Nghiên cứu một số cơ chế tán xạ ảnh hưởng đến thời gian sống vận chuyển và thời gian sống lượng tử trong các hệ hai chiều

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN  Trần Thị Hải NGHIÊN CỨU MỘT SỐ CƠ CHẾ TÁN XẠ ẢNH HƯỞNG ĐẾN THỜI GIAN SỐNG VẬN CHUYỂN VÀ THỜI GIAN SỐNG LƯỢNG TỬ TRONG CÁC HỆ HAI CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội – Năm 2010 Mnc lnc Lài cam đoan Lài cam ơn Mnc lnc Danh mnc ký hi¾u chE viet tat Danh mnc hình ve, đo th% Me ĐAU 10 CÁC CƠ CHE TÁN XA CƠ BAN ANH HƯeNG ĐEN THèI GIAN HOI PHUC CUA HAT TAI 1.1 Các khái ni¾m ban đau 19 1.1.1 Các cơng thúc tính thịi gian hoi phuc 20 1.1.2 Lý thuyet v¾n chuyen tuyen tính 26 1.1.3 Hi¾u úng chan 35 1.2 Các che tán xa 38 1.2.1 đ nhỏm be mắt (SR) 38 19 1.2.2 The bien dang khóp sai (DP) .44 1.2.3 Khơng tr¾t tn hop bán dan (AD) 53 1.2.4 Tap chat b% ion hóa (RI) 57 HIfiN TƯeNG V¾N CHUYEN CUA HAT TAI TRONG GIENG LƯeNG TU PHA TAP M®T PHÍA 2.1 Gieng lưong tu vng góc 65 2.1.1 Mơ hình vùng phang 65 2.1.2 Mơ hình gieng lưong tu pha tap mđt phớa Hiắu ỳng uon cong vựng 68 2.1.3 Hàm sóng bien phân The Hartree cho trưịng hop pha tap m®t phía 71 2.1.4 Các che tán xa ban gieng lưong tu pha tap m®t phía 75 2.1.5 Anh hưong cna hi¾u úng uon cong vùng lên đ® linh đ®ng cna hat tai gieng lưong tu pha tap m®t phía 82 2.2 Ket qua tính tốn thịi gian song đ® linh đ®ng cna hat tai mơ hình pha tap m®t phía 90 65 HIfiN TƯeNG V¾N CHUYEN CUA HAT TAI TRONG GIENG LƯeNG TU PHA TAP ĐOI XÚNG HAI PHÍA 96 3.1 Mơ hình gieng lưong tu pha tap đoi xúng hai phía 97 3.1.1 Hàm sóng bien phân The Hartree cho trưòng hop pha tap đoi xúng 99 3.1.2 Thịi gian song v¾n chuyen cna hat tai o nhiắt đ thap 104 3.1.3 Các che tán xa ban gieng lưong tu pha tap đoi xúng hai phía 105 3.2 Anh hưong cna hi¾u úng uon cong vùng tù sn pha tap cHQN LQc hai phía lên tính chat đi¾n gieng lưong tu109 3.2.1 Sn phân bo hat tai gieng lưong tu pha tap đoi xúng hai phía 109 3.2.2 Thùa so dang chan 113 3.2.3 Kha nâng cao đ® linh đ®ng cna hat tai bang pha tap đoi xúng .114 3.2.4 Đ® linh đ®ng phu thu®c vào be r®ng gieng lưong tu.115 3.2.5 Đ® linh đ®ng phu thu®c vào nong đ® hat tai .118 3.2.6 Đ® linh đ®ng phu thu®c vào đ® dài tương quan 119 XÁC бNH đC LắP CC THAM SO BE MắT V 123 4.1 Vai trò cna Λ ∆ lý thuyet thnc nghi¾m 123 4.2 Nhung khó khăn cna lý thuyet có trưóc ve vi¾c xác %nh v mđt cỏch đc lắp 125 4.3 Thòi gian hoi phuc cna hat tai phu thu®c vào đ® dài tương quan dưói anh hưong cna che tán xa .126 4.4 Phng phỏp xỏc %nh đc lắp ∆ 128 KET LU¾N 133 DANH MUC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HOC 135 TÀI LIfiU THAM KHAO 137 PHU LUC 149 Danh mnc ký hiắu v chE viet tat SR := đ nhỏm be m¾t DP := The bien dang khóp sai RI := Tap b% ion hóa AP := Phonon âm AD := Khơng tr¾t tn hop kim bán dan QW s := Gieng lưong tu τ := Thòi gian hoi phuc cna hat tai τt := Thịi gian song v¾n chuyen q := Thũi gian song long tu := đ linh đng cna hat tai := đ dan iắn L := Be r®ng gieng lưong tu ps := Nong đ hat