1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Hiệu ứng âm điện từ trong các hệ bán dẫn một chiều

499 22 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Hiệu Ứng Âm - Điện - Từ Trong Các Hệ Bán Dẫn Một Chiều
Tác giả Nguyễn Văn Nghĩa
Người hướng dẫn PGS. TS. Nguyễn Vũ Nhân, GS. TS. Nguyễn Quang Báu
Trường học Đại học Quốc gia Hà Nội
Chuyên ngành Vật lí lí thuyết và vật lí toán
Thể loại luận án tiến sĩ
Năm xuất bản 2016
Thành phố Hà Nội
Định dạng
Số trang 499
Dung lượng 1,55 MB

Nội dung

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN VĂN NGHĨA HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG CÁC HỆ BÁN DẪN MỘT CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ HÀ NỘI-2016 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYỄN VĂN NGHĨA HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG CÁC HỆ BÁN DẪN MỘT CHIỀU Chuyên ngành: Vật lí lí thuyết vật lí tốn Mã số: 62.44.01.03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS TS NGUYỄN VŨ NHÂN GS TS NGUYỄN QUANG BÁU LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng tơi Các kết quả, số liệu, đồ thị… nêu luận án trung thực chưa công bố cơng trình khác Hà Nội, tháng 04 năm 2016 Tác giả luận án Nguyễn Văn Nghĩa iii LỜI CẢM ƠN Tơi xin bày tỏ lịng biết ơn sâu sắc đến GS.TS Nguyễn Quang Báu PGS.TS Nguyễn Vũ Nhân, người thầy hết lòng giúp đỡ tơi q trình học tập, nghiên cứu hồn thành luận án Tơi xin chân thành cảm ơn giúp đỡ thầy cô giáo Bộ môn Vật lý lý thuyết, khoa Vật lý Phòng Sau đại học, trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội Tôi xin chân thành cảm ơn giúp đỡ, động viên thầy cô, đồng nghiệp Bộ môn Vật lý, Khoa Năng Lượng, Trường Đại học Thủy Lợi Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Quỹ phát triển khoa học công nghệ Quốc gia (NAFOSTED, Mã số 103.01-2015.22) Trường Đại học Thủy Lợi tài trợ cho tơi việc nghiên cứu tham gia trình bày báo cáo Hội nghị nước quốc tế Xin chân thành cảm ơn gia đình, bạn bè đồng nghiệp giúp đỡ suốt trình học tập, nghiên cứu Hà Nội, tháng 04 năm 2016 Tác giả luận án Nguyễn Văn Nghĩa MỤC LỤC Lời cam đoan i Lời cảm ơn ii Mục lục iii Danh mục bảng v Danh mục hình vẽ đồ thị vi MỞ ĐẦU Chương HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG BÁN DẪN KHỐI VÀ HÀM SÓNG, PHỔ NĂNG LƯỢNG CỦA DÂY LƯỢNG TỬ 1.1 Hiệu ứng âm - điện - từ bán dẫn khối 1.1.1 Phương trình động lượng tử cho điện tử bán dẫn khối 1.1.2 Biểu thức trường âm - điện - từ bán dẫn khối 1.2 Hàm sóng phổ lượng điện tử dây lượng tử 13 1.2.1 Hàm sóng phổ lượng điện tử dây lượng tử hình trụ với hố cao vô hạn 15 1.2.2 Hàm sóng phổ lượng điện tử dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 16 1.2.3 Hàm sóng phổ lượng điện tử dây lượng tử hình trụ với hố parabol 17 Chương HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH TRỤ VỚI HỐ THẾ CAO VƠ HẠN 19 2.1 Dịng âm – điện dây lượng tử hình trụ với hố cao vô hạn .20 2.2 Trường âm - điện – từ dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn 23 2.3 Kết tính số bàn luận cho dịng âm – điện trường âm – điện – từ dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn 31 2.4 Kết luận chương 39 Chương HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH CHỮ NHẬT VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN 40 3.1 Dòng âm – điện dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 41 3.2 Trường âm - điện – từ dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 45 3.3 Ảnh hưởng sóng điện từ lên dịng âm - điện dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 53 3.4 Kết tính số bàn luận cho dòng âm – điện trường âm – điện – từ dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 57 3.5 Kết luận chương 65 Chương HIỆU ỨNG ÂM - ĐIỆN - TỪ TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH TRỤ VỚI HỐ THẾ PARABOL 68 4.1 Hamiltonian phương trình động lượng tử cho điện tử dây lượng tử hình trụ với hố parabol 68 4.2 Biểu thức trường âm - điện – từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol 72 4.3 Kết tính số bàn luận cho trường âm – điện – từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol 78 4.4 Kết luận chương 83 KẾT LUẬN 85 Các cơng trình liên quan đến luận án công bố 87 Tài liệu tham khảo 89 Phụ lục 97 DANH MỤC CÁC BẢNG Stt Trang Bảng 2.1 Các tham số dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn