4. Transistor hai cc tính (BJT) ự
4.4.2M ch emitter chung ạ
* Đ c tuy n vàoặ ế
IB = f(VBE)
const VCE =
Đ c tuy n vào ph n ánh m i quan h gi a dịng và áp c a chuy n ti p Jặ ế ả ố ệ ữ ủ ể ế E ngõ vào.ở Th c ch t đây v n là nhánh thu n c a đ c tuy n diode. ự ấ ẫ ậ ủ ặ ế
* Đ c tuy n raặ ế
IC = f(VCE)
const IB =
Đ c tuy n ra c a m ch BJT m c EC đặ ế ủ ạ ắ ược th hi n nh hình 2.25. ể ệ ư
So v i đ c tuy n ra c a m ch BC, h đ c tuy n c a m ch EC cĩ m t vài khácớ ặ ế ủ ạ ọ ặ ế ủ ạ ộ bi t:ệ
- Đường th p nh t ( ng v i Iấ ấ ứ ớ B = 0) ph n ánh giá tr dịng đi n ngả ị ệ ược collector c aủ m ch EC (Iạ CEO). Dịng này l n h n dịng Iớ ơ CBO c a m ch BC. Ph m vi dủ ạ ạ ướ ặi đ c tuy n nàyế v n g i là mi n t t, ng v i tr ng thái c Jẫ ọ ề ắ ứ ớ ạ ả E và JC đ u phân c c ngh ch. ể ự ị
- Các đ c tính phía trên ng v i Iặ ứ ớ B ≠ 0 v n bao g m 3 đo n: đo n ch ch xiên ngẫ ồ ạ ạ ế ứ v i tr ng thái d n bão hồ c a BJT, đo n n m ngang ng v i tr ng thái khu ch đ i c aớ ạ ẫ ủ ạ ằ ứ ớ ạ ế ạ ủ BJT cĩ đ d c l n h n so v i đ c tuy n m ch BC, cịn đo n d c đ ng ng v i quá trìnhộ ố ớ ơ ớ ặ ế ạ ạ ố ứ ứ ớ đánh th ng. ủ
* Đ c tuy n truy n đ t dịng đi n ặ ế ề ạ ệ
IC = f(IB)
const VCE =
Đ d c c a đ c tuy n chính là h s khu ch đ i dịng đi n ộ ố ủ ặ ế ệ ố ế ạ ệ β. Trong ph m vi dịngạ đi n dịng l n, giá tr ệ ớ ị β gi m nên đ c tuy n khơng cịn tuy n tính n a. ả ặ ế ế ữ