1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

75 30 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Nghiên Cứu Mô Phỏng Pin Mặt Trời Màng Mỏng Đa Lớp Dựa Trên Vật Liệu Nền Cu2ZnSnS4
Tác giả Đào Thị Trúc Quyên
Người hướng dẫn TS. Trần Thanh Thái
Trường học Đại học Quy Nhơn
Chuyên ngành Vật lý
Thể loại luận văn thạc sĩ
Năm xuất bản 2019
Thành phố Bình Định
Định dạng
Số trang 75
Dung lượng 3,44 MB

Nội dung

Ngày đăng: 22/11/2021, 19:56

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Võ Thạch Sơn (2001), “Linh kiện bán dẫn và vi điện tử”, NXB KHKT [2] Trần Thanh Thái (2012), “Nghiên cứu vật lý và công nghệ PMT màngmỏng cấu trúc đảo Glass/ZnO:In/CdS/CuInS 2 /Metal chế tạo bằng phương pháp phun phủ nhiệt phân toàn phần (FSPD)”, Luận án tiến sỹ - Vật lý kỹ thuật Sách, tạp chí
Tiêu đề: Linh kiện bán dẫn và vi điện tử"”, NXB KHKT [2] Trần Thanh Thái (2012), "“Nghiên cứu vật lý và công nghệ PMT màng "mỏng cấu trúc đảo Glass/ZnO:In/CdS/CuInS"2"/Metal chế tạo bằng phương pháp phun phủ nhiệt phân toàn phần (FSPD)”
Tác giả: Võ Thạch Sơn (2001), “Linh kiện bán dẫn và vi điện tử”, NXB KHKT [2] Trần Thanh Thái
Nhà XB: NXB KHKT [2] Trần Thanh Thái (2012)
Năm: 2012
[3] Phạm Anh Tuân (2017), “Nghiên cứu và chế tạo pin mặt trời Cu(Zn,Sn)(S,Se) 2 và Cu(In,Ga)(S,Se) 2 ”, Luận án tiến sĩ khoa học vật liệu Tài liệu tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Nghiên cứu và chế tạo pin mặt trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)"2" và Cu(In,Ga)(S,Se)"2"”
Tác giả: Phạm Anh Tuân
Năm: 2017
[4] A. Einstein (1905), “ĩber einen die Erzeugung und Verwandlung des Lichtes betreffenden heuristischen Gesichtsounkt”, Annalen der Physik, vol. 17, pp. 132-148 Sách, tạp chí
Tiêu đề: ĩber einen die Erzeugung und Verwandlung des Lichtes betreffenden heuristischen Gesichtsounkt”
Tác giả: A. Einstein
Năm: 1905
[5] A. Niemegeers and M. Burgelman (1996), "Numerical modelling of AC- characteristics of CdTe and CIS solar cells," in Conference Record of the Twenty Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference, pp. 901- 904 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Numerical modelling of AC-characteristics of CdTe and CIS solar cells
Tác giả: A. Niemegeers and M. Burgelman
Năm: 1996
[6] Abdellah Benami (2019), “Effect of CZTS Parameters on Photovoltaic Solar Cell from Numerical Simulation”, Journal of Energy and Power Engineering 13, 32-36 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Effect of CZTS Parameters on Photovoltaic Solar Cell from Numerical Simulation”
Tác giả: Abdellah Benami
Năm: 2019
[9] Araujo G. L, Marti A., Ragay F.W (1994), “Efficiency of multiple quantum well solar cells”, Proc. 12th. European Photovoltaic Solar Energy Connference, Amsterdam, Bedford, 1481-1484 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Efficiency of multiple quantum well solar cells”
Tác giả: Araujo G. L, Marti A., Ragay F.W
Năm: 1994
[12] Frisk, .C, Doctoral Thesis (2017), “Modeling and electrical characterization of Cu(In,Ga)Se 2 and Cu 2 ZnSnS 4 solar cells”, Uppsala University, SE-75121 Uppsala, Sweden Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Modeling and electrical characterization of Cu(In,Ga)Se"2" and Cu"2"ZnSnS"4" solar cells”
Tác giả: Frisk, .C, Doctoral Thesis
Năm: 2017
[14] Ito, K., and Nakazawa, T. (1988). “Electrical and Optical Properties of Stannite-Type Quaternary Semiconductor Thin Films.” Jpn. J. Appl.Phys. 27: 2094 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrical and Optical Properties of Stannite-Type Quaternary Semiconductor Thin Films
Tác giả: Ito, K., and Nakazawa, T
Năm: 1988
