* Quang phổ quang điện tia X: Đôi khi được gọi là quang phổ điện tử đối với phân tích hoá học ESCA (Electro Spectroscopy for Chemical Analysis), và cũng được sử dụng trong đặc tính hoá bề mặt cao su silicone. Nó nhiều bề mặt đặc biệt hơn FTIR và cho các thông tin từ độ sâu 0,5 - 4 nm. Trong suốt phép đo, nó được thực hiện trong một buồng chân không cao, một mẫu được tiếp xúc trực tiếp với lượng tử ánh sáng tia X với năng lượng đầy đủ để tách rời các điện tử hạt nhân từ các phần tử lên bề mặt mẫu vật. Sự khác nhau giữa năng lượng của lượng tử tia X và năng lượng động của điện tử phát ra là tỷ lệ với năng lượng liên kết chúng. Năng lượng liên kết là đặc tính hoá đối với mỗi phép đo định tính phần tử kích hoạt của các phần tử hiện diện ở bề mặt. So sánh con số của các điện tử phát ra từ các phần tử khác nhau cho các thông tin về thành phần nguyên tử của lớp bề mặt. Thông tin về cấu trúc hoá học cũng có thể thu được từ những sự liên kết giữa các năng lượng ảnh hưởng tới các nguyên tử yêu cầu đến các điện tử phát ra.
* Phân tán năng lượng tia X (EDX): Những phần tử bên trong vật liệu cũng phát những đặc tính tia X, vì thế chúng cũng có thể chỉ ra việc sử dụng phân tích phân tán năng lượng tia X.
* Quang phổ khối ion thứ cấp (SIMS): Trong kỹ thuật này các mẫu được bắn phá bởi các nơtron. Các nơtron xảy ra tương tác với các hạt nhân của nguyên tử qua lực hạt nhân. Những sự biến đổi trong mật độ hạt phân bố như một chức năng về chiều sâu được dò tìm. Chiều sâu thâm nhập của kỹ thuật này khoảng 200 nm và có một giải pháp bên dưới với một đồng hồ đo nanô [4].