GaAs/GaAsAl Bảng 3.1 Các tham số dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vơ hạn GaAs/GaAsAl Bảng 4.1 32 57 Các tham số dây lượng tử hình trụ với hố parabol GaAs/GaAsAl 78 DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Trang Stt Hình 1.1 Hình 1.2 Hình 2.1 Hình 2.2 Hình 2.3 Sơ đồ hiệu ứng âm – điện – từ Minh họa hình dạng mật độ trạng thái bán dẫn khối, giếng lượng tử, dây lượng tử chấm lượng tử Sự phụ thuộc dòng âm-điện vào nhiệt độ T hệ ứng với giá trị khác số sóng âm q = 2,0.108 m-1, q = 3,1.108 m-1 q = 4,2.108 m-1 Sự phụ thuộc dòng âm – điện vào bán kính dây lượng tử T=290 K (đường nét chấm), T=295 K (đường nét gạch), T=300 K (đường liền nét) Ở − ω q = 1×1011 s Sự phụ thuộc dịng âm – điện vào bán kính dây lượng tử tần số sóng âm ω q = 1×10 11s−1 (đường nét chấm), ωq = ×1011 s−1 (đường nét gạch), ω = 3×1011 −1s 14 32 32 34 q 10 11 12 Hình 2.4 Hình 2.5 Hình 2.6 Hình 2.7 Hình 2.8 Hình 2.9 Hình 2.10 (đường liền nét) Ở T=295 K ε F = 0.048 eV Sự phụ thuộc dòng âm-điện vào bán kính dây lượng tử ứng với giá trị số sóng âm q =1,2.108 m-1, q = 2,2.108 m-1, q = 3,1.108 m-1 q = 4,2.108 m-1 Sự phụ thuộc dòng âm – điện vào nhiệt độ lượng Fermi ε F Ở ω q = 3×1011 s−1 Sự phụ thuộc dịng âm - điện vào bán kính dây lượng tử nhiệt độ hệ Sự phụ thuộc trường âm-điện-từ vào nhiệt độ từ trường B =0,10T (đường nét đứt), B =0,12T (đường liền nét) Ở R =30,0×10−9m Sự phụ thuộc trường âm-điện-từ vào nhiệt độ bán kính R = 35,0×10−9m (đường nét đứt), R =30,0×10−9m (đường liền nét) Ở B =2,0T Sự phụ thuộc trường âm - điện – từ vào nhiệt độ T từ trường B =2,0T (đường nét đứt), B =2,2T (đường liền nét) Ở R =30,0×10−9m Sự phụ thuộc trường âm–điện–từ dây lượng tử hình trụ với hố cao vơ hạn vào tần số sóng âm 34 35 35 36 36 37 37 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 Hình 2.11 Hình 3.1 Hình 3.2 Hình 3.3 Hình 3.4 Hình 3.5 Hình 3.6 Hình 3.7 Hình 3.8 Hình 3.9 Hình 3.10 Hình 3.11 Hình 3.12 Hình 4.1 ngồi với nhiệt độ T= 4K Sự phụ thuộc trường âm – điện – từ vào từ trường vùng từ trường mạnh nhiệt độ T = 4,8K (đường nét đứt), T=5,0K (đường nét liền) với R=30×10−9m Sự phụ thuộc dịng âm - điện vào nhiệt độ T hệ ứng với q=2,5.10-7(m-1); q=3,4.10-7(m-1); q=4,0.10-7 (m-1) Sự phụ thuộc dòng âm - điện vào chiều dài dây lượng tử ứng với T = 220K, T = 250K T = 270K Sự phụ thuộc dòng âm - điện vào kích thước (Lx, Ly) dây lượng tử Sự phụ thuộc dòng âm – điện vào tần số sóng âm nhiệt độ hệ T = 200K, T=250K T =300K Sự phụ thuộc dòng âm–điện vào tần số sóng âm chiều dài dây lượng tử L=60nm, L =65 nm L = 73 nm Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ vào tần số sóng âm ngồi từ trường thay đổi Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ vào nhiệt độ hệ từ trường thay đổi Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ vào độ lớn từ trường với nhiệt độ hệ T=200K T=250K Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ vào độ lớn từ trường với nhiệt độ hệ T=4,0K T=5,0K Sự phụ thuộc trường âm - điện- từ vào độ lớn từ trường với tần số sóng âm ngồi thay đổi Sự phụ thuộc dòng âm – điện vào tần số sóng âm ngồi với chiều dài dây lượng tử hình chữ nhật L = 60nm, L = 65 nm L = 80nm nhiệt độ T = 130K có sóng điện từ ngồi Sự phụ thuộc dòng âm – điện vào chiều dài dây lượng tử với nhiệt độ T = 100K, T = 130K T = 200K có sóng điện từ ngồi tần số Ω =5×1014s−1 Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ dây hình trụ với hố parabol vào tần số sóng âm ngồi với giá trị từ trường Bx = 1,3T, Bx = 1,6T Bx = 1,8T Ở R=30,0x10-9 m T=4K 37 58 58 58 59 59 61 61 62 62 63 64 64 79 27 28 29 30 Hình 4.2 Hình 4.3 Hình 4.4 Hình 4.5 Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol vào từ trường B x vùng từ trường yếu Ở R=30,0x10-9 m, By=0,10T (đường nét đứt) By=0,15T (đường liền nét) Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol vào từ trường B y vùng từ trường yếu Ở R=30,0x10-9 m, Bx=0,20T (đường nét đứt) Bx=0,25T (đường liền nét) Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol vào từ trường B x vùng từ trường mạnh Ở R=30,0x10-9 m, By=1,52T (đường nét đứt) By=1,70T (đường liền nét) Sự phụ thuộc trường âm - điện - từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol vào từ trường B y vùng từ trường mạnh Ở R=30,0x10-9 m, Bx=2,30T (đường nét đứt) Bx=2,40T (đường liền nét) 80 80 81 81 xlabel('Temperature T (K)'); ylabel('The QAME field (arb units)'); % Ve theo nhiet voi B khac T=linspace(10,300,100); r=10*10^-9; phi=90*pi/180; B1=0.160; B2=0.18; B3=0.19; y1=hamamdientu(r,phi,T,B1); y3=hamamdientu(r,phi,T,B3); figure(2); plot(T,y1,'r',T,y3,'y'); hold on; legend('B=0.14 T','B=0.18 T'); xlabel('Temperature T (K)'); ylabel('The QAME field (arb units)'); % Ve theo tan so song am ngoai wq=linspace(0.05*10^10,4*10^10,100); B=5; B1=6; B2=10; r=40*10^-9; phi=60*pi/180; T0=40; T1=4; y21=hamamdientu1(r,phi,T0,B,wq); y22=hamamdientu1(r,phi,T1,B1,wq); y23=hamamdientu1(r,phi,T1,B2,wq); figure(2); plot(wq,y21,'r',wq,y22,'b',wq,y23,'c'); xlabel('The frequency of external acoustic wave w_q (m^-^1)'); ylabel('The AME field (arb units)'); legend('B=1.3 T','B=1.5 T','B=1.8 T'); 2.2 Hàm tính trường âm – điện – từ dây lượng tử hình trụ hố cao vơ hạn function y=hamamdientu(r,phi,T,B) e0=1.6*10^-19; e=2.07*e0; nm=2; n1m=2; N=1000; H=B/(4*pi*10^-7); wq=2*10^10; wk=9*10^9; kb=1.38*10^(-23); L=15*10^-8; S=pi*(r.^2); phiw = 10^4; kapa = 13.5*e0; vs=5000; m0=9.1*10^(-31);m=0.067*m0; beta=1./(kb*T); ro=5320; hh=1.0544*10^(-34); q=wq./800; c=3*10^8; cr=800; cl=2000; ct=1800; sima1=(1-cr./cl).^(1/2); sima2=(1-cr./ct).^(1/2); kl=(q.^2-wq.^2./cl.^2).^(1/2); tau = 10^-12; ac=sqrt(c*hh./(e*B)); F=q.*((1+sima1.^2)./(2.*sima1)+(sima1./sima2-2).*(1+sima2.^2)./(2.*sima2)); xi=(r.^2)./(2*ac.^2); omegac=e*H./(m*c); cs1=e*pi*(kapa^2)*beta.*T./ (8*(pi^2)*ro*vs*wk*L*S*phiw*(hh^4)); cs2=2*e*pi*(kapa^2)*vs*((2*pi*hh)^3)*(wq.^2)./(ro*F*S); hams1=0; hams2=0; xx=1./(omegac*tau); kx=kb*T.*xx; x=xx; r(1)=r(end); bb=[2.4048 3.8317; 3.8316 0]; hs=[24*bessel(3,q.*r(1))./((q.*r(1)).^3) 48*bessel(4,q.*r(1))./((q.*r(1)).^3); 48.1*bessel(4,q.*r(1))./((q.*r(1)).^3) 0]; B1=hamci(x).^2-hamsi(x).^2; B11=B1.*sin(x).*cos(x); B2=hamci(x).^2+hamsi(x).^2; B3=hamci(x).*hamsi(x).*(sin(x).^2-cos(x).^2); B4=hamci(x).*cos(x)+hamsi(x).*sin(x); B5=hamci(x).*sin(x)-hamsi(x).*cos(x); B6=(hamci(x).*cos(x)).^2+(hamsi(x).*sin(x)).^2; for i1=1:nm for j1=1:n1m for i2=1:nm for j2=1:n1m hsa=hh*omegac*(i1+j1/2+1/2+abs(j1)/2); deltaNN=omegac*((i1-i2)+(j1-j2)/2+(abs(j1)-abs(j2))/2); hami=(hs(i1,j1)); hs1=(sqrt(2*m*(deltaNN-hh*wk+hsa)-(kb*T*x))-sqrt((kb*T*x) -2*m*hsa)).^3; hs2=(sqrt(2*m*(deltaNN+hh*wk+hsa)-(kb*T*x))+sqrt((kb*T*x) -2*m*hsa)).^3; hs3=(sqrt((kb*T*x)+2*m*(deltaNN+hh*wk-hsa))-sqrt((kb*T*x) -2*m*hsa)).^3; hs4=(sqrt((kb*T*x)+2*m*(deltaNN-hh*wk-hsa))-sqrt((kb*T*x) -2*m*hsa)).^3; hams1=hams1+ (hami.^2).*(((kb*T*x)-2*m*hsa).^(3/2)) *(hs1+hs2-hs3-hs4); hamU=(2*exp(-kl*L)./(2*pi*L)).*(N^2*(giaithua(i1+j1)/giaithua(i1))) *(exp(-xi).*xi.^j1); hs21=q.^2-2*m*(deltaNN+hh*wk-hh*wq); hs22=q.^2-2*m*(deltaNN-hh*wk+hh*wq); hams2=hams2+q.*(hamU.^2).*(((kb*T*x)-2*m*hsa).^(3/2)) *(hs21-hs22); ts11=(kx.*sin(phi).*(1-cos(phi).^2)+hsa.*(cos(phi).^2 -sin(phi).^2)).*(B11+B3)-(kx-hsa.*sin(phi)).*(sin(phi).^2) *(B4.^2)-kx.*(1+sin(phi).^2).*(B5.^2); ts1=hams1.*ts11; ts2=hams2.*ts11; ms1=(kx.^2).*(B4.^2.*(1+sin(phi).^2)+B1.*sin(phi).^2 -2*(sin(phi).^2).*cos(phi).*(B11+B3)); ms2=2*kx.*hsa.*((B11+B3).*(2*(sin(phi).^2)-1) -2*(sin(phi).^2).*cos(phi).*B6); ms3=((hsa.*sin(phi)).^2).*(B2-2*cos(phi).*(B11+B3)-2*B4.^2); ms=ms1+ms2+ms3+hsa.*B4.^2; end end end end amdt=(phiw*hh./(4*m*(e*kx).^2)).*((ts1.*cs1+ts2.*cs2)./ms); y= real(amdt); Chương trình Matlab tính tốn dịng âm - điện dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vơ hạn 3.1 Sự phụ thuộc dòng âm - điện vào tần số sóng âm ngồi tham số dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vơ hạn close all; clear all; clc; q=linspace(1.8*10^6,18.0*10^6,100); n1=1; n2=2; k1=2; k2=1; L=90*10^-9; T1=150; y1= (ham(n1,n2,k1,k2,q,T1,L)); T2=170; y2= (ham(n1,n2,k1,k2,q,T2,L)); T3=200; y3= (ham(n1,n2,k1,k2,q,T3,L)); figure(2); plot(q,y1,'r',q,y2,'b',q,y3,'c'); xlabel('Acoustic wave number q (m^-^1)'); ylabel('Acoustoelectric current (arb.units)'); T=linspace(30,300,100); q12=1.2*10^7; y12= (ham(n1,n2,k1,k2,q12,T,L)); q22=3.2*10^7; y22= (ham(n1,n2,k1,k2,q22,T,L)); q32=5.0*10^7; y32= (ham(n1,n2,k1,k2,q32,T,L)); figure(1); plot(T,y12,'r',T,y22,'b',T,y32,'c'); legend('q=1.2*10^7 m^-^1','q=3.2*10^7 m^-^1','q=5.0*10^7 m^-^1'); xlabel('Temperature T (K)'); ylabel('Acoustoelectric current (arb.units)'); % Ve