[15] J. Peng, L. Lu, and H. Yang (2013), “Review on life cycle assessment of energy payback and greenhouse gas emission of solar photovoltaic systems,” Renew. Sustain. Energy Rev., vol. 19, pp. 255-274 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Review on life cycle assessment of energy payback and greenhouse gas emission of solar photovoltaic systems
Tác giả: J. Peng, L. Lu, and H. Yang
Năm: 2013
[16] J.L. Gray (1991),“ADEPT: a general purpose numerical device simulator for modeling solar cells in one-, two-, and three-dimensions”, In Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record of the Twenty Second IEEE, pp. 436–438 Sách, tạp chí
Tiêu đề: ADEPT: a general purpose numerical device simulator for modeling solar cells in one-, two-, and three-dimensions”
Tác giả: J.L. Gray
Năm: 1991
[17] Kentaro, I.(2015). “Copper Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Solar Cells”. New York: John Wiley & Sons Sách, tạp chí
Tiêu đề: Copper Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Solar Cells”
Tác giả: Kentaro, I
Năm: 2015
[19] M. ZHONG, S. LIU, H. LI, C. LI (2018), “Superstrate-type Cu 2 ZnSnS 4solar cells without sulfurization fabricated by spray pyrolysis”, Chalcogenide Letters Vol. 15, No. 3, pp. 133 – 137 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Superstrate-type Cu"2"ZnSnS"4"solar cells without sulfurization fabricated by spray pyrolysis”
Tác giả: M. ZHONG, S. LIU, H. LI, C. LI
Năm: 2018
[20] New world Record, (2014), “New world record for solar cell efficiency at 46% French-German cooperation confirms competitive advantage of European photovoltaic industry”, Fraunhofer ISE Sách, tạp chí
Tiêu đề: New world record for solar cell efficiency at 46% French-German cooperation confirms competitive advantage of European photovoltaic industry”
Tác giả: New world Record
Năm: 2014
[21] Nguyen Duc Hieu, Tran Thanh Thai, Luu Thi Lan Anh, Vu Thi Bich, Vo Thach Son (2011), “The role of the CdS buffer layer in all-spray ZnO/CdS/Cu(In,Al)S 2 solar cells”, Proceedings of the Sixth Vietnam-Korea International Joint Symposium Hanoi, Nov 14 - 15, 2011, pp. 181-184, ISBN: 878-604-911-113-6 Sách, tạp chí
Tiêu đề: “The role of the CdS buffer layer in all-spray ZnO/CdS/Cu(In,Al)S"2" solar cells”
Tác giả: Nguyen Duc Hieu, Tran Thanh Thai, Luu Thi Lan Anh, Vu Thi Bich, Vo Thach Son
Năm: 2011
[22] Oyedele, S. O., Aka, B. (2017), “Numerical simulation of varied buffer layer of solar cells based on CIGS”, Modeling and Numerical Simulation of Material Science 7, pp. 33-45 Sách, tạp chí
Tiêu đề: “Numerical simulation of varied buffer layer of solar cells based on CIGS”
Tác giả: Oyedele, S. O., Aka, B
Năm: 2017
[23] Rafee Mahbub, Md. Saidul Islam, Farhana Anwar, Sakin Sarwar Satter, Saeed Mahmud Ullah (2016), “Simulation of CZTS thin film solar cell for different buffer layers for high efficiency performance”, South Asian Journal of Engineering and Technology Vol.2, No.52, pp. 1-10 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Simulation of CZTS thin film solar cell for different buffer layers for high efficiency performance”
Tác giả: Rafee Mahbub, Md. Saidul Islam, Farhana Anwar, Sakin Sarwar Satter, Saeed Mahmud Ullah
Năm: 2016
[24] S. Selberherr (2013),“Analysis and simulation of semiconductor devices”, Springer, New York Sách, tạp chí
Tiêu đề: Analysis and simulation of semiconductor devices
Tác giả: S. Selberherr
Năm: 2013
[25] Shockley, W., and Queisser,H. J. (1961). “Detailed Balance Limit of Efficiency of pn Junction Solar Cells.” J. Appl. Phys. 32: 510 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Detailed Balance Limit of Efficiency of pn Junction Solar Cells
Tác giả: Shockley, W., and Queisser,H. J
Năm: 1961
[27] Sudipto Saha, MD Zubair Ebne Rafique, M. M. Shahidul Hassan, “Performance of CZTSxSe1-x Solar Cell with Various Mole Fractions of Sulfur for Different Buffer Layers”, Department of EEE, Bangladesh University of Engineering and Technology Sách, tạp chí
