Trƣớc khi chức năng hóa bề mặt chip sợi Si tôi tiến hành thực hiện qui trình này lên wafer Si đƣợc sử dụng để tạo chip. Trong lúc thực hiện qui trình chức năng hóa bề mặt trên wafer Si, đƣa ra các thí nghiệm kiểm chứng, đánh giá hiệu quả của qui trình.
Sau khi gắn GPTS, thay vì ngâm wafer trong dung dịch kháng thể đơn dòng AFP, tôi sử dụng Fluorescein-Lens culinaris agglutinin (F-LCA) (LCA có gắn huỳnh quang) làm thụ thể để có thể quan sát bằng kính hiển vi huỳnh quang.
Thí nghiệm 1:
- Wafer SOI sẽ đƣợc cắt thành những mẫu nhỏ với kích thƣớc 1cm x 1cm. - Chuẩn bị bốn mẫu wafer Si.
- Làm sạch cả bốn mẫu với aceton và ethanol,tiếp tục ngâm trong piranha. Sau đó ngâm mẫu 1 trong dung dịch 2% GPTS trong 8 giờ; mẫu 2 trong dung dịch 2% GPTS trong 16 giờ; mẫu 3 trong dung dịch 2% GPTS trong 24 giờ; mẫu 4 không ngâm trong dung dịch 2% GPTS. Rửa lại bằng toluene.
- Ngâm cả bốn mẫu trong dung dịch thụ thể F-LCA. Rửa lại bằng 1X PBS (pH 7.4).
- Quan sát bốn mẫu bằng kính hiển vi huỳnh quang.
- Sau khi quan sát các mẫu thử, đem bốn mẫu đi đánh siêu âm trong 3 phút rồi lại tiếp tục quan sát bằng kính hiển vi huỳnh quang.
Thí nghiệm 2:
- Chuẩn bị ba mẫu wafer.
- Làm sạch mẫu bằng aceton và ethanol, ngâm trong dung dịch piranha. Sau đó ngâm cả hai mẫu trong dung dịch 2% GPTS trong 16 giờ. Rửa lại bằng toluene. - Sau đó lấy cả ba mẫu đi nung nhiệt.
- Đem mẫu 1 đi chiếu UV trong 15 phút; mẫu 2 trong 30 phút; mẫu 3 không chiếu UV.
- Ngâm trong dung dịch thụ thể F-LCA. Rửa lại bằng 1X PBS (pH 7.4). - Quan sát hai mẫu bằng kính hiển vi huỳnh quang.
- Sau khi quan sát các mẫu thử, đem hai mẫu đi đánh siêu âm trong 3 phút rồi lại tiếp tục quan sát bằng kính hiển vi huỳnh quang.
Thí nghiệm 3:
- Chuẩn bị ba mẫu wafer.
- Làm sạch mẫu bằng aceton và ethanol, ngâm trong dung dịch piranha. Sau đó ngâm cả hai mẫu trong dung dịch 2% GPTS trong 16 giờ. Rửa lại bằng toluene. - Sau đó lấy ba mẫu đi nung nhiệt và chiếu UV trong 15 phút.
- Ngâm trong dung dịch thụ thể F-LCA mẫu 1 trong 1 giờ, mẫu 2 trong 3 giờ, mẫu 3 trong 5 giờ. Rửa lại bằng 1X PBS (pH 7.4).
- Quan sát hai mẫu bằng kính hiển vi huỳnh quang.
- Sau khi quan sát các mẫu thử, đem hai mẫu đi đánh siêu âm trong 3 phút rồi lại tiếp tục quan sát bằng kính hiển vi huỳnh quang.
Sau khi hoàn tất 3 thí nghiệm trên, tìm ra điều kiện tối ƣu cho từng bƣớc hoạt hóa bề mặt. Dựa vào những thông số tối ƣu đó, chúng tôi bắt đầu thực hiện qui trình lên chip. Sau bƣớc làm sạch chip, một giếng tròn epoxy đƣợc gắn lên bề mặt bao quanh vùng làm việc của chip. Các bƣớc tiếp theo trong qui trình sẽ đƣợc thực hiện
trong phạm vi bên trong của giếng epoxy nhằm tránh để dung dịch loan đến vị trí các điện cực sẽ ảnh hƣởng đến kết quả đo.
Hình 2.25: Chip sau khi làm sạch được gắn một vòngepoxy bao quanh vùng làm việc.
CHƢƠNG III: KHẢO SÁT VỀ KÍCH THƢỚC VÀ TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA SỢI SILIC