theo chieu dai day L=linspace(30*10^-9,100*10^-9,100); n1=2; n2=1; k1=2; k2=1; q=3*10^7; T1=200; y31=ham(n1,n2,k1,k2,q,T1,L); T2=220; y32=ham(n1,n2,k1,k2,q,T2,L); T3=270; y33=ham(n1,n2,k1,k2,q,T3,L); figure(3); plot(L,y31,'r',L,y32,'b',L,y33,'c'); xlabel('The length of the wire L (m)'); ylabel('Acoustoelectric current (arb.units)'); clear all; b=linspace(20*10^-9,70*10^-9,100); n1=2; n2=1; k1=2; k2=1; L=90*10^-9; q=3*10^7; T1=100; y41=ham1a(n1,n2,k1,k2,q,T1,L,b); T2=130; y42=ham1a(n1,n2,k1,k2,q,T2,L,b); T3=150; y43=ham1a(n1,n2,k1,k2,q,T3,L,b); plot(b,y41,'r',b,y42,'b',b,y43,'c');legend('T=100K','T=150K','T=200K'); xlabel('Width of the wire L_x (m)'); ylabel('Acoustoelectric current (mA)'); clear all; omegaq=linspace(0.1*10^9,24*10^9,100); L=90*10^-8; q=1.3*10^6; T=[200 250 300]; c=['r' 'b' 'c' 'y'] for i=1:length(T); y= (hamomegaq(q,T(i),L,omegaq)); figure(3); plot(omegaq,y,c(i)); hold on; grid on; end xlabel('Acoustic wave number w_q (s^^1)'); ylabel('Acoustoelectric current (arb units)'); legend('T=200K','T=250K','T=300K'); clear all; omegaq=linspace(0.1*10^9,4*10^10,100); L=[60*10^-8 65*10^-8 73*10^-8]; T=100; q=1.3*10^6; c=['r' 'b' 'c' 'y'] for i=1:length(L) y= (hamomegaq(q,T,L(i),omegaq)); figure(4); plot(omegaq,y,c(i)); hold on; end xlabel('Acoustic wave number w_q (s^-^1)'); ylabel('Acoustoelectric current (arb units)'); grid on; legend('L=60nm','L=65nm','L=73nm'); 3.2 Hàm tính dịng âm – điện dây lượng tử hình chữ nhật hố cao vô hạn function h=ham(n1,n2,k1,k2,q,T,L) qx=10*10^6; qy=10*10^6; z0=L; b=40*10^-9; a=70*10^-9; omegaq =1.46*10^9; omegak=0.46*10^9; e=1.6*10^(-19); kb=1.38*10^(-23); h=6.625*10^(-34)/(2*pi); cl=2*10^3; m=0.067*9.1*10^(-31); ham2=0; for i1=0:length(n1) for i2=0:length(n2) for i3=0:length(k1) for i4=0:length(k2) deta=((h*pi)^2/(2*m))*(((n1/a)^2)+((k1/b)^2)-((n2/a)^2)-((k2/b)^2)); tong1=exp(-((h*pi)^2)./(2*m*kb*T))*(((n1/a)^2)+((n2/b)^2)); % ham thu nhat xi1=(h./ (2*kb*T))*(deta-omegaq); xi2=(h./ (2*kb*T))*(deta+omegaq); tu1=32*(pi^4)*((qx.*a*n1*n2).^2).*(1-(-1)^(n1+n2)*cos(qx*a)); mau1=((((qx*a).^4)-2*pi.*((qx*a).^2)*(n1^2+n2^2)+(pi^4) *(n1^2-n2^2)^2).^2); tong11=(tu1./mau1).^2; tu2=32*(pi^4)*((qy*b*k1*k2).^2).*(1-(-1)^(k1+k2)*cos(qy*b)); mau2=((((qy*b).^4)-2*pi.*((qy*b).^2)*(k1^2+k2^2)+(pi^4) *(k1^2-k2^2)^2).^2); tong12=(tu2./mau2).^2; tong13=exp(-xi1).*(xi1.*besselK(0,xi1)+3*((2*kb*T/h).^2) *(xi1.^3).*(besselK(1,xi1)+besselK(2,xi1))+8*((2*kb*T/h).^5) *(xi1.^6).*besselK(3,xi1)); tong14=exp(-xi2).*(xi2.*besselK(0,xi2)+3*((2*kb*T/h).^2) *(xi2.^3).*(besselK(1,xi2)+besselK(2,xi2))+8*((2*kb*T/h).^5) *(xi2.^6).*besselK(3,xi2)); ham1=ham1+tong1.*tong11.*tong12.*(tong13+tong14); % ham thu hai txi1=xi1+(h./ (2*kb*T))*omegak; txi2=xi2(h./(2*kb*T))*omegak; tong21=exp(-2*z0*sqrt(q.^2+(omegaq/cl)^2)); tong22=exp(-txi1).*(txi1.^(5/2)).*(besselK(5/2,txi1) +3*(besselK(3/2,txi1)+besselK(1/2,txi1))+besselK(1/2,txi1)); tong23=exp(-txi2).*(txi2.^(5/2)).*(besselK(5/2,txi2) +3*(besselK(3/2,txi2)+besselK(1/2,txi2))+besselK(-1/2,txi2)); ham2=ham2+tong1.*tong21.*(tong22-tong23); end end end end phi = 10^4; kapa = 13.5*e; tau = 10^-12; vs = 5370; ro = 2*10^6; esilonf=0.050*e; hs1=exp(esilonf./(kb*T)).*(4*e*kb*T*tau*((kapa*m)^2)/ (((2*pi)^2) *omegaq*ro*vs*(h^2))); S=a*b; ct=18*10^2; simal=1-(vs/cl)^2; simat=1-(vs/ct)^2; f=q*((1+simal)/(2*simal)+((simal/simat)-2)*((1+simat^2)/(2*simat))); ts2=exp(esilonf./(kb*T)).*sqrt(2*m/h).*((2*kb*T/h).^(3/2)) *(8*e*pi*m*tau*phi*((kapa*omegaq)^2)*(cl^4)); ms2=ro*f*S*vs*(L.^2)*(h^0); hs2=ts2./ms2; h=(hs1.*ham1+hs2.*ham2); Chương trình Matlab tính tốn trường âm - điện – từ dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vô hạn 4.1 Sự phụ thuộc trường âm - điện – từ vào tần số sóng âm ngồi, từ trường tham số dây lượng tử hình chữ nhật với hố cao vơ hạn % Ve theo tan so song am ngoai wq=linspace(5*10^10,25*10^10,100); T=4; L=170*10^-9; Lx=45*10^-9; Ly=45*10^-9; B1=5.30; B2=5.55; B3=5.60; ym1=hamamdientuhcntq(L,phi,T,B1,wq,Lx,Ly); ym2=hamamdientuhcntq(L,phi,T,B2,wq,Lx,Ly); ym3=hamamdientuhcntq(L,phi,T,B3,wq,Lx,Ly); plot(wq,ym1,'r',wq,ym2,'b',wq,ym3,'c'); xlabel('The frequency of external acoustic wave w_q (s^-^1)'); ylabel('The AME field (arb units)'); legend('Bx=1.6 T','Bx=1.8 T','Bx=2.1 T'); % Ve theo nhiet T voi tu truong ngoai thay doi clear