Mạch ở hình 2.20a, tương ứng với mơ hình đơn giản của diode silicon ở cả trạng thâi lăm việc
dc thuận vă ngược. Đặc tuyến của mơ hình gần như đặc tuyến hoạt động của diode ở hình 2.18.
Điện trở Rr tương ứng với điện trở phđn cực ngược của diode, thường văo khoảng văi megaohm. Điện trở Rf tương ứng với điện trở khối vă tiếp xúc của diode, thường nhỏ hơn 50Ω. Khi được phđn cực thuận, diode lý tưởng lă một ngắn mạch, hay điện trở bằng 0. Điện trở mạch của diode thực tế khi phđn cực thuận được mơ hình hóa ở hình 2.20a, lă điện trở đầu cực của diode lý tưởng được ngắn mạch, hay:
f f r R R
R ≈
Ở trạng thâi phđn cực ngược, diode lý tưởng có điện trở lớn vơ cùng (mạch hở) cịn điện trở mạch của mơ hình thực tế lă Rr. Diode lý tưởng lă một phần của mơ hình ở hình 2.20a, phđn cực thuận khi điện âp đầu cực vượt quâ 0,7V.
Câc mơ hình mạch ac phức tạp hơn do hoạt động của diode phụ thuộc văo tần số. Mơ hình ac đơn giản cho diode phđn cực ngược như ở hình 2.20b. Tụ CJ tương ứng với điện dung của tiếp
giâp, xuất hiện do vùng nghỉo như một tụ điện. Hình 2.20c, lă mạch tương đương của diode phđn cực thuận. Mơ hình bao gồm hai tụ điện lă tụ khuyếch tân CD vă tụ tiếp giâp CJ. Điện dung khuyếch tân liín quan đến sự di chuyển của câc hạt tải điện dẫn đến trạng thâi có thể so với sự lưu trữ điện tích. Do vậy, hệ quả của sự khuyếch tân bao gồm câc ảnh hưởng của điện dung. Điện dung khuyếch tân CD sẽ gần bằng 0 khi diode phđn cực ngược. Điện trở động lă rd. Ở dêi tần số thấp câc ảnh hưởng của điện dung lă nhỏ vă chỉ có Rf lă phần tử đâng kể nhất.