1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

75 30 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 75
Dung lượng 3,44 MB

Nội dung

Ngày đăng: 22/11/2021, 19:56

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.2. Sơ đồ nguyên lý hoạt độngcủa pin mặt trời n-p tiếp xúc Silicon - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.2. Sơ đồ nguyên lý hoạt độngcủa pin mặt trời n-p tiếp xúc Silicon (Trang 7)
Hình 1.4. Cấu trúc pin mặt trời đơn lớp - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.4. Cấu trúc pin mặt trời đơn lớp (Trang 11)
Hình 1.6. Sự thu hẹp vùng điện tích không gian của pin mặt trời khi phân cực thuận và không được chiếu sáng - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.6. Sự thu hẹp vùng điện tích không gian của pin mặt trời khi phân cực thuận và không được chiếu sáng (Trang 13)
Hình 1.10. Đặc trưng I-V của pin mặt trời lý tưởng cho các trạng thái không được chiếu sáng (tối) và được chiếu sáng - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.10. Đặc trưng I-V của pin mặt trời lý tưởng cho các trạng thái không được chiếu sáng (tối) và được chiếu sáng (Trang 15)
Hình 1.14. Cấu trúc vật liệu CZTS a) Cấu trúc Kesterite, b) Cấu trúc Stannite - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.14. Cấu trúc vật liệu CZTS a) Cấu trúc Kesterite, b) Cấu trúc Stannite (Trang 24)
Hình 1.15. Sự phát triển của số lượng nghiên cứu được công bố mỗi năm về pin mặt trời CZTS tính đến tháng 9 năm 2018 (nguồn: Cơ sở dữ liệu Web of Science) - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 1.15. Sự phát triển của số lượng nghiên cứu được công bố mỗi năm về pin mặt trời CZTS tính đến tháng 9 năm 2018 (nguồn: Cơ sở dữ liệu Web of Science) (Trang 25)
Hình 2.1. Giao diện sử dụng phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.1. Giao diện sử dụng phần mềm SCAPS-1D (Trang 28)
Hình 2.2. Giao diện thiết kế mô hình các lớp của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.2. Giao diện thiết kế mô hình các lớp của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D (Trang 29)
Hình 2.4. Giao diện hiển thị kết quả các thôngđầu ra của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.4. Giao diện hiển thị kết quả các thôngđầu ra của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D (Trang 30)
Hình 2.6. a) Ánh sáng mặt trời tới Trái đất và b) Một số phổ chuẩn - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.6. a) Ánh sáng mặt trời tới Trái đất và b) Một số phổ chuẩn (Trang 38)
Hình 2.7. Phổ hấp thụ đối với các lớp trong pin mặt trời CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 2.7. Phổ hấp thụ đối với các lớp trong pin mặt trời CZTS (Trang 41)
Bảng 2.3. Các thông số trạng thái khuyết tật trong khối Thông số Đơn vị - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 2.3. Các thông số trạng thái khuyết tật trong khối Thông số Đơn vị (Trang 43)
Hình 3.1. Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.1. Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag (Trang 44)
Hình 3.2. Mô hình mô phỏng SCAPS-1D của pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.2. Mô hình mô phỏng SCAPS-1D của pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag (Trang 45)
4. Tính chất các điện trở - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
4. Tính chất các điện trở (Trang 47)
Hình 3.3. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo chiều dày lớp đệm δ CdS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.3. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo chiều dày lớp đệm δ CdS (Trang 48)
Bảng 3.3. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi chiều dày của lớp hấp thụ CZTS thay đổi - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.3. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi chiều dày của lớp hấp thụ CZTS thay đổi (Trang 50)
Hình 3.5. Sự thay đổi hiệu suất lượng tử EQE() theo chiều dày lớp hấp thụ δCZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.5. Sự thay đổi hiệu suất lượng tử EQE() theo chiều dày lớp hấp thụ δCZTS (Trang 51)
Bảng 3.4. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi độ rộng vùng cấm quang lớp hấp thụ thay đổi - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.4. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi độ rộng vùng cấm quang lớp hấp thụ thay đổi (Trang 52)
Hình 3.6. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo Eg của CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.6. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo Eg của CZTS (Trang 53)
Hình 3.7. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo NA của lớp hấp thụ CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.7. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo NA của lớp hấp thụ CZTS (Trang 54)
Bảng 3.6. Các thông số quang điện của pin mặt trời mô phỏng bằng SCAPS-1D khi nồng độ ND của lớp đệm CdS thay đổi - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.6. Các thông số quang điện của pin mặt trời mô phỏng bằng SCAPS-1D khi nồng độ ND của lớp đệm CdS thay đổi (Trang 56)
Hình 3.8. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp đệm CdS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.8. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp đệm CdS (Trang 57)
Hình 3.9. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp cửa sổ ZnO - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.9. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp cửa sổ ZnO (Trang 58)
Hình 3.11. Quy trình công nghệ pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/CdS/CZTS/Ag chế tạo bằng phương pháp FSPD - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.11. Quy trình công nghệ pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/CdS/CZTS/Ag chế tạo bằng phương pháp FSPD (Trang 60)
Từ đặc trưng J-V sáng hình 3.13, các thông số quang điện được xác định như trình bày trong bảng 3.8 và hình 3.14 - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
c trưng J-V sáng hình 3.13, các thông số quang điện được xác định như trình bày trong bảng 3.8 và hình 3.14 (Trang 62)
Hình 3.14. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo nhiệt độ làm việc T - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.14. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo nhiệt độ làm việc T (Trang 63)
Bảng 3.9. Một số thông số vật liệu sử dụng mô phỏng pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm (CdS, In2S3, ZnS, ZnSe)/CZTS/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Bảng 3.9. Một số thông số vật liệu sử dụng mô phỏng pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm (CdS, In2S3, ZnS, ZnSe)/CZTS/Ag (Trang 67)
Hình 3.16. Đặc trưng J-V của pin mặt trời ứng với các lớp đệm khác nhau Bảng 3.10. Các thông số quang điện của pin mặt trời với các lớp đệm khác nhau - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4
Hình 3.16. Đặc trưng J-V của pin mặt trời ứng với các lớp đệm khác nhau Bảng 3.10. Các thông số quang điện của pin mặt trời với các lớp đệm khác nhau (Trang 67)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w