all; T=linspace(1,45,100); wq=0.8*10^10; phi=30*pi/180; L=300*10^-9; Lx=28*10^-9; Ly=28*10^-9; B1=2.298; B2=2.299; ym1=hamamdientuhcntq(L,phi,T,B1,wq,Lx,Ly); ym2=hamamdientuhcntq(L,phi,T,B2,wq,Lx,Ly); plot(T,ym1,'r',T,ym2,'c'); legend('B=2.30 T','B=2.28 T'); xlabel('Temperature T (K)'); ylabel('The AME field (arb units)'); % Ve theo tu truong B voi nhiet thay doi B=linspace(0.01,0.2,20); wq=9*10^11; L=150*10^-9; Ly=30*10^-9; Lx=Ly; T0=200; y1=hamamdientuhcntq(L,phi,T0,B,wq,Lx,Ly); T1=250; y2=hamamdientuhcntq(L,phi,T1,B,wq,Lx,Ly); plot(B,y1,'r',B,y2,'b'); legend('T=200 K','T=250 K'); xlabel('Magnetic B (T)'); ylabel('The AME field (arb units)'); B=linspace(0.7,4.0,100); wq=9*10^11; L=150*10^-9; Ly=30*10^-9; Lx=Ly; T0=4; y1=hamamdientuhcntq(L,phi,T0,B,wq,Lx,Ly); T1=5; y2=hamamdientuhcntq(L,phi,T1,B,wq,Lx,Ly); plot(B,y1,'r',B,y2,'b'); legend('T=4.0 K','T=5.0 K'); xlabel('Magnetic B (T)'); ylabel('The AME field (arb units)'); % Ve theo tu truong ngoai voi tan so song am ngoai thay doi clear all; B=linspace(0.85,3.7,100); wq1=2*10^11; wq2=3*10^11; L=250*10^-9; Ly=40*10^-9; Lx=40*10^-9; phi=6*pi/180; T0=4; y11=hamamdientuhcntq(L,phi,T0,B,wq1,Lx,Ly); T1=5; y12=hamamdientuhcntq(L,phi,T1,B,wq1,Lx,Ly); plot(B,y11,'r',B,y12,'b'); legend('wq=2.0*10^11 s^-1','wq=2.5*10^11 s^-1'); xlabel('Magnetic B (T)'); ylabel('The AME field (arb units)'); 4.2 Hàm tính trường âm – điện – từ dây lượng tử hình chữ nhật hố vô hạn function y=hamamdientuhcntq(L,phi,T,B,wq,Lx,Ly) e0=1.6*10^-19; e=2.07*e0; m0=9.1*10^(-31); m=0.067*m0; S=Lx*Ly; nm=2; n1m=2; N=3; N1=100; wk=9*10^9; kB=1.38*10^(-23); phiw = 10^4; kapa = 13.5*e0; vs=5000; beta=1./(kB*T); ro=5320; hh=1.0544*10^(-34); q=wq./800; c=3*10^8; cr=800; cl=2000;ct=1800; sima1=(1-cr./cl).^(1/2); sima2=(1-cr./ct).^(1/2); kl=(q.^2-wq.^2./cl.^2).^(1/2); tau = 10^-12; F=q.*((1+sima1.^2)./(2.*sima1)+(sima1./sima2-2).*(1+sima2.^2)./(2.*sima2)); ac=sqrt(c*hh./(e*B)); xi=(Lx.^2)./(2*ac.^2); omegac=e*B/(m*c*4*pi*10^-7); cs1=e*(kapa^2)*kB*T./(8*pi*ro*vs*wk*L*S*phiw*(hh^4)); cs2=e*(kapa^2)*((2*vs*pi*hh)^3)*wq*phi*(2*m)^(1/2)./(2*pi*ro*F*S); hams1=0; hams2=0; amdt=0; x=1./(omegac*tau); exi=kB*T*x; for i11=1:N for i12=1:N for i1=1:nm for j1=1:n1m for i2=1:nm for j2=1:n1m hsa=hh*omegac.*(i11+1/2)+ ((hh*pi)^2./(2*m)) *((i1./Lx).^2+(j1./Ly).^2); deltall=hh*omegac.*(i11-i12)+((hh*pi).^2/(2*m)) *((i1./Lx).^2-(i2./Lx).^2+(j1./Ly).^2-(j2./Ly).^2); tt1=(32*pi^4*(q.*Lx*i1*i2).^2).*(1-((-1)^(i1+i2)).*cos(q.*Lx)); tt2=(32*pi^4*(q.*Ly*j1*j2).^2).*(1-((-1)^(j1+j2)).*cos(q.*Ly)); mm1=(q.*Lx).^4-2*(pi^2)*((q.*Lx).^2)*(i1^2+i2^2) +(pi^4)*(i1^2-i2^2)^2; mm2=(q.*Ly).^4-2*(pi^2)*((q.*Ly).^2)*(j1^2+j2^2) +(pi^4)*(j1^2-j2^2)^2; hami=tt1.*tt2./ ((mm1.*mm2).^2); hs1=(sqrt(deltall-hh*wk+hsa-exi)+sqrt(exi-hsa)).^3; hs2=(sqrt(deltall+hh*wk+hsa-exi)+sqrt(exi-hsa)).^3; hs3=(sqrt(deltall+hh*wk-hsa+exi)-sqrt(exi-hsa)).^3; hs4=(sqrt(deltall-hh*wk-hsa+exi)-sqrt(exi-hsa)).^3; hams1=hams1+(hami.^2)*(hamJ.^2).*((exi-hsa).^(3/2)) *(hs1+hs2-hs3-hs4); hamU=(2*exp(-kl*L)./(2*pi*L)) *(N1^2*(giaithua(i1+j1)/giaithua(i1))).*(exp(-xi).*xi.^j1); hs21=q.^2-2*m.*(deltall+hh*wk-hh*wq); hs22=q.^2-2*m.*(deltall-hh*wk+hh*wq); hams2=hams2+q.*(hamU.^2).*(exi-hsa).^(3/2).*(hs21+hs22); Dm1=(kB.*T.*(1+sin(phi).^2).^2 +(kB.*T.*sin(phi)-tau.*omegac.*hsa.*cos(phi))).^2; Dm2=(hsa.*(1+sin(phi).^2).^2 +(kB.*T.*x.*cos(phi)-hsa.*sin(phi))).^2; Dm3=2*(kB.*T.*hsa.*((1+sin(phi).^2).^2)+(kB.*T.*x.*cos(phi) -hsa.*sin(phi)).*(kB.*T.*sin(phi)-tau.*omegac.*hsa.*cos(phi))); D1=(hsa.*(1-sin(phi).^2).*(hamci(x).^2-hamsi(x).^2) +kB.*T.*x.*(1+sin(phi).^2).*hamci(x).*hamsi(x)).*sin(x).*cos(x); D2=hsa.*(1-sin(phi).^2).*hamci(x).*hamsi(x).*(sin(x).^2-cos(x).^2); D3=kB.*T.*x.*(1+sin(phi).^2).*((hamci(x).*sin(x)).^2 +(hamsi(x).*cos(x)).^2); Dm11=(Dm1.*(x.*hamci(x)).^2+Dm2.*hamsi(x).^2 -Dm3.*x.*hamci(x).*hamsi(x)).*(sin(x).^2); Dm12=(Dm1.*(x.*hamsi(x)).^2+Dm2.*hamci(x).^2 +Dm3.*x.*hamci(x).*hamsi(x)).*(cos(x).^2); Dm13=(2*hamci(x).*hamsi(x).*(Dm1.*x.^2-Dm2) +Dm3.*x.*(hamci(x).^2-hamsi(x).^2)).*sin(x).*cos(x); end end end end end end ts=phiw*hh.*tau*(cs1.*hams1+cs2.*hams2).*(Dm1+Dm2+Dm3).*cos(phi); ms=2*m*(e^2).