tai m := Khoi long hiắu dung cna hat tai Q := Hắ so nõng cao đ linh đ®ng cna hat tai ζ := Hàm sóng bao EF := Năng lưong Fermi kF := So sóng Fermi 1S := Pha tap m®t phía 2S := Pha tap hai phía ACF := Hàm tn tương quan Danh mnc hình ve, đo th% Hình 1.1 Moi liên h¾ giua ψ(E) ψ(t) 23 Hình 1.2 Sn thay đői dang cna ma tr¾n ngoai chéo 47 Hình 2.1 Mơ hình lý tưong hóa gieng the hình chu nh¾t 66 Hình 2.2 H¾ gieng lưong tu vng góc 67 Hình 2.3 Mơ hình gieng lưong tu pha tap m®t phía 69 Hình 2.4(a) Tham so bien phân c phu thu®c vào nong đ® hat tai ps 84 Hình 2.4(b) Tham so bien phân c phu thu®c vào be r®ng gieng lưong L 84 Hình 2.5(a) Hàm sóng bao ζ phu thu®c vào nong đ® hat tai ps 85 Hình 2.5(b) Hàm sóng bao ζ phu thu®c vào be r®ng gieng lưong tu L 85 Hình 2.6(a) Thùa so dang chan Fs phu thu®c vào be r®ng gieng lưong tu L 88 Hình 2.6(b) Thùa so dang chan Fs phu thu®c vào nong đ® hat tai ps 89 Đ® linh đ®ng tőng c®ng hai mơ hình flat-band bent-band 90 Hỡnh 2.8(a) Ti so àflat/àbent phu thuđc vo ps 91 Hỡnh 2.8(b) Ti so àflat/àbent phu thuđc vo L 91 Hình 2.7 Hình 2.9 Đ® linh đ®ng gây boi che tán xa đ® linh đ®ng tőng c®ng gieng lưong tu Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 pha tap đieu bien bat đoi xúng Hình 2.10 92 Ti so giua thịi gian song v¾n chuyen thịi gian song lưong tu phu thu®c vào nong đ® hat tai ps 93 Hình 2.11 Đ® linh đ®ng tőng c®ng so sánh vói so liắu thnc nghiắm [68] 94 Hỡnh 2.12 đ linh đng tng cđng so sỏnh vúi so liắu thnc nghiắm [36] 94 Hình 3.1 H¾ gieng lưong tu vng góc pha tap đoi xúng hai phía 100 Hình 3.2(a) Hình 3.2(b) Hình 3.3 Tham so uon cong vùng c phu thu®c vào be r®ng gieng lưong tu L vói giá tr% khác cna nong đ® hat tai ps = 1011, 1012cm−2 Tham so uon cong vùng c phu thu®c vào nong đ® hat tai ps vói giá tr% khác cna be r®ng gieng lưong tu L = 75, 150˚A Hàm sóng ζ(z) gieng lưong tu pha tap đoi xúng hai bên vói giá tr% khác cna nong đ® hat tai ps Hình 3.4 The Hartree gieng lưong tu pha tap đoi xúng hai bên Hình 3.5 Hàm sóng ζ(z) mơ hình gieng lưong tu: pha tap m®t phía (đưịng đút nét), pha tap đoi xúng hai phía (đưịng lien nét) 110 110 111 112 112 Hình 3.6(a) Thùa so dang chan ca ba mơ hình: flat-band (đưịng cham), pha tap m®t phía (đưịng đút nét), pha tap đoi xúng hai phía (đưịng lien nét) vói giá tr% khác cna be r®ng gieng lưong tu L Hình 3.6(b) 113 Thùa so dang chan ca ba mơ hình: flat-band (đưịng cham), pha tap m®t phía (đưịng đút nét), pha tap đoi xúng hai phía (đưịng lien nét) 114 Hình 3.7 vói giá tr% khác cna nong đ hat tai ps Hắ so nõng cao đ linh đ®ng Q phu thu®c L Hình 3.8 Đ® linh đ®ng tőng c®ng cna hat tai phu thu®c L 116 Hình 3.9 So sánh đ® linh đ®ng tőng c®ng cna hat tai vói thnc nghi¾m [72] 117 Hình 3.10 So sánh đ® linh đ®ng tőng c®ng cna hat tai vói thnc nghiắm [83] 117 Hỡnh 3.11 Hắ so nõng cao đ linh đ®ng Q phu thu®c nong đ® hat tai 118 Hỡnh 3.12 Hắ so nõng cao đ linh đng Q phu thu®c vào đ® dài tưong quan Λ vói giá tr% khác cna L 119 H¾ so nâng cao đ® linh đ®ng Q phu