CHƢƠNG 2: TÌM HIỂU CÔNG NGHỆ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN HIỆN ĐẠ
2.3.4. Mô hình Triggered Spark Gap
Triggered Spark Gap là mô hình tiên tiến hơn so với với mô hình Spark Gap truyền thống, yêu cầu cơ bản đặt ra khi xây dựng mô hình là cấp điện áp bảo vệ < 1,5kV, đối với nguồn xung sét có biên độ lớn (20kA) điện áp phóng điện khe hở < 2kV.
Khoảng cách khe hở của TSG được xem là cố định, không thay đổi so với SG. Khi có tính hiệu nguồn xung đưa vô mô hình, điện áp mồi sẽ được kích hoạt và nhờ sự khuếch đại biên độ, vì vậy sự phóng điện của mô hình TSG sẽ xảy ra sớm hơn và cấp bảo vệ cũng thấp hơn so với mô hình SG. Sơ đồ khối của Triggered Spark Gap có điện trở phi tuyến được đề nghị như Hình 2.36
Khối điều khiển được xây dựng giống như trong mô hình Spark Gap.
Hình 2.37. Sơ đồ khối điều khiển
Cấu tạo của khối điện trở khe hở không khí được xây dựng dựa trên ý tưởng từ mô hình điện trở phi tuyến của IEEE.
Hình 2.38. Sơ đồ cấu tạo của khối điện trở phi tuyến
Sơ đồ mô hình Triggered Spark Gap với điện trở phi tuyến đã được xây dựng xong, kết nối mô hình vào sơ đồ mạch để thực hiện mô phỏng.
Mô phỏng mô hình Triggered Spark Gap
Hình 2.39. Sơ đồ mạch mô phỏng đáp ứng của chống sét TSG
Khai báo các thông số yêu cầu của mô hình TSG nhƣ Hình 2.40.
Thực hiên mô phỏng cho chống sét loại 1 130-2S_ERICO với xung dòng 8/20µs 3kA, thu được kết quả như Hình 2.41.
Hình 2.41.Đáp ứng của mô hình TSG với xung dòng 8/20µs 3kA
Kết luận : Đáp ứng của khe hở: Umax = 1260V < Up (1500).
Thực hiện mô phỏng cho chống sét loại1130-2S_ERICO với xung dòng 8/20µs 5kA, thu được kết quả như Hình 2.42
Hình 2.42. Đáp ứng của mô hình TSG với xung dòng 8/20µs 5kA
Kết luận: Đáp ứng của khe hở: Umax = 1335V < Up (1500V).
Thực hiện mô phỏng cho chống sét loại 1130-2S_ERICO với xung dòng 8/20µs 20kA, thu được kết quả như Hình 2.43.
Hình 2.43. Đáp ứng của mô hình TSG với biên độ xung 20kA
Tiếp tục thử nghiệm cho chống sét của hãng SCHITEC loại S-100, Up < 2kA, t < 100ns.
Thực hiện mô phỏng với xung dòng 10/350µs 3kA, thu được kết quả như Hình 2.44.
Hình 2.44. đáp ứng của mô hình TSG với xung dòng 10/3350µs 3kA
Kết luận: Đáp ứng của khe hở: Umax = 1500V < Up.
Thực hiện mô phỏng với xung dòng 10/350µs 3kA, thu được kết quả như Hình 2.45
Hình 2.45. Đáp ứng của mô hình TSG với xung 10/350µs 10kA
Nhận xét:
Đáp ứng của mô hình đạt yêu cầu bảo vệ và đạt độ rộng của xung áp đặt trên khe hở thay đổi tùy thuộc vào công suất của nguồn xung sét.