Năm 1977, Majni và Ottaviani đã phát hiện ra một hiện tƣợng ở kết cấu “Si-wafer/Al/a-Si”, trong đó lớp Al và lớp a-Si đƣợc lắng đọng bằng phƣơng pháp bốc bay chùm điện tử (electron-beam evaporation) trên phiến Si (100) với
bề dày mỗi lớp khoảng 700nm. Sau quá trình nung và ủ nhiệt ở 530oC trong 12
giờ, một quá trình hoán chuyển vị trí của hai lớp Al/a-Si đƣợc quan sát thấy và kết quả dẫn đến kết cấu thu đƣợc chuyển hóa thành “Si-wafer/Si/Al”. Kết quả cho thấy, lớp silic đã phát triển epitaxy trên phiến Si (100) và do đó quá trình trên đƣợc gọi là quá trình “epitaxy” pha rắn (solid phase epitaxy). Do đƣợc pha tạp bởi kim loại Al nên lớp Si phát triển “epitaxy” này dẫn điện loại p với nồng
độ hạt tải đƣợc công bố vào khoảng 2 x 1018
cm-3.
Đến năm 1979, cũng hai tác giả trên tiếp tục công bố những kết quả nghiên cứu về sự ảnh hƣởng của lớp mặt phân giới giữa hai lớp Al/Si ban đầu (thƣờng là lớp oxit nhôm) lên quá trình AIC. Hai tác giả cho thấy lớp mặt phân
22
giới này đóng một vai trò quan trọng (fundamental role) trong việc: 1) điều khiển sự khuếch tán của hai lớp trong quá trình hoán chuyển vị trí và 2) giới hạn bề dày của lớp Si kết tinh thu đƣợc (bằng với bề dày của lớp Al ban đầu).
Sau đó, năm 1981, Tsaur và đồng nghiệp đã ứng dụng phƣơng pháp “epitaxy” pha rắn trên, để chế tạo thành công một cấu trúc pin mặt trời đơn giản gồm: “200nm p-type Si / n-type Si wafer”. Với việc sử dụng hai loại phiến đơn tinh thể và đa tinh thể Si (100) loại n khác nhau, hiệu suất của pin mặt trời thu đƣợc lần lƣợt là 10.4% và 8.5%.
Mãi đến năm 1998, các nhà khoa học mới thử nghiệm và thấy rằng, quá trình kết tinh vật liệu silic không chỉ xảy ra trên các phiến silic mà còn xảy ra
trên các bề mặt khác. Điển hình là hai nhóm tác giả: Koschier [30] đã chứng minh
rằng, quá trình kết tinh lại của silic trong phƣơng pháp AIC còn xảy ra trên phiến
silic đã đƣợc oxy hóa bề mặt và O. Nast [38] cũng đã chứng minh quá trình còn
xảy ra trên đế thủy tinh.
Trong những năm tiếp theo và cho đến nay, rất nhiều các công trình nghiên cứu đang tập trung khai thác các vấn đề liên quan đến phƣơng pháp này.