thu®c vào đ® dài tưong quan Λ vói giá tr% khác cna ps 120 Hình 3.13 Hình 3.14 H¾ so nâng cao đ® linh đơng Q gieng lưong tu Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 pha tap đieu bien đoi xúng, phu thu®c vào đ® dài tương quan Λ Các tham so thnc nghi¾m lay [35] [36] 115 120 Hình 4.1 Mơ hình đ® nhám be m¾t Hình 4.2 Ti so thịi gian song vắn chuyen phu thuđc vo đ di tng quan 129 Hình 4.3 Λ mơ hình gieng lưong tu GaSb/InAs/GaSb Ti so thũi gian song vắn chuyen phu thuđc vào đ® dài tương quan Λ mơ hình gieng lưong tu AlAs/GaAs/AlAs 130 Hình 4.4 125 Ti so thịi gian song v¾n chuyen thịi gian song lưong tu đoi vói khí lo hai chieu gieng lưong tu Si0.33Ge0.67/Ge/Si0.33Ge0.67 phu thu®c đ® dài tương quan Λ 131 Me ĐAU Lý cHQN đe tài Năm 1957 Schrieffer [75] đưa nh¾n đ%nh rang: iắn tu b% giam hóm mđt gieng the hep o lóp đao cna m®t chat bán dan se có úng xu khơng giong khí cő đien Đe đơn gian xét h¾ đi¾n tu gieng the vng góc sâu vơ han có hai thành gieng vng góc vói truc z Vói gieng đn hep, chuyen đ®ng theo phương z b% long tu húa Chuyen đng cna hắ iắn tu tro thnh: chuyen đng tn mắt phang (x, y) b% lưong tu hóa theo phương z, có the nói chuyen đ®ng b% “đóng băng” theo phương Chúng ta có h¾ chuan chieu (Quasi-two dimensional system) H¾ thúc tán sac có dang k2 2 E = En + (kx + ky ), 2m o kx ky thành phan véctơ sóng chuyen đ®ng song song vói tiep biên, cịn En múc lưong xuat hi¾n đi¾n tu b% giam hãm gieng hep [4] Phő lưong cna đi¾n tu tro nên gián đoan DQ c theo cỏc húng TQA đ b% giúi han, ú l ắc trưng chung cna hat dan cau trúc h¾ thap chieu Đieu cho thay h¾ có cau trúc nano thap chieu quy lu¾t lưong tu bat đau có hi¾u lnc, trưóc het thơng qua bien đői đ¾c trưng phő lưong Cơng trình thnc nghi¾m tiên phong cna Esaki Tsu (1970) ve gieng lưong tu khoi đau cho m®t hưóng mói cna v¾t lý nghiên cúu tính chat cna h¾ đi¾n tu hai chieu Các nghiên cúu đóng vai trị quan TRQNG vi¾c hình thành phát trien cna v¾t lý cơng ngh¾ cau trúc nano Thịi gian gan vi¾c tìm kiem nghiên cúu v¾t li¾u cho linh ki¾n đi¾n tu ngày m®t nho ve kích [5] Bastard G (1988), Wave Mechanics Applied to Semiconductor Hererostructures, Les Editions de Physique, Paris [6] Balsley I (1966), “Influence of Uniaxial Stress on the Indirect Ab- sorption Edge in Si and Ge", Phys Rev Vol 143, 636 [7] Balkan N., Gupta R., Cankurtaran M., C¸ elik H., Bayrakli A., Tiras E and Arikan M C (1997), “Well-width dependence of interface roughness scattering in GaAs/Ga1−xAlxAs quantum wells", Superlattices Microstruct Vol 22 (9), pp 263-271 Bir G L and Pikus G E [8] (1974), Symmetry and Strain Induced Effects in Semiconductors, Wiley, New York [9] Belford R E., Guo B P., Xu Q., Sood S., Thrift A A., Teren A., Acosta A., Bosworth L A and Zell J S (2006), “Strain enhanced p-type metal oxide semiconductor field effect transistors", J Appl Phys Vol 100, 064903 [10] Căelik H., Cankurtaran M., Bayrakli A., Tiras E and Balkan N (1997), “Well-width dependence of the in-plane effective