Trong phép đo này SMU1 đƣợc nối với điện cực common là điện cực nguồn của Si NW FET, các SMU còn lại đƣợc nối với các cực máng.
Phép kiểm tra đƣợc tiến hành cho FET sợi Si với kênh dẫn 1 sợi. Khảo sát sự thay đổi dòng điện Ids theo sự biến biên thiên của hiệu điện thế giữa cực máng và cực nguồn Vds thay đổi từ -200 mV đến 200 mV. Điện trở của transitor có kênh dẫn là một sợi Silic trung bình là 850 kΩ.
Đối với FET sợi Si kênh dẫn là 4 sợi Si, khảo sát sự thay đổi dòng điện điện Ids
theo sự biến biên thiên của hiệu điện thế giữa cực máng và cực nguồn Vds thay đổi từ - 1V đến 1V. Điện trở của transitor có kênh dẫn là bốn sợi Silic trung bình là 2 MΩ.
Hình 3.6: Đặc trưng I-V cảm biến FET sợi Sivới kênh dẫn là một sợi Si khi không có điện thế biasing (Vg= 0). Đặc trưng tuyến tính thu được thể hiện tiếp xúc Ohmic giữa sợi Si và đường dẫn kim loại Pt/Ti.
Hình 3.7: Đặc trưng I-V cảm biến Si NW FET với kênh dẫn là bốn sợi Si khi không có điện thế biasing (Vg= 0).
Đặc trƣng I-V của cảm biến transitor hiệu ứng trƣờng sợi Si thể hiện đặc tính truyền dẫn của transitor. Sự phụ thuộc của cƣờng độ dòng của sợi Silic ở ngõ ra phụ thuộc vào hiệu điện thế Vds đặt vào hai cực nguồn và cực máng của transitor. Sự phụ thuộc tuyến tính của Ids vào Vds và đối xứng qua gốc tọa độ ứng với giá trị Vds thay đổi trong khoảng -1 V – 1 V, chứng tỏ tiếp xúc giữa kim loại Ti/Pt làm điện cực với sợi Si là tiếp xúc thuần trở, ohmic.
Kết quả đó đồng thời cũng chứng tỏ phƣơng pháp chế tạo sợi Si của chúng ta không có nhiều sai hỏng, không có các bẫy điện tử tại lớp tiếp xúc, không có các electron định xứ, không có các tạp chất ở lớp tiếp xúc và các lớp tiếp xúc kim loại – bán dẫn có kết nối tốt ở cấp độ nguyên tử.