Bảng 3.7: Các mẫu thủy tinh/ Si (70 nm)/ Al (235 nm) đƣợc nung ở 500oC với
thời gian ủ nhiệt khác nhau.
Tên mẫu Nhiệt độ nung (0C) Thời gian ủ (giờ)
DH8 500 1
DH9 500 3
DH10 500 5
DH11 500 7
58
Hình 3.18: Ảnh OTM của các mẫu DH8-DH12 thu đƣợc sau quá trình nung nhiệt ở các thời gian ủ nhiệt khác nhau.
Ảnh hƣởng của sự thay đổi thời gian ủ nhiệt đƣợc khảo sát qua bộ mẫu trong bảng 3.7. Kết quả ảnh OTM trong hình 3.18 cho thấy với thời gian ủ nhiệt
từ 1 giờ đến 10 giờ ở 500oC đều đã xảy ra sự khuếch tán giữa hai lớp Al/Si vào
nhau, bề mặt các màng thu đƣợc sau quá trình còn gồ ghề của các “ốc đảo” Si dƣ. Sự kết tinh của các màng theo thời gian ủ nhiệt khác nhau đƣợc đánh giá qua kết quả chụp nhiễu xạ nhƣ trong hình 3.19.
59
Hình 3.19: Phổ Nhiễu xạ tia X của các màng đƣợc nung ở 500oC theo thời gian ủ nhiệt khác nhau từ 1 giờ đến 10 giờ.
Đặc trƣng đỉnh phổ nhiễu xạ trong hình 3.19 đã thể hiện rõ sự kết tinh lại của màng silic vô định hình thành màng silic đa tinh thể với định hƣớng ƣu tiên ở họ mặt mạng (111). Hình dáng và cƣờng độ của các đỉnh phổ khá giống nhau chứng tỏ sự kết tinh lại của silic khá đồng đều, từ đó cho thấy, ở ngƣỡng nhiệt độ
500oC thì sự thay đổi thời gian ủ nhiệt từ 1 giờ đến 10 giờ ít ảnh hƣởng đến sự
kết tinh của silic. Điều này có ý nghĩa rất lớn trong việc tính toán chi phí cũng nhƣ khả năng ứng dụng trong sản xuất công nghiệp của phƣơng pháp AIC.