mass and quantum lifetime of electrons in multiple quantum wells", Semicon Sci Technol Vol 12, 389-395 [11] Campman K L., Schmidt H., Imamoglu A and Gossard A C (1996), “Interface roughness and alloy-disorder scattering contribu- tions to intersubband transition linewidths", Appl Phys Lett Vol 69, 2554 [12] Cankurtaran M., C¸ elik H., Tiras E., Bayrakli A and Balkan N interface roughness scattering in GaAs/Ga Al xAs multiple quan- (1998), of1−x warm electron relaxation and tum“Well-width wells", Phys.dependence Status Solidi B Vol 207, 139 field[13]Coleridge transport in39, GaAs/Ga heterostructures", 1−xAlxAsR P T., Stoner R and Fletcher (1989), “LowPhys Statuscoefficients Solidi B Vol 1120 [14] Das Sarma S and Stern F (1985), “Single-particle relaxation time versus scattering time in an impure electron gas", Physics Review B Vol 32(12), pp 8442-8444 [15] Dulub O., Diebold U and Kresse G (2003), “Competing stabiliza- tion mechanism for the polar ZnO(0001)-Zn surface", Physics Re- view B Vol 68, 245409 [16] Dingle R., Stormer H L., Gossard A C and Wiegmann W (1978), “Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices", Appl Phys Lett Vol 33, 665 [17] Dziekan T., Zahn P., Meded V and Mirbt S (2007), “Theoretical calculations of mobility enhancement in strained silicon", Physics Review B Vol 75, pp 195213-195220 [18] Datta (1995), Electronic transport in mesoscopic systems, Cam- bridge University Press [19]S Emeleus C J.,Whall T E., Smith D W., Kubirak R A., Parker E H C., Kearney M J (1993), “Scattering mechanisms affecting hole transport in remote-doped Si/SiGe heterostructures", J Appl Phys Vol 73, 3852 [20] Enderlein R and Horing N J M (1997), Fundamentals of Semi- conductor Physics and Devices, World Scientific, Singapore [21] Elhamri S., Saxler A., Mitchel W.C., Elsass C R., Smorchkova I P., Heying B., Haus E., Fini P., Ibbetson J P., Keller S., Petroff P M., DenBaars S P., Mishra U K., Speck J S (2000), “Persistent photoconductivity study in a high mobility AlGaN/GaN heterostructure", J Appl Phys Vol 88, 11 [22] Fischetti M V and Gamiz S E (1996), “Band structure, defor- mation potentials, and carrier mobility in strained Si, Ge, and SiGe alloys", J Appl Phys Vol 80, 2234 [23] Fischetti M V., Gamiz F., and Hăansch W (2002), On the en- hanced electron mobility in strained-silicon inversion layers", J Appl Phys Vol 92, 7320 [24] Feenstra R M and Lutz M A (1995), “Scattering from strain vari- ations in high-mobility Si/ SiGe heterostructures", J Appl Phys Vol 78, 6091 [25] Feenstra R M and Lutz M A., Stern F., Ismail K., Mooney P M., LeGoues F K., Stanis C., Chu J O and Meyerson B S (1995), “Scattering from strain variations in high-mobility Si/ SiGe heterostructures", J Vac Sci Technol B Vol 13, 1608 [26] Gold A (1987), “Electronic transport properties of two-dimensional electron gas in a silicon quantum-well structure at low temperature", Phys Rev B 35, 723 [27] Gold A (2008), “Interface-roughness parameters in InAs quantum wells determined from mobility", J Appl Phys 103, 043718 [28] Gold A (1988), “Scattering time and single-particle relaxation time in a disordered two-dimensional electron gas ", Phys Rev B 38, 10798 [29] Gerl C., Schmult S., Tranitz H.