chương 3 transistor lưỡng cực bjt

... BB VCC R B ; R BB R B1 R B IB V BB V BE ; IC R BB (1 )RE R BB R B1 // R B 32 k // 6.8k V BB VCC R B R B1 R B 15 * 6,8 32 6,8 IB V BB R BB IC IB VCE VCC V BE (1 ) RE R B1 // R B I B ; VCE VCC I...

Ngày tải lên: 23/10/2013, 11:15

Ngày tải lên: 04/04/2014, 22:48

Ngày tải lên: 27/06/2014, 16:20

... Thư Cao Chương Transistor lưỡng cực BJT (Bipole transistor) Kiểm tra transistor BJT Hình 09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao Chương Transistor lưỡng cực BJT (Bipole transistor) Phân cực cho BJT 5.000V ... Chương Transistor lưỡng cực BJT (Bipole transistor) Cấu tạo BJT Hình 09/2007 Người soạn: Bùi Thư Cao Chương Transistor lưỡng cực BJT (Bipole transistor) Hình Hình Chiều ... (Package) Chương Transistor lưỡng cực BJT (Bipole transistor) Các thông số BJT • β hệ số khuếch đại BJT • ICmax dòng Collector lớn • PCmax công suất cực đại BJT • fT tần số giới hạn BJT • Cb’c...

Ngày tải lên: 04/10/2013, 17:37

... vào cực B tín hiệu lấy cực C, cực E có tụ phân dòng CE xuống mass nên cực E tín hiệu xoay chiều gọi cực chung Mạch gọi mạch khuếch đại ráp kiểu E chung, tương tự Transistor có ráp theo kiểu cực ... cặp chân đo hai lần cách đổi hai que đo ohm kế Transistor Ge Transistor Si Cặp chân BE BC CE Thuận Ngược Vài kΩ Vô cực Ω Vài kΩ Vô cực Ω Vô cực Ω Vô cực Ω Thuận Ngược Vài trăm Ω Vài trăm Ω Vài trăm ... BVCEO = 30 V , BVCEO = 30 V, BVCEO = 6V, PDmax = 200mW fcut-off = 230 MHz , I-Cmax = 100mA, loại NPN chất Si Chú Ý: Xét transistor PNP Trong phần nói nguyên lý vận chuyển transistor ta biết transistor...

Ngày tải lên: 27/01/2014, 15:20

Ngày tải lên: 18/06/2014, 11:20

Ngày tải lên: 05/07/2014, 11:20

Ngày tải lên: 07/07/2014, 12:58

Ngày tải lên: 28/07/2014, 09:21

Ngày tải lên: 11/06/2014, 08:43

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

... phân cực cố định (hình 3. 20), mạch phân cực tự động (hình 3. 21) mạch phân cực cầu chia điện (hình 3. 22) Mạch tương đương xoay chiều vẽ hình 3. 23 Trương Văn Tám III-10 Mạch Điện Tử Chương 3: Mạch ... đặc tuyến truyền điểm điều hành Q 3. 3.2 Phân cực cầu chia điện thế: Mạch thông dụng có dạng hình 3. 13 Trương Văn Tám III-6 Mạch Điện Tử Chương 3: Mạch phân cực khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET ... định IDQ VGSQ Trương Văn Tám III-5 (3. 11) Mạch Điện Tử Chương 3: Mạch phân cực khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET 3. 3 MẠCH PHÂN CỰC E-MOSFET: Do E-MOSFET phân cực theo kiểu tăng (VGS >0 kênh N VGS...

Ngày tải lên: 10/10/2012, 15:51

... BB VCC R B ; R BB R B1 R B IB V BB V BE ; IC R BB (1 )RE R BB R B1 // R B 32 k // 6.8k V BB VCC R B R B1 R B 15 * 6,8 32 6,8 IB V BB R BB IC IB VCE VCC V BE (1 ) RE R B1 // R B I B ; VCE VCC I...

Ngày tải lên: 17/10/2013, 13:15

... liệu LINQ to SQL giống LINQ to SQL, LINQ to SQL, tất tính khác mà nói đến loạt đượccoi phần NET 3. 5 Visual Studio “Orcas” (nay Visual Studio 2008) Bạn làm theo tất bước cách tải Visual Studio ... thực thể bạn có tên khác với tên CSDL, bạn cần cập nhật lại quy tắc ánh xạ mà không cần cập nhật chương trình lệnh truy vấn để dùng tên Khi thành phần bên CSDL đặt tên không rõ ràng Ví dụ: thay...