*(Dm11+Dm12+Dm13); amdt=-ts./ms; y= real(amdt); Chương trình Matlab tính tốn trường âm - điện – từ dây lượng tử hình trụ với hố parabol 5.1 Sự phụ thuộc trường âm - điện – từ vào tần số sóng âm ngoài, từ trường tham số dây lượng tử hình trụ hố cao vơ hạn wq=linspace(0.05*10^10,4*10^10,100); Bx1=1.20; Bx2=1.50; Bx3=1.80; By=4; r=15*10^-9; phi=60*pi/180; T0=4; y21=hamamdientuP2(r,phi,T0,Bx1,By,wq); T1=4; y22=hamamdientuP2(r,phi,T1,Bx2,By,wq); T1=4; y23=hamamdientuP2(r,phi,T1,Bx3,By,wq); figure(1); plot(wq,y21,'r',wq,y22,'b',wq,y23,'c'); xlabel('The frequency of external acoustic wave w_q (s^-^1)'); ylabel('The AME field (arb units)'); legend('Bx=1.3 T','Bx=1.6 T','Bx=1.8 T'); clear all; Bx=linspace(0.1*10^-1,1.2*10^-1,50); By1=1.52; By2=1.65; lx=20*10^-9; ly=30*10^-9; r=10*10^-9; phi=60*pi/180; T0=200; T1=250; y11=hamamdientuP(r,phi,T0,Bx,By1,lx,ly); y12=hamamdientuP(r,phi,T1,Bx,By2,lx,ly); figure(3); plot(Bx,y11,'r',Bx,y12,'b'); xlabel('Magnetic B_x (T)'); ylabel('The QAME field (arb units)'); Bx=linspace(0.2,2.5,50); By1=1.52; By2=1.70; lx=10*10^-9; ly=10*10^-9; r=10*10^-9; phi=80*pi/180; T0=4; T1=5; y11=hamamdientuP(r,phi,T0,Bx+1.25,By1-0.1,lx,ly); y12=hamamdientuP(r,phi,T1,Bx+1.15,By2-0.1,lx,ly); figure(4); plot(Bx,y11,'r',Bx,y12,'b'); xlabel('Magnetic B_x (T)'); ylabel('The QAME field (arb units)'); clear all; By=linspace(0.05,0.25,150); Bx1=0.392; Bx2=0.42; r=10*10^-9; lx=20*10^-9; ly=30*10^-9; phi=60*pi/180; T0=200; T1=250; y21=hamamdientuP(r,phi,T0,Bx1,By,lx,ly); y22=hamamdientuP(r,phi,T1,Bx2,By,lx,ly); figure(5); plot(By,y21,'r',By,y22,'b'); xlabel('Magnetic B_y (T)'); ylabel('The QAME field (arb units)'); By=linspace(0.2,2.5,150); Bx0=0.3; Bx1=0.4; Bx2=0.5; r=10*10^-9; lx=20*10^-9; ly=30*10^-9; phi=60*pi/180; T0=4; T1=5; y30=hamamdientuP(r,phi,T0,Bx0,By,lx,ly); y31=hamamdientuP(r,phi,T0,Bx1,By,lx,ly); y32=hamamdientuP(r,phi,T1,Bx2,By,lx,ly); figure(6); plot(By,y31,'r',By,y32,'b'); xlabel('Magnetic B_y (T)'); ylabel('The QAME field (arb units)'); 5.2 Hàm tính trường âm – điện – từ dây lượng tử hình trụ hố cao vô hạn function y=hamamdientuP(r,phi,T,Bx,By,lx,ly) e0=1.6*10^-19; e=2.07*e0; m0=9.1*10^(-31);m=0.067*m0; nm=2;n1m=2; N=1000; wq=2*10^10; wk=9*10^9; kb=1.38*10^(-23); L=15*10^-8; S=pi*(r.^2); phiw = 10^4; kapa = 13.5*e0; vs=5000; beta=1./(kb*T); ro=5320; hh=1.0544*10^(-34); q=wq./800; c=3*10^8; cr=800; cl=2000;ct=1800; sima1=(1-cr./cl).^(1/2); sima2=(1-cr./ct).^(1/2); kl=(q.^2-wq.^2./cl.^2).^(1/2); F=q.*((1+sima1.^2)./(2.*sima1)+(sima1./sima2-2).*(1+sima2.^2)./(2.*sima2)); tau = 10^-12; B=sqrt(Bx.^2+By.^2); ac=sqrt(c*hh./(e*B)); xi=(r.^2)./ (2*ac.^2); Hx=Bx./(4*pi*10^-7); Hy=By./(4*pi*10^-7); omegax=e*Hx/ (m*c);omegay=e*Hy/(m*c); omegax1=1./(4*m*lx.^2);omegay1=1./ (4*m*ly.^2); omega1=sqrt(omegax1.^2+omegay.^2); omega2=sqrt(omegay1.^2+omegax.^2); omegac=sqrt(omegax.^2+omegay.^2); M=m*(1+ (omegax./omegay1).^2+(omegay./omegax1).^2); cs1=e*pi*(kapa^2)*kb*T./(4*ro*vs*wk*L*S*phiw*(hh^4)); cs2=e*pi*(kapa^2)*vs*((2*pi*hh)^3)*(wq.^2)./(2*ro*F*S); hams1=0; hams2=0; amdt=0; x=1./(omegac*tau); exi=kb*T*x; for i1=1:nm for j1=1:n1m for i2=1:nm for j2=1:n1m hsa=hh*omega1*(i1+1/2)+hh*omega2*(j1+1/2); deltall=omega1*(i1-i2)+omega2*(j1-j2); hami=1; hamJ=1; hs1=(sqrt(deltall-hh*wk+hsa-exi)+sqrt(exi-hsa)).^3; hs2=(sqrt(deltall+hh*wk+hsa-exi)+sqrt(exi-hsa)).^3; hs3=(sqrt(deltall+hh*wk-hsa+exi)-sqrt(exi-hsa)).^3; hs4=(sqrt(deltall-hh*wk-hsa+exi)-sqrt(exi-hsa)).^3; hams1=hams1+(hami.^2)*(hamJ.^2).*(M.^2).*((exi-hsa).^(3/2)) *(hs1+hs2-hs3-hs4)/10^9; hamU=(2*exp(-kl*L)./(2*pi*L)).*(N^2*(giaithua(i1+j1)/giaithua(i1))) *(exp(-xi).*xi.^j1); hs21=q.^2-M.*(deltall+hh*wk-hh*wq); hs22=q.^2-M.*(deltall-hh*wk+hh*wq); hams2=hams2+q.*(hamU.^2).*(M.*(exi-hsa).^(3/2)).*(hs21+hs22); DQ1=omegax.*(cos(phi).^2).*(x.^4).*(omegax.*kb.*T+tau.*(omegay.^2) *hsa.*sin(phi)); DQ2=exi.*((omegay.*sin(phi)).^2)./omegac; DQ3=(x.^2).*(tau*exi.*omegax.*(omegay.^2)*(cos(phi).^2)*sin(phi)+ has.*((omegax.*cos(phi)).^2 -tau*(omegay.*sin(phi)).^2)); ts11=(DQ1.*(hamci(x).^2)-DQ2.*(x.*hamsi(x)).^2-x.*DQ3.*hamci(x) *hamsi(x)).*(cos(phi).^2); ts12=(DQ1.*(hamsi(x).^2)-DQ2.*(x.*hamci(x)).^2+x.*DQ3.*hamci(x) *hamsi(x)).*(sin(phi).^2); ts13=(2.*DQ1.*hamci(x).*hamsi(x) +2*(x.^2).*DQ2.*hamci(x) *hamsi(x)+x.*DQ3.*(hamci(x).^2-hamsi(x).^2)).*cos(phi).*sin(phi); ts=(hams1+hams2).*(ts11+ts12+ts13); DQM1=(x.^4).*((omegay.^4).*(tau.*hsa.*sin(phi)).^2)+((omegay.^2) *tau.*hsa.*cos(phi)-omegax.*kb.*T).