Tiêu đề: Performance of CZTSxSe1-x Solar Cell with Various Mole Fractions of Sulfur for Different Buffer Layers”
[28] SZE, S. . and K. K. NG (2007), “Physics of Semiconductor Device”, [29] Teodor K. Todorov, Jiang Tang, Santanu Bag, Oki Gunawan, TayfunGokmen, Yu Zhu, David B. Mitzi, “Beyond 11%” Sách, tạp chí
Tiêu đề: Physics of Semiconductor Device"”, [29] Teodor K. Todorov, Jiang Tang, Santanu Bag, Oki Gunawan, Tayfun Gokmen, Yu Zhu, David B. Mitzi, “"Beyond 11%
Tác giả: SZE, S. . and K. K. NG
Năm: 2007

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.2. Sơ đồ nguyên lý hoạt độngcủa pin mặt trời n-p tiếp xúc Silicon - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.2. Sơ đồ nguyên lý hoạt độngcủa pin mặt trời n-p tiếp xúc Silicon (Trang 7)
Hình 1.4. Cấu trúc pin mặt trời đơn lớp - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.4. Cấu trúc pin mặt trời đơn lớp (Trang 11)
Hình 1.6. Sự thu hẹp vùng điện tích không gian của pin mặt trời khi phân cực thuận và không được chiếu sáng  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.6. Sự thu hẹp vùng điện tích không gian của pin mặt trời khi phân cực thuận và không được chiếu sáng (Trang 13)
Hình 1.10. Đặc trưng I-V của pin mặt trời lý tưởng cho các trạng thái không được chiếu sáng (tối) và được chiếu sáng  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.10. Đặc trưng I-V của pin mặt trời lý tưởng cho các trạng thái không được chiếu sáng (tối) và được chiếu sáng (Trang 15)
Hình 1.14. Cấu trúc vật liệu CZTS a) Cấu trúc Kesterite, b) Cấu trúc Stannite  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.14. Cấu trúc vật liệu CZTS a) Cấu trúc Kesterite, b) Cấu trúc Stannite (Trang 24)
Hình 1.15. Sự phát triển của số lượng nghiên cứu được công bố mỗi năm về pin mặt trời CZTS tính đến tháng 9 năm 2018 (nguồn: Cơ sở dữ liệu Web of Science)  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.15. Sự phát triển của số lượng nghiên cứu được công bố mỗi năm về pin mặt trời CZTS tính đến tháng 9 năm 2018 (nguồn: Cơ sở dữ liệu Web of Science) (Trang 25)
Hình 2.1. Giao diện sử dụng phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.1. Giao diện sử dụng phần mềm SCAPS-1D (Trang 28)
Hình 2.2. Giao diện thiết kế mô hình các lớp của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.2. Giao diện thiết kế mô hình các lớp của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D (Trang 29)
Hình 2.4. Giao diện hiển thị kết quả các thôngđầu ra của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.4. Giao diện hiển thị kết quả các thôngđầu ra của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D (Trang 30)
Hình 2.6. a) Ánh sáng mặt trời tới Trái đất và b) Một số phổ chuẩn - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.6. a) Ánh sáng mặt trời tới Trái đất và b) Một số phổ chuẩn (Trang 38)
Hình 2.7. Phổ hấp thụ đối với các lớp trong pin mặt trời CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.7. Phổ hấp thụ đối với các lớp trong pin mặt trời CZTS (Trang 41)
Bảng 2.3. Các thông số trạng thái khuyết tật trong khối Thông số Đơn vị  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 2.3. Các thông số trạng thái khuyết tật trong khối Thông số Đơn vị (Trang 43)
Hình 3.1. Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.1. Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag (Trang 44)
Hình 3.2. Mô hình mô phỏng SCAPS-1D của pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.2. Mô hình mô phỏng SCAPS-1D của pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag (Trang 45)
4. Tính chất các điện trở - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
4. Tính chất các điện trở (Trang 47)
