệ ủ ầ ổ đi n áp ra. Vì v y ngệ ậ ười ta thường th c hi n h i ti p đ h n ch “s trơi đi m tĩnh”ự ệ ồ ế ể ạ ế ự ể v a nêu.ừ
Trên m ch hình 2.30, Rạ ở 3 R6 là các đi n tr n đ nh dịng tĩnh c a t ng transistorệ ở ổ ị ủ ừ (h i ti p âm dịng đi n n i ti p). Dịng emitter c a Qồ ế ệ ố ế ủ 2 gây nên đi n áp m t chi u trên Rệ ộ ề 6. Chính đi n áp này phân c c cho Qệ ự 1 (thơng qua b ph n áp Rộ ậ 1 – R2).
Cách phân c c nh h i ti p t Qự ờ ồ ế ừ 2 v Qề 1 nh v y s t đ ng n đ nh dịng tĩnh c aư ậ ẽ ự ộ ổ ị ủ các transistor. Th t v y, do b n ch t c a transistor, khi nhi t đ mơi trậ ậ ả ấ ủ ệ ộ ường tăng thì các tham s Iố CEO, ICBO, α, β, … s tăng khi n dịng Iẽ ế C, IE tăng và đi m làm vi c m t n đ nh.ể ệ ấ ổ ị
qua nhân áp R1 - R2) đi n áp phân c c cho Qệ ự 1 s tăng và dịng Iẽ C1 tăng. Nh ng do ghép tr cư ự ti p:ế
VB2 = VC1 = VCC – (IC1 + I B2) R4
Cho nên khi IC1 tăng thì VB2 gi m. Đi n áp phân c c này gi m s làm Iả ệ ự ả ẽ E2 và IC2 gi m,ả nghĩa là h n ch s tăng dịng tĩnh c a Qạ ế ự ủ 2 do nhi t đ gây ra.ệ ộ
Nh v y m ch ghép tr c ti p cĩ h i ti p trên đây cĩ đi m làm vi c khá n đ nh.ư ậ ạ ự ế ồ ế ể ệ ổ ị Đ l i áp c a m ch cũng khá cao. D dàng ch ng minh đồ ợ ủ ạ ễ ứ ượ ằc r ng:
Khi R4 >> Ri2 thì:AV≈ hfE1 hfE2
12 2 i L R R
Trong đĩ RL2 là t i c a t ng Qả ủ ầ 2, Ri1 là đi n tr vào c a t ng Qệ ở ủ ầ 1.