-P., Mitzkus C and Wegscheider W (2005), “Carbon-doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 106 cm2/Vs", Appl Phys Lett Vol 86, 252105 [30] Gerl C., Schmult S., Wurstbauer U., Tranitz H.-P., Mitzkus C and Wegscheider W (2006), “Carbon-doped high-mobility hole gases on (001) and (110) GaAs", Physica E Vol 32, 258 [31] Gámiz F., Rold an J B., Godoy A and Cartujo - Cassinello P (2003), “Electron mobility in double gate silicon on insulator transistors: Symmetric-gate versus asymmetric-gate configuration", J Appl Phys Vol 94, 5732 [32] Goodnick S M., Ferry D K., Wilmsen C W., Liliental Z., Fathy SiO interface", Rev B.roughness Vol at32, 8171 D Krivanek O L.Phys (1985), “Surface the Si(100) − and [33] Harris J J., Lee K J., Wang T., Sakai S., Bougrioua Z., Moerman I., Thrush E J., Webb J B., Tang H., Martin T., Maude D K and Portal J-C (2001), “Relationship between classical and quantum lifetimes in AlGaN/GaN heterostructures", Semicond Sci Technol Vol 16, 402 [34] Hsu and Walukiewicz (2002), “Transport-to-quantum lifetime ratios in AlGaN/GaN heterostructures”,Appl Phys Lett 80, 2508 [35] Irisawa T., Myronov M., Parker E H C., Nakagawa K., Murata M., Koh S and Shiraki Y (2003), “Hole density dependence of effective mass, mobility and transport time in strained Ge channel modulation-doped heterostructures”, Appl Phys Lett 82, 1425 [36] Irisawa T., H Miura, Ueno T., and Shiraki Y (2001), “Channel Width Dependence of Mobility in Ge Channel Modulation-Doped Structures”, Jpn J Appl Phys 40, 2694 [37] Jonson M (1976), “Electron correlations in inversion layers”, J Phys C 9, 3055 in strained-layer GeChi J Appl Phys 75, “Infrared 0812 xSi1−x [38]Kahan A., M./Si”, and Friedman L (1994), transitions [39] Laikhtman B and Kiehl R A (1993), “Theoretical hole mobility in a narrow Si/SiGe quantum well”, Phys Rev B 47, 10515 [40] Leitz C W., Currie M T., Lee M L., Cheng Z.-Y., Antoniadis D A., and Fitzgerald E A (2001), “Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors”, J Appl Phys 92, 3745 [41] Luhman D R., Tsui D C., Pfeiffer L N and West K W (2007), “Electronic transport studies of a systematic series of GaAs/AlGaAs quantum wells”, Appl Phys Lett 91, 072104 [42] Lorenzini P., Bougrioua Z., Tiberj A., Tauk R., Azize M., Sakow- icz M., Karpierz K and Knap W (2005), “Quantum and trans- port lifetimes of two-dimensional electrons gas in AlGaN/GaN het- erostructures”, Appl Phys Lett 87, 232107 [43] Lee M L., Leitz C W., Cheng Z., Pitera A J., Langdo T., Currie M T., Taraschi G., Fitzgerald E A., and Antoniadis D A (2001), transistors grown on p-type Si1˘xGe Phys x/Si virtual substrates”, Appl “Strained Ge channel metal–oxide–semiconductor field-effect