PHÁT XUNG ĐIỀU KHIỂN

Một phần của tài liệu Nghiên cứu mô hình thiết bị bù tĩnh (SVC) trong tính toán và điều khiển để nâng cao chất lượng điện trong hệ thống điện (Trang 105 - 106)

Đầu ra điện dẫn tham chiếu từ bộ điều chỉnh điện áp được truyền tới cổng phát xung (GPG-Gate Pulse generation), chúng cung cấp các xung mở van tương ứng cho tất cả bộ điều khiển thyristor và thiết bị chuyển mạch thyristor của bộ SVC, do đó điện dẫn mong muốn sẽ được cấp tới thanh cái bộ SVC để đạt được các mục tiêu điều khiển cụ thể. Thông thường cấu hình TSC-TCR của SVC, với GPG sẽ có các chức năng sau đây:

1. Điều khiển số lượng TSC được đóng vào đáp ứng nhu cầu điện dẫn tính dung và cũng cho phép để một lượng dư điện dẫn dung xuất hiện trong mạch SVC.

2. Tính toán độ lớn của điện dẫn tính cảm TCR để bù vào lượng điện dẫn tính dung còn dư.

3. Quyết định thứ tự mà trong đó các kết nối TSC được kích hoạt, phụ thuộc vào sự phân cực hiện có của điện tích trên các tụ khác nhau, và vì vậy đảm bảo mức dộ dao động khi chuyển mạch tụ.

4. Tính toán góc mở van cho các thyristor TCR để thực hiện tạo ra điện dẫn tính cảm TCR trên các điểm cấp SVC.

Học viên: Nguyễn Xuân Thắng Trang 97 Chức năng 1 được thực hiện bằng cách chia điện dẫn tham chiếu đầu ra SVC từ bộ điều chỉnh điện áp Bref cho điện dẫn của các bank tụ, BC . Thương số được làm tròn đến số nguyên liền kề lớn hơn tương ứng với số bank tụ yêu cầu, gọi đó là nC. Sự khác nhau giữa tổng điện dẫn dung nCBC và Bref là do điện dẫn tính cảm sinh ra do bộ TCR điều khiển thông qua bộ điều khiển góc mở.

Chuyển mạch TSC được thưc hiện thông qua mạch logic và tuân thủ theo 2 nguyên tắc sau dành cho chuyển mạch tụ: Các bank tụ sẽ được thao tác chuyển mạch khi điện áp qua van TSC hoặc là bằng không hoặc là giá trị nhỏ nhất. Các xung mở van TSC được cấp tương tự như TCR, ngoại trừ là chúng được cấp không ngừng để các thyristor TSC duy trì dẫn liên tục. Trong chương trình chuyển mạch TSC được kết hợp thêm một mạch tạo trễ để ngăn chặn sự chuyển mạch nhanh (chattering) từ các dao động nhỏ của hệ thống quanh ngưỡng chuyển mạch.

Góc mở pha α của TCR được tính toán tương ứng với điện dẫn đã tính toán của nó được thực hiện bằng cách sử dụng một bộ chuyển đổi điện dẫn - góc mở van (B-to-α) hoặc thông qua một một bảng tra được lưu trong bộ vi xử lý.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu mô hình thiết bị bù tĩnh (SVC) trong tính toán và điều khiển để nâng cao chất lượng điện trong hệ thống điện (Trang 105 - 106)