Ngày tải lên: 08/12/2013, 08:16

... dùng tiết kiệm (1) Thu nhập quốc dân ($bn) ($bn) (2) Tiêu dùng ($bn) (3) Tiết kiệm ($bn) 100 200 30 0 400 500 600 120 180 240 30 0 36 0 420 480 -120 -80 -40 40 80 120 (4) APC (C/Y) (5) (6) MPC APS (C/Y ... E2 y2 y* y1 Output, y 8/ 23/ 2009 Tiêu dùng thu nhập Liên hiệp Anh theo giá cố định năm 1995, 1989-1998 Household consumtpion expend diture (£bn.) 500 475 450 425 400 37 5 35 0 400 425 450 475 500 ... Tiêu dùng theo kế hoạch (C) (tỷ đô-la) Thu nhập quốc dân (Y) (tỷ đôla) 120 180 240 30 0 36 0 420 480 540 600 100 200 30 0 400 500 600 700 800 Chi tiêu Tiết kiệm Đầu tư kế hoạch kế hoạch kế hoạch (E...

Ngày tải lên: 13/12/2013, 04:15

... tập chương 2: CẤU TRÚC MẠCH VI ĐIỆN TỬ Bài tập phần transistor lưỡng cực Cho transistor lưỡng cực sử dụng mạch tích hợp có thông số sau: NdE = 2.1019 cm -3; NaB = 5.1017 cm -3 NdC = 3. 1015 cm -3 Chiều ... collector IC = 1mA kT/q = 0,026V 10 Cho transistor lưỡng cực sử dụng mạch tích hợp có thông số sau: NdE = 2.1019 cm -3; NaB = 5.1017 cm -3 NdC = 5.1014 cm -3 Chiều rộng vùng emitter xE = 0,8 µm, ... cm2/V.s 11 Transistor pnp có nồng độ trung bình vùng E, B C 1019 cm -3, 1017 cm -3 1015 cm -3 Hãy vẽ giản đồ lượng transistor chế độ làm việc bình thường Tính giá trị Fermi ba miền E, B C 12 Một transistor...

Ngày tải lên: 13/12/2013, 17:11

... Năng lượng: hγ + mo c = hγ ′ + mc (3. 23)   hγ hγ ′  = + mv Động lượng: (3. 24) c c Bình phương hai phương trình, lấy phương trình (3. 23) trừ phương trình (3. 24) m0 m= ý: v2 1− c Ta được: m o ... điện trường hãm hai điện cực đến anod: gọi vmax vận tốc ban đầu cực đại quang electron ta có: mv max = eU max (3. 17) F K A i Φ2 Φ1 ibh V c A R Uh Ubh u E Hình 3. 5 Hình 3. 6 Khi tăng U theo chiều ... dựa vào công thức Einstein hγ = A + mv max (3. 21) 3. 4 .3 Ứng dụng Hiện tượng quang điện ứng dụng để chế tạo tế bào quang điện, ống nhân quang điện 3. 4 .3. 1 Tế bào quang điện: Bóng thủy tinh hay thạch...

Ngày tải lên: 23/12/2013, 07:20

... mạch: R3 R5 27k 33 0R C2 R1 R4 C3 C6 470u 27k 15k 220u 2200u BAT1 15V Q2 2N39 03 C1 Q1 Q4 BC109 2N3906 10u D1 1N4148 R9 D2 1R 1N4148 R6 C5 1R R10 2200u 1R RV2 R2 100k 470R R7 LS1 1k Q3 2N39 03 R8 ... LÝ THUYẾT I.1 Cấu tạo transistor lưỡng cực( BJT) BJT tổ hợp gồm chuyển tiếp PN đặt cách khoảng W nhỏ nhiều so với chiều dài khuyếch tán (L) hạt dẫn Transistor có cực: - cực phát(Emitor): miền ... cho Q3, Q4 - Q3, Q4 : Cặp BJT công suất mắc theo kiểu “đẩy kéo nối tiếp“ Hai BJT thay đóng/mở nửa chu kỳ tín hiệu đặt vào Q3 dùng PNP, Q4 dùng NPN phải có thông số tương đương Kiểu mắc Q2, Q3,...

Ngày tải lên: 01/01/2014, 12:19