Các thiết bị phân tích

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo hệ vật liệu cu tic bằng phương pháp nghiền cơ học và thiêu kết xung điện plasma (Trang 53 - 56)

Phân tích c u trúc và thành phần pha

Thiết bị nhiễu xạ tia X (XRD): Thành phần pha của hỗn hợp bột trƣớc và sau khi nghiền đƣợc phân tích bởi thiết bị nhiễu xạ tia X - Rigaku,Ultima IV – hình 3.4. Thông số đƣợc sử dụng: bức xạ Cu K, góc quét 20-80 độ và tốc độ quét 1 ÷ 4 độ/phút.

46

Kính hi n vi điện tử quét (SEM):

Hình 3.5. Kính hiển vi phát xạ trường - JSM-6500F

Kính hiển vi điện tử quét (SEM) là một trong những thiêt bị phân tích linh hoạt nhất, đƣợc sử dụng trong phân tích hình thái bề mặt và trúc vi mô của vật liệu. Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trƣờng (FE-SEM) kết hợp với phép đo phổ tán sắc năng lƣợng (EDS) đã đƣợc sử dụng trong nghiên cứu hỗn hợp bột nano compzit Cu-TiC và các mẫu sau khi thiêu kết.

Các phƣơng pháp phân ích khác

Đo độ cứng: Các mẫu khối sau khi thiêu kết đƣợc kiểm tra độ cứng với

thang đo Vicker. Thiết bị đƣợc sử dụng là Mitutoyo MVK-H kết hợp với màn hình thể hiện đo đƣờng chéo của vết đâm (hình 3.6). Phƣơng pháp đo Vicker đƣợc thực hiện với các mẫu đã đƣợc đánh bóng. Lực tải trọng đƣợc chọn là 50g và thời gian trong 10 giây. Giá trị độ cứng nhận đƣợc là kết quả trung bình của năm lần thử đâm cho mỗi mẫu.

47

Hình 3.6. Thiết bị đo độ cứng Vicker – Mitutoyo MVK-H

Đo trọng: Tỷ trọng của các mẫu sau khi thiêu kết xung điện plasma

đƣợc kiểm tra bằng phƣơng pháp Acsimet, sử dụng cân tỷ trọng SD-120L – hình 3.7.

48

CHƢƠNG 4. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo hệ vật liệu cu tic bằng phương pháp nghiền cơ học và thiêu kết xung điện plasma (Trang 53 - 56)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(69 trang)