Lett 79, 3344 [44] Lander R J P., Kearney M J., Horrell A I., Parker E H C., Phillips P J and Whall T E (1997), “On the low-temperature mobility of holes in gated oxide Si/SiGe heterostructures ”, Semicond Sci Technol 12, 1064 [45] Monroe D., Xie Y H., Fitzgerald E A., Silverman P J and Watson G P (1993), “Comparison of Mobility-limiting Mechanisms in High-mobility Si1-x Gex heterostructures”, J Vac Sci Technol B 11, 1731 [46] Maeda N., Saitoh T., Tsubaki K., Nishida T and Kobayashi N (2000), “Enhanced effect of polarization on electron transport properties in AlGaN/GaN double-heterostructure field-effect transistors”, Appl Phys Lett 76(21), pp 3118-3120 [47] Morris R J H., Grasby T J., Hammond R., Myronov M., Mironov O A., Leadley D R., Whall T E., Parker E H C., Currie M T., Leitz C W andFitzgerald E A (2004), “High con- ductance Ge p-channel heterostructures realized by hybrid epitaxial growth”, Semicond Sci Technol 19, L106 [48] Matsumoto Y and Uemura Y (1974), Jpn J Appl Phys.Suppl 2, pp 367-370 [49] Manfra M J., Pfeiffer L N., West K W., Stormer H L., Bald- win K W., Hsu J W P., Lang D V., and Molnar R J (2000), “High-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by molecularbeam epitaxy on GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy”, Appl Phys Lett 77, 2888 [50] Manfra M J., Pfeiffer L N., West K W., Picciotto R de, Bald- win.K W (2005), “High mobility two-dimensional hole system in GaAs/AlGaAs quantum wells grown on (100) GaAs substrates”, Appl Phys Lett 86, 162106 [51] Manfra M J., Simon S H., Baldwin K W., Sergent A M., West K W., Molnar R J and Caissie J (2004), “Quantum and transport lifetimes in a tunable low-density AlGaN/GaN twodimensional electron gas”, Appl Phys Lett 85, 5278 [52] Myronov M., Sawano K., and Shiraki Y (2006), “Enhancement of hole mobility and carrier density in Ge quantum well of SiGe het- erostructure via implementation of double-side modulation doping”, Appl Phys Lett 88, 252115 [53] Myronov M., Irisawa T., Koh S., Mironov O A., Whall T E., Parker E H C and Shiraki Y (2005), “Temperature dependence of transport properties of high mobility holes in Ge quantum wells”, Appl Phys Lett 97, 083701 [54] Nag B R., Mukhopadhyay S and Das M (1999), “Interface roughness scattering-limited electron mobility in AlAs/GaAs and Ga0.5In0.5P/GaAs wells”, Appl Phys Lett 86, 459 [55] Noda T., Tanaka M., and Sakaki H (1990), “Correlation length of interface roughness and its enhancement in molecular beam epi- taxy grown GaAs/AlAs quantum wells studied by mobility mea- surement”, Appl Phys Lett 57, 1651 [56] Penner U., Ruăcker H., and Yassievich I N (1998), “Theory of interface roughness scattering in quantum wells”, Semicond Sci Technol 13, 709 [57]P J Price, Ann Phys (N Y.)