Hình 2.18, lă câc đặc tuyến mơ tả ngun lý hoạt động của diode silicon vă germanium thông dụng trong thực tế, lăm việc ở nhiệt độ phòng.
Khi thang đo dòng được chọn phù hợp với dòng lăm việc lớn nhất, thì mỗi diode có một mức điện âp ngưỡng Vγ khi được phđn cực thuận, dưới mức điện âp ngưỡng đó dịng diode rất nhỏ, nhỏ hơn 1% giâ trị dòng định mức của diode. Điện âp ngưỡng năy cịn gọi lă điện âp dịch. Vì dịng IS của diode germanium lớn hơn nín điện âp dịch của diode germanium văo khoảng 0,2V - 0,3V, khi so sânh với điện âp dịch của diode silicon văo khoảng 0,6V - 0,7V. Trong nhiều ứng dụng thông thường, diode có thể được xem lă ngưng dẫn [OFF] tại câc giâ trị điện âp thấp hơn điện âp ngưỡng.
Khi điện âp thuận tăng dần khỏi mức 0, dòng điện sẽ không bắt đầu chảy ngay, mă lấy theo mức điện âp nhỏ nhất lă Vγ (0,2V hoặc 0,7V trong hình vẽ) để có được mức dịng có thể đo được. Khi điện âp vượt quâ Vγ , thì dịng tăng rất nhanh. Độ dốc của đặc tuyến lă lớn, nhưng không phải vô cùng như trường hợp với diode lý tưởng (Vγ xem như bằng 0).
Vậy mức điện âp nhỏ nhất cần thiết để có mức dịng có thể đo được Vγ văo khoảng 0,7V đối với diode bân dẫn silicon (tại nhiệt độ phòng), vă khoảng 0,2V đối với diode bân dẫn germanium. Khi diode được phđn cực ngược, sẽ có dịng điện rị nhỏ trong khoảng điện âp ngược thấp hơn so với điện âp cần để đânh thủng tiếp giâp. Dòng rò của diode germanium lớn hơn nhiều so với diode silicon hay diode gallium arsenide. Nếu mức điện âp đm trở nín đủ lớn ở vùng đânh thủng, thì một diode thơng thường có thể bị phâ hũy. Điện âp đânh thủng được quy định như
điện âp ngược đỉnh – PIV [peak inverse voltge] trong câc thông số kỹ thuật của nhă sản xuất.
Hư hỏng ở câc diode thông dụng tại mức điện âp đânh thủng lă do sự tăng nhanh của dòng điện tử chảy qua tiếp giâp dẫn đến q nhiệt ở diode. Mức dịng lớn có thể lăm hỏng diode nếu tích tụ
BIÍN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÂP PN & DIODE BÂN DẪN
nhiệt vượt quâ mức cho phĩp. Đânh thủng do nhiệt đôi khi cũng được xem như điện âp đânh thủng diode (VBR).