Hình 3.3. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo chiều dày lớp đệm δ CdS  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.3. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo chiều dày lớp đệm δ CdS (Trang 48)
Bảng 3.3. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi chiều dày của lớp hấp thụ CZTS thay đổi  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.3. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi chiều dày của lớp hấp thụ CZTS thay đổi (Trang 50)
Hình 3.5. Sự thay đổi hiệu suất lượng tử EQE() theo chiều dày lớp hấp thụ δCZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.5. Sự thay đổi hiệu suất lượng tử EQE() theo chiều dày lớp hấp thụ δCZTS (Trang 51)
Bảng 3.4. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi độ rộng vùng cấm quang lớp hấp thụ thay đổi  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.4. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi độ rộng vùng cấm quang lớp hấp thụ thay đổi (Trang 52)
Hình 3.6. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo Eg của CZTS  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.6. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo Eg của CZTS (Trang 53)
Hình 3.7. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo NA  của lớp hấp thụ CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.7. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo NA của lớp hấp thụ CZTS (Trang 54)
Bảng 3.6. Các thông số quang điện của pin mặt trời mô phỏng bằng SCAPS-1D khi nồng độ ND của lớp đệm CdS thay đổi  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.6. Các thông số quang điện của pin mặt trời mô phỏng bằng SCAPS-1D khi nồng độ ND của lớp đệm CdS thay đổi (Trang 56)
Hình 3.8. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp đệm CdS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.8. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp đệm CdS (Trang 57)
Hình 3.9. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy,  (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND  của lớp cửa sổ ZnO - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.9. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp cửa sổ ZnO (Trang 58)
Hình 3.11. Quy trình công nghệ pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/CdS/CZTS/Ag chế tạo bằng phương pháp FSPD  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.11. Quy trình công nghệ pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/CdS/CZTS/Ag chế tạo bằng phương pháp FSPD (Trang 60)
Từ đặc trưng J-V sáng hình 3.13, các thông số quang điện được xác định như trình bày trong bảng 3.8 và hình 3.14 - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
c trưng J-V sáng hình 3.13, các thông số quang điện được xác định như trình bày trong bảng 3.8 và hình 3.14 (Trang 62)
Hình 3.14. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy,  (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo nhiệt độ làm việc T - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.14. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo nhiệt độ làm việc T (Trang 63)
Bảng 3.9. Một số thông số vật liệu sử dụng mô phỏng pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm (CdS, In2S3, ZnS, ZnSe)/CZTS/Ag  - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.9. Một số thông số vật liệu sử dụng mô phỏng pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm (CdS, In2S3, ZnS, ZnSe)/CZTS/Ag (Trang 67)
Hình 3.16. Đặc trưng J-V của pin mặt trời ứng với các lớp đệm khác nhau Bảng 3.10. Các thông số quang điện của pin mặt trời với các lớp đệm khác nhau   - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.16. Đặc trưng J-V của pin mặt trời ứng với các lớp đệm khác nhau Bảng 3.10. Các thông số quang điện của pin mặt trời với các lớp đệm khác nhau (Trang 67)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w