^2; DQM2=(omegay.^4).*(tau.*x.*exi.*sin(phi)).^2+((omegay.^2) *tau.*x.*exi.*cos(phi)-omegax.*hsa).^2; DQM3=2*x.*(kb.*T.*hsa.*(omegay.*sin(phi)./omegac).^2+ (exi.*(omegay.^2).*(cos(phi)./omegac)-hsa.*omegax) *(tau.*hsa.*cos(phi).*omegay.^2-omegax.*kb.*T)); ms11=(DQM1.*(hamci(x).^2)+DQM2.*(x.*hamsi(x)).^2x.*DQM3.*hamci(x).*hamsi(x)).*(cos(phi).^2); ms12=(DQM1.*(hamsi(x).^2)+DQM2.*(x.*hamci(x)).^2+x.*DQM3 *hamci(x).*hamsi(x)).*(sin(phi).^2); ms13=(2.*DQM1.*hamci(x).*hamsi(x)-2*(x.^2).*DQM2.*hamci(x) *hamsi(x)+x.*DQM3.*(hamci(x).^2-hamsi(x).^2)).*cos(phi).*sin(phi); ms=ms11+ms12+ms13; en d en d en d en d amdt=(phiw*hh*omegax.*tau.*sin(2*phi)./(2*M*(e*sin(phi)).^2)) *(real(ts)./(ms)); y= real(amdt); % Hàm si function si=hamsi(x) si1=pi/2; for k=1:50 si1=si1+((-1)^(k+1))*(x.^(2*k-1))/((2*k-1)*giaithua(2*k-1)); end si=si1; % Hàm ci function ci=hamci(x) ci1=-log(x); for k=1:50 ci1=ci1+(-1)^(k)*(x.^(2*k))/((2*k)*giaithua(2*k)); end ci=ci1; ... dung hiệu ứng âm – điện – từ mơ tả Hình 1.1 Hình 1.1 Sơ đồ hiệu ứng âm - điện - từ Hiệu ứng âm - điện - từ tương tự hiệu ứng Hall bán dẫn, dòng   âm φ giữ vai trò dòng điện j Bản chất hiệu ứng. .. lượng tử hiệu ứng động hệ thấp chiều nói chung lý thuyết lượng tử hiệu ứng âm - điện - từ hệ chiều nói riêng Ở đây, lý thuyết hiệu ứng âm - điện - từ hệ bán dẫn chiều lần xây dựng cách hệ thống... âm – điện – từ xuất hiện, mạch hở xuất trường âm - điện - từ Hiệu ứng âm – điện – từ tương tự hiệu ứng Hall bán dẫn mà dòng âm đóng vai trị dịng điện Bản chất hiệu ứng âm – điện – từ tồn dòng

Ngày đăng: 23/12/2021, 18:31

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng (2002), Lý thuyết trường lượng tử cho hệ nhiều hạt, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyết trường lượng tử chohệ nhiều hạt
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2002
[2] Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyếtbán dẫn
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2004
[3] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý bán dẫnthấp chiều
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2007
[4] Nguyễn Xuân Hãn (1998), Cơ học lượng tử, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Cơ học lượng tử
Tác giả: Nguyễn Xuân Hãn
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia HàNội
Năm: 1998
[5] Nguyễn Văn Hiếu (2014), Các hiệu ứng âm – điện – từ trong các hệ thấp chiều, Luận án tiến sĩ Vật lý, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Các hiệu ứng âm – điện – từ trong các hệ thấp chiều
Tác giả: Nguyễn Văn Hiếu
Năm: 2014
[6] Nguyễn Văn Nghĩa, Nguyễn Quang Báu (2014), Tính toán trường âm – điện – từ trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn, Tuyển tập Hội nghị khoa học Trường Đại học Thủy Lợi 11-2014, tr. 414-416 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Tính toán trường âm – điện –từ trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn
Tác giả: Nguyễn Văn Nghĩa, Nguyễn Quang Báu
Năm: 2014
[7] Nguyễn Văn Nghĩa, Nguyễn Quang Báu (2015), Hiệu ứng âm – điện và âm – điện – từ trong dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn, Tuyển tập Hội nghị khoa học Trường Đại học Thủy Lợi 11-2015, tr. 91-93 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Hiệu ứng âm – điện và âm –điện – từ trong dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn
Tác giả: Nguyễn Văn Nghĩa, Nguyễn Quang Báu
Năm: 2015
[8] Hoàng Đình Triển (2012), Nghiên cứu sự hấp thụ phi tuyến sóng điện từ bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử, Luận án tiến sĩ Vật lý, Đại học Quốc gia Hà Nội, Hà Nội.Tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nghiên cứu sự hấp thụ phi tuyến sóng điện từ bởiđiện tử giam cầm trong dây lượng tử
Tác giả: Hoàng Đình Triển
Năm: 2012
[9] Astley M. R., M. Kataoka, C. J. B. Ford, C. H. M. Barnes, M. D. Godfrey (2008), “Quantized acoustoelectric current in an quantum well”, Journal of Apply phys. 103, pp. 096102-096105 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Quantized acoustoelectric current in an quantum well”, "Journal ofApply phys
Tác giả: Astley M. R., M. Kataoka, C. J. B. Ford, C. H. M. Barnes, M. D. Godfrey
Năm: 2008
