Gồm các bước sau : Chuẩn bị đế. Xử lí bề mặt đế. Xử lí bề mặt bia. Phủ màng.
* Chuẩn bị đế: Đế phải có bề mặt bằng phẳng, không trầy xước và sạch. Loại đế được sử dụng là đế thủy tinh thông thường có kích thước 75x25x1.1mm3.
Đế thủy tinh kính ảnh có bề mặt đồng đều và không chứa các loại kim loại kiềm nên thích hợp cho việc nghiên cứu ở nhiệt độ ủ nhiệt dưới 450oC.
* Xử lí bề mặt đế: Một trong những vấn đề quan trọng khi tạo màng mỏng là đảm bảo độ bám dính giữa màng và đế, vì vậy bề mặt của đế phải thật sạch, không có tạp chất bẩn.
* Xử lí đế bên ngoài hệ phún xạ:
Bước 1: Trước hết rửa sạch đế bằng xà phòng, ngâm nó trong dung dịch xà phòng trong 10 phút.
Bước 2: Rửa đế bằng nước lạnh thật sạch, sau đó cho đế vào ngâm nước cất và đánh siêu âm 15 phút bằng máy siêu âm.
Bước 3: Lập lại bước 1 và bước 2 thêm 1 lần nữa.
Bước 4: Cho đế vào ngâm axeton công nghiệp và đánh siêu âm 15 phút bằng máy siêu âm.
* Xử lí bề mặt bia.
Bia là kim loại Ti có kích thước là 75mm x 75mm và có độ tinh khiết 99%. Bia được xử lý bề mặt trong môi trường khí Argon ở áp suất trong buồng khoảng 10-3 torr bằng cách cho phún xạ làm sạch bề mặt bia khoảng 5 phút. Trong khi đó, đế được giữ sạch bằng cách cách ly với hệ magnetron.
* Phủ màng.
Hình 3.6: Hình ảnh hệ đồng phún xạ đang hoạt động.
Màng phủ trên đế thủy tinh, được đặt song song với bia TiO2 trong suốt quá trình phún xạ với khoảng cách giữa bia và đế được chúng tôi khảo sát và thay đổi từ 5cm – 10cm.
Khí làm việc là Argon pha ôxy. Chúng được cũng thay đổi tỉ lệ khí O2/Ag lần lượt là 10%, 20% và 30% để khảo sát tính chất màng hợp trong bình nén khí và được đưa vào buồng chân không bằng hệ van kim.
Quá trình tạo màng được tiến hành với sự thay đổi các điều kiện chế tạo màng: áp suất phún xạ, dòng phún xạ, thế phún xạ, tỉ lệ khí, khoảng cách bia – đế, góc nghiêng θo giữa 2 hệ magnetron…