(1981), 133, 217 ; Surf Sci 113, 199 (1982); 143, 145 (1984) [58]D N Quang and N H Tung (2008), “Band-bending effects on the electronic properties of square quantum wells”, Phys Rev B 77, pp.125335-125341 [59]D N Quang, N H Tung, D T Hien and T T Hai (2008), “Key scattering mechanisms for holes in strained SiGe/Ge/SiGe square quantum wells”, J Applied Phys 104, 113711 [60]D N Quang, N H Tung, D T Hien, and H A Huy (2007), “Theory of the channel-width dependence of the low-temperature hole mobility in Ge-rich narrow square SiSiGeSi quantum wells”, Phys Rev B 75, 073305 [61]D N Quang, N H Tung, V N Tuoc, N V Minh, H A Huy, and D T Hien (2006), “Quantum and transport lifetimes due to roughness- induced scattering of a two-dimensional electron gas in wurtzite group-III-nitride heterostructures”, Phys Rev B 74, 205312 [62]D N Quang, N H Tung, V N Tuoc, T V Minh, and P N Phong (2005), “Roughness-induced piezoelectric charges in wurtzite group- III-nitride heterostructures”, Phys Rev B 72, 115337 [63]D N Quang, V N Tuoc, T D Huan, and P N Phong (2004), “Lowtemperature mobility of holes in Si/SiGe p-channel heterostructures”, Phys Rev B 70, 195336 [64]D N Quang, N H Tung, D T Hien, and H A Huy (2007), “Theory of the channel-width dependence of the low-temperature hole mobility in Ge-rich narrow square Si/SiGe/Si quantum wells”, Phys Rev B 75, 073305 [65]D N Quang, V N Tuoc, and T D Huan (2003), “Roughnessinduced piezoelectric scattering in lattice-mismatched semiconductor quantum wells”, Phys Rev B 68, 195316 [66]D N Quang, V.N Tuoc, N H Tung, and T D Huan (2002), “Random Piezoelectric Field in Real [001]-Oriented Strain-Relaxed Semiconductor Heterostructures”, Phys Rev Lett 89, 077601 [67]D N Quang, V.N Tuoc, N H Tung, and T D Huan (2003), “Strain fluctuations in a real [001]-oriented zinc-blende-structure surface quantum well, Phys Rev B 68, 153306 [68] Răossner B., von Kăanel H., Chrastina D., Isella G and Batlogg B (2006),“2-D hole gas with two-subband occupation in a strained Ge channel: Scattering mechanisms”, Thin Solid Films 508, pp 351- 354 [69] Srolovitz D J (1989), “On the stability of surfaces of stressed solids”, Acta Metall 37, 621 [70] Schaffer F (1997),“High-mobility Si and Ge structures”, Sci Tech- nol 12, 1515 [71] Stern F and Howard W E (1967),“Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit”, Semicond Phys Rev 163, 816 [72] Szmulowicz F., Elhamri S., Haugan H J., Brown G J and Mitchel W C (2007),“Demonstration of interface-scatteringlimited electron mobilities in InAs/GaSb superlattices”, J Appl Phys 101, 04706 [73] Schirbir J E., Fritz I J and Dawson L R (1985),“Light-hole conduction in InGaAs/GaAs strained-layer superlattices”, Appl Phys.Lett 46, 187 [74] Sawano K., Satoh H., Kunishi Y., Nakagawa K and Shiraki Y (2007),“Strain and hole-density dependence of hole mobility in strained-Ge modulation-doped structures”, Semicond Sei Technol 22, S161 [75] Schrieffer J, R (1957), Mobility in inversion layers: Theory and ex- periment Semiconductor Surface Physics, University of Pennsyvania Press, Philadelphia [76] Tsujino S., Falub C V., Muăller E., Scheinert M., Diehl L., Gennser U., Fromherz