[10]Antonyuk V. B., MalŠ S. A. G., Larsson M. and Chao K. A. (2004), “Effect of electron-phonon interaction on electron conductance in one-dimensional systems”. Phys. Rev. B 69, pp. 155308-155314 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Effect ofelectron-phonon interaction on electron conductance in one-dimensionalsystems”. "Phys. Rev
Tác giả: Antonyuk V. B., MalŠ S. A. G., Larsson M. and Chao K. A
Năm: 2004
[11]Ando T., Fowler A. B. and Stern F.(1982), “Electronic properties of two- dimensional systems”, Rev. Mod. Phys. 54, pp. 437-672 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electronic properties of two-dimensional systems”, "Rev. Mod. Phys
Tác giả: Ando T., Fowler A. B. and Stern F
Năm: 1982
[12]N. Q. Bau, N. V. Hieu, N. V. Nhan (2012), “The quantum acoustomagnetoelectric field in a quantum well with a parabolic potential” Sách, tạp chí
Tiêu đề: The quantumacoustomagnetoelectric field in a quantum well with a parabolic potential
Tác giả: N. Q. Bau, N. V. Hieu, N. V. Nhan
Năm: 2012
[13]N. Q. Bau, N. V. Hieu (2013), “The quantum acoustoelectric current in doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be”, Superlattices and Microstructure 63, pp. 121–130 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The quantum acoustoelectric current in dopedsuperlattice GaAs:Si/GaAs:Be”, "Superlattices and Microstructure
Tác giả: N. Q. Bau, N. V. Hieu
Năm: 2013
[14]N. Q. Bau, N. V. Nhan, and T. C. Phong (2002), “Calculations of the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in doped superlattices by using the Kubo-Mori method”, J. Korean. Phys. Soc., 41, pp.149-154 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculations of the absorptioncoefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in dopedsuperlattices by using the Kubo-Mori method”, "J. Korean. Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau, N. V. Nhan, and T. C. Phong
Năm: 2002
[15]N. Q. Bau, L. Dinh and T. C. Phong (2007), “Absorption coefficient of weak electromagnetic waves caused by confined electrons in quantum wires”, J.Korean. Phys. Soc., 51, pp. 1325-1330 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Absorption coefficient of weakelectromagnetic waves caused by confined electrons in quantum wires”, "J."Korean. Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau, L. Dinh and T. C. Phong
Năm: 2007
[16]N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc (2009), “The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, J. Korean Phys. Soc., 54, pp. 765-773 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorptioncoefficient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons inquantum wells”, "J. Korean Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc
Năm: 2009
[17]N. Q. Bau, L. T. Hung, and N. D. Nam (2010), “The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, JEMWA, J. of Electromagnetic Waves and Appl. 24, pp. 1751-1761 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorptioncoefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in quantumwells under the influences of confined phonons”, "JEMWA, J. ofElectromagnetic Waves and Appl
Tác giả: N. Q. Bau, L. T. Hung, and N. D. Nam
Năm: 2010
[18]N. Q. Bau, D. M. Hung, and L. T. Hung (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, PIER Letter 15, pp. 175- 185 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The influences of confinedphonons on the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagneticwave by confined electrons in doping superlattices”, "PIER Letter
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung, and L. T. Hung
Năm: 2010
[19]N. Q. Bau and D. M. Hung (2010), “Calculation of the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, PIER B25, pp. 39-52 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculation of the nonlinear absorptioncoefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in dopingsuperlattices”, "PIER B25
Tác giả: N. Q. Bau and D. M. Hung
Năm: 2010
[20]N. Q. Bau and H. D. Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”, J. Korean. Phys. Soc., 56, pp. 120-127 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorption coefficient ofstrong electromagnetic waves caused by electrons confined in quantum wires”,"J. Korean. Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau and H. D. Trien
Năm: 2010

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w