4. Transistor hai cc tính (BJT) ự
4.4.3M ch collector chung (CC) ạ
* Đ c tuy n vàoặ ế
IB = f(VBC)
const VCE =
* Đ c tuy n ra và đ c tính truy n đ t dịng đi n ặ ế ặ ề ạ ệ IE = f(VEC) const IB = ; IE = f(IB) const VEC = 2 đ c tuy n c a m ch CC g n gi ng v i m ch EC vì Iặ ế ủ ạ ầ ố ớ ạ E≈ IC. 4.5 Các tham s gi i h n c a BJTố ớ ạ ủ
Dịng đi n c c đ i cho phép: Tùy theo di n tích m t ti p xúc, v t li u và cơng nghệ ự ạ ệ ặ ế ậ ệ ệ ch t o, đi u ki n t a nhi t v.v… m i BJT ch cĩ m t dịng đi n t i đa trên m i đi nế ạ ề ệ ỏ ệ ỗ ỉ ộ ệ ố ỗ ệ c c. Ta thự ường ký hi u các gi i h n này là Iệ ớ ạ Emax, IBmax, ICmax
Đi n áp c c đ i cho phép: Vệ ự ạ CBmax, VCEmax, VBEmax. Đĩ là các đi n áp khơng đệ ược vượt quá đ khơng gây đánh th ng chuy n ti p P – N tể ủ ể ế ương ng. ứ
Cơng su t tiêu tán c c đ i cho phép: Tùy theo k t c u và cơng ngh ch t o, đ cấ ự ạ ế ấ ệ ế ạ ặ bi t là tùy theo đi u ki n t a nhi t c a chuy n ti p collector mà m i transistor cĩ m tệ ề ệ ỏ ệ ủ ể ế ỗ ộ cơng su t tiêu tán c c đ i cho phép, ký hi u là Pấ ự ạ ệ Cmax. Giá tr này thị ường cho trong các c mẩ nang, kèm theo đi u ki n c th v nhi t đ mơi trề ệ ụ ể ề ệ ộ ường và ch đ t a nhi t. Khi làmế ộ ỏ ệ vi c trong m t t ng khu ch đ i nào đĩ, đ khơng phá h ng BJT, cơng su t t c th i tiêuệ ộ ầ ế ạ ể ỏ ấ ứ ờ tán trên transistor nh t thi t khơng đấ ế ược vượt quá giá tr Pị C.max.
T n s gi i h n: Thơng thầ ố ớ ạ ường BJT ch làm vi c m t cách hi u qu đ n m t t nỉ ệ ộ ệ ả ế ộ ầ s nh t đ nh. Khi t n s tín hi u tăng cao, vai trị đi n dung c a chuy n ti p P-N d nố ấ ị ầ ố ệ ệ ủ ể ế ầ d n tr nên đáng k . M t khác, chuy n đ ng c a h t d n qua b dày mi n base khơngầ ở ể ặ ể ộ ủ ạ ẫ ề ề th coi là t c th i và chi m m t th i gian đáng k so v i chu kỳ tín hi u. Vì v y, các hể ứ ờ ế ộ ờ ể ớ ệ ậ ệ s truy n đ t dịng đi n ố ề ạ ệ β s b gi m theo t n s ; dịng đi n ra và dịng đi n vào (ho cẽ ị ả ầ ố ệ ệ ặ đi n áp vào) s b l ch pha nhau v.v…, gây nên cái g i là “méo t n s ”, “méo pha” v.v…ệ ẽ ị ệ ọ ầ ố