ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
MỤC LỤC
CHƯƠNG II: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 43
CHƯƠNG III: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 59
KẾT LUẬN CHƯƠNG III 111
KẾT LUẬN CHUNG 112
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN
ĐẾN LUẬN ÁN 113
TÀI LIỆU THAM KHẢO 114
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
DANH MỤC CÁC BẢNG
DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, ĐỒ THỊ
MỞ ĐẦU
Mở đầu
Kết luận chung Tài liệu tham khảo
CHƢƠNG I
1.1. Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của PMT dựa trên lớp hấp thụ CIGS
1.1.1. Cấu trúc cơ bản của PMT dựa trên lớp hấp thụ CIGS
1.1.2. Sơ đồ vùng năng lƣợng của PMT dựa trên lớp hấp thụ CIGS
1.1.3. Nguyên lý hoạt động của PMT dựa trên lớp hấp thụ CIGS [23]
1.1.4. Đặc trƣng dòng-thế (I-V) của PMT
1.2. Lớp hấp thụ CIGS
1.2.1. Tính chất quang điện
1.2.2. Cấu trúc tinh thể
1.2.3. Giản đồ pha và các thông số nhiệt động học
1.3. Một số phƣơng pháp lắng đọng chế tạo màng mỏng CIGS
1.3.1. Đồng bốc bay từ các nguồn nguyên tố
1.3.2. Selen hóa của lớp tiền chất kim loại
1.3.3. Bốc bay từ các nguồn hợp chất
1.3.4. Lắng đọng hơi hóa học
1.4. Phƣơng pháp lắng đọng điện hóa một bƣớc chế tạo màng mỏng CIGS
1.4.1. Cơ chế lắng đọng màng CIGS
1.4.2. Vai trò của các tham số trong lắng đọng điện hóa màng CIGS
1.5. Nhiệt động học quá trình lắng đọng điện hóa màng mỏng
1.5.2. Quá trình lắng đọng điện hóa của các hợp chất
CHƢƠNG II
2.2. Nghiên cứu cơ chế lắng đọng màng CIGS
Các phản ứng đƣợc kiểm soát bởi sự vận chuyển khối lƣợng
Các phản ứng đƣợc kiểm soát bởi tốc độ dịch chuyển điện tử
2.2.1. Kỹ thuật Vol-Ampe Vòng (Cyclic Voltammetry - CV) [35]
2.2.2. Kỹ thuật cân vi lƣợng tinh thể thạch anh trong điện hóa (EQCM)
2.2.2.1. Cân vi lượng tinh thể thạch anh (Quartz Crystal Microbalance-QCM)
Cảm biến tinh thể thạch anh
Nguyên lý hoạt động
Ứng dụng của QCM
2.2.2.2. Cân vi lượng tinh thể thạch anh trong lắng đọng điện hóa (Electrochemical Quartz Crystal Microbalance - EQCM)
Nguyên lý làm việc của EQCM:
2.3. Nghiên cứu cấu trúc và hình thái bề mặt của màng mỏng
2.4. Đo độ dày màng mỏng bằng phƣơng pháp Stylus Profiler
2.5. Đo đặc trƣng quang - điện
2.6. Kỹ thuật ủ xử lý nhiệt
CHƢƠNG III
3.1.1. Thực nghiệm phép đo EQCM kết hợp CV và lắng đọng màng CuSex
3.1.2. Vai trò của chất tạo phức axit sulfamic trong sự tạo pha CuSex trong chế độ quét thế
3.1.3. Vai trò của chất axit sulfamic trong sự tạo pha CuSex trong chế độ thế không đổi
3.2. Nghiên cứu lắng đọng Ga (hệ CuGaSe2) trên các đế Mo và ITO
3.2.1. Thực nghiệm về lắng đọng Ga (hệ CuGaSe2) trên các đế Mo và ITO
3.2.2. Các kết quả CV
3.2.3. Kết quả lắng đọng của màng CuGaSe2
3.3. Nghiên cứu cơ chế lắng đọng điện hóa màng mỏng CIGS bằng phƣơng pháp Vol-Ampe Vòng (CV)
3.3.1. Thực nghiệm về lắng đọng điện hóa màng mỏng CIGS bằng phƣơng pháp Vol-Ampe Vòng (CV)
3.3.2. Ảnh hƣởng của nồng độ chất tạo phức axit sulfamic lên quá trình lắng đọng điện hóa lớp hấp thụ CIGS - Các kết quả CV
3.3.2.1. Đặc trưng I-V của các đơn chất Cu, Ga, In và Se
3.3.2.2. Đặc trưng V-A của hệ 2 nguyên Cu- Se
3.3.2.3. Đặc trưng I-V của hệ bốn Cu-In-Ga-Se
3.3.3. Ảnh hƣởng của nồng độ chất tạo phức sulfamic acid lên thành phần màng CIGS
3.3.4. Ảnh hƣởng của nồng độ chất tạo phức sulfamic acid lên độ dày, hình thái học và độ kết tinh màng CIGS
3.4. Chế tạo màng mỏng CIGS với hợp thức Cu(In0.7Ga0.3)Se2 và khảo sát đặc trƣng quang điện
3.4.1. Thực nghiệm chế tạo màng mỏng CIGS với hợp thức Cu(In0.7Ga0.3)Se2 và khảo sát đặc trƣng quang điện
3.4.2. Chế tạo màng mỏng CIGS với hợp thức Cu(In0.7Ga0.3)Se2
3.4.3. Chế tạo thử nghiệm tế bào PMT đơn giản dựa trên màng mỏng CIGS với hợp thức Cu(In0.7Ga0.3)Se2
Kết luận chƣơng III
KẾT LUẬN CHUNG
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH
TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng Anh