T., Borak A., Sigg H., Gruătzmacher D.,Campidelli Y., Kermarrec O and Bensahel D (2004),“Hall mobility of narrow Si0.2Ge0.8/Si quantum wells on Si0.5Ge0.5 relaxed buffer substrates”, Appl Phys Lett 84, 2829 [77] Tsuchiya T and Ando T (1993),“Mobility enhancement in quan- tum wells by electronic-state modulation”, Phys Rev B 48, 4599 [78] Ullrich C A and Vignale G (2001),“Theory of the Linewidth of Intersubband Plasmons in Quantum Wells”, Phys Rev Lett 87, 037402 [79] Unuma T., Yoshita M., Noda T., Sakaki H and Akiyama H (2003),“Intersubband absorption linewidth in GaAs quantum wells due to scattering by interface roughness, phonons, alloy disorder, and impurities”, J Appl Phys 93, 1586 [80] Van de Walle C G (1989), “Band lineups and deformation poten- tials in the model-solid theory’, Phys Rev B 39, 1871 [81] Venkataraman V., Liu C W and Sturm J C (1993), “Alloy scattering limited transport of two-dimensional carriers in strained Si1xGex quantum wells”, Appl Phys Lett 63, 2795 [82] Whall T E and Parker E H C (1998), “SiGe heterostructures for FET applications”, J Phys D 31, 1397 [83] Xie Y H., Monroe D., Fitzgerald E A., Silverman P J., Thiel F hole gasWatson in Si/Ge /Ge grown by molecular beam 1x A and G.xSi P.Lett (1993), “Very high mobility two-dimensional epitaxy”, Appl Phys 63,structures 2263 [84] Yang B., Cheng Y., Wang Z., Liang J., Liao.Q., Lin L., Zhu Z., Xu B and Li W (1994), “Interface roughness scattering in GaAs/AlGaAs modulation-doped heterostructures”, Appl Phys Lett 65, 3329 [85] Zanato D., Gokden S., Balkan., Ridley N and Schaff W J (2004), “The effect of interface-roughness and dislocation scattering on low temperature mobility of 2D electron gas in GaN/AlGaN”, Semicond Sci Technol 19, 427 PHU LUC Trong phan phu luc chúng tơi đưa m®t so hàm phu đưoc su dung lu¾n án ∫ νL Γn(η; ν) = L = (nπz/L)e−2ηz/L dz cos2 −L/2 −2νη eη − e η + (−1)n ηe 2 2η 2(η + n π )Σ +e −2νη (nπ sin 2νnπ − η cos 2νnπ) ∫ Σ (4.10) νL Ωn(η; ν) L = dz sin(2nπz/L)e−2ηz/L −L/2 = vói n = 0, 1, 2, Σ 2( 2 (−1)nnπeη − e−2νη Σ ×(nπ cos 2νnπ + η sin 2νnπ) , Σ γn(η) = (−1)nη + η η2 + Σ sinh η 2π2 sinh η n ωn (η) n = (−1) nπ2 η + Σ Σ n + (−1) x sinh x γn(x) x x2 + = n2π2 vói n = 0, 1, 2, (4.11) (4.12) (4.13) (4.14) ωn(x) = ( 1)nnπ − x2 + n π sinh x, (4.15) θn (x) = cosh x − x Σ + (−1) cosh x − x2 + Σ nπ σn (x) = 2 [(−1)n cosh x − x + x n Σ (4.16) (4.17) ... mnc hình ve, đo th% Me ĐAU 10 CÁC CƠ CHE TÁN XA CƠ BAN ANH HƯeNG ĐEN THèI GIAN HOI PHUC CUA HAT TAI 1.1 Các khái ni¾m ban đau 19 1.1.1 Các công thúc tính thịi gian hoi phuc 20 1.1.2 Lý... m®t so hưóng phát trien có the đưoc nghiên cúu tiep Chương CÁC CƠ CHE TÁN XA CƠ BAN ANH HƯeNG ĐEN THèI GIAN HOI PHUC CUA HAT TAI 1.1 Các khái ni¾m ban đau Thịi gian song v¾n chuyen lưong tu tham... ki¾n đi¾n tu can phai nghiên cúu xác đ%nh đưoc che tán xa gây bat loi cho đ® linh đ®ng Ngưịi ta chi rang [14], m®t cách hi¾u qua nhat đe xác đ%nh che tán xa chn đao nghiên cúu thịi gian song v¾n