1. Trang chủ
  2. Giáo Dục - Đào Tạo

(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

75 30 0
(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Ngày đăng: 22/11/2021, 19:56

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Hình 1.2. Sơ đồ nguyên lý hoạt độngcủa pin mặt trời n-p tiếp xúc Silicon - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 1.2..

Sơ đồ nguyên lý hoạt độngcủa pin mặt trời n-p tiếp xúc Silicon Xem tại trang 7 của tài liệu.
Hình 1.4. Cấu trúc pin mặt trời đơn lớp - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 1.4..

Cấu trúc pin mặt trời đơn lớp Xem tại trang 11 của tài liệu.
Hình 1.6. Sự thu hẹp vùng điện tích không gian của pin mặt trời khi phân cực thuận và không được chiếu sáng - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 1.6..

Sự thu hẹp vùng điện tích không gian của pin mặt trời khi phân cực thuận và không được chiếu sáng Xem tại trang 13 của tài liệu.
Hình 1.10. Đặc trưng I-V của pin mặt trời lý tưởng cho các trạng thái không được chiếu sáng (tối) và được chiếu sáng - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 1.10..

Đặc trưng I-V của pin mặt trời lý tưởng cho các trạng thái không được chiếu sáng (tối) và được chiếu sáng Xem tại trang 15 của tài liệu.
Hình 1.14. Cấu trúc vật liệu CZTS a) Cấu trúc Kesterite, b) Cấu trúc Stannite - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 1.14..

Cấu trúc vật liệu CZTS a) Cấu trúc Kesterite, b) Cấu trúc Stannite Xem tại trang 24 của tài liệu.
Hình 1.15. Sự phát triển của số lượng nghiên cứu được công bố mỗi năm về pin mặt trời CZTS tính đến tháng 9 năm 2018 (nguồn: Cơ sở dữ liệu Web of Science) - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 1.15..

Sự phát triển của số lượng nghiên cứu được công bố mỗi năm về pin mặt trời CZTS tính đến tháng 9 năm 2018 (nguồn: Cơ sở dữ liệu Web of Science) Xem tại trang 25 của tài liệu.
Hình 2.1. Giao diện sử dụng phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 2.1..

Giao diện sử dụng phần mềm SCAPS-1D Xem tại trang 28 của tài liệu.
Hình 2.2. Giao diện thiết kế mô hình các lớp của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 2.2..

Giao diện thiết kế mô hình các lớp của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D Xem tại trang 29 của tài liệu.
Hình 2.4. Giao diện hiển thị kết quả các thôngđầu ra của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 2.4..

Giao diện hiển thị kết quả các thôngđầu ra của pin mặt trời trên phần mềm SCAPS-1D Xem tại trang 30 của tài liệu.
Hình 2.6. a) Ánh sáng mặt trời tới Trái đất và b) Một số phổ chuẩn - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 2.6..

a) Ánh sáng mặt trời tới Trái đất và b) Một số phổ chuẩn Xem tại trang 38 của tài liệu.
Hình 2.7. Phổ hấp thụ đối với các lớp trong pin mặt trời CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 2.7..

Phổ hấp thụ đối với các lớp trong pin mặt trời CZTS Xem tại trang 41 của tài liệu.
Bảng 2.3. Các thông số trạng thái khuyết tật trong khối Thông số Đơn vị - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Bảng 2.3..

Các thông số trạng thái khuyết tật trong khối Thông số Đơn vị Xem tại trang 43 của tài liệu.
Hình 3.1. Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.1..

Cấu trúc pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag Xem tại trang 44 của tài liệu.
Hình 3.2. Mô hình mô phỏng SCAPS-1D của pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.2..

Mô hình mô phỏng SCAPS-1D của pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm/Cu2ZnSnS4/Ag Xem tại trang 45 của tài liệu.
4. Tính chất các điện trở - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

4..

Tính chất các điện trở Xem tại trang 47 của tài liệu.
Hình 3.3. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo chiều dày lớp đệm δ CdS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.3..

Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo chiều dày lớp đệm δ CdS Xem tại trang 48 của tài liệu.
Bảng 3.3. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi chiều dày của lớp hấp thụ CZTS thay đổi - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Bảng 3.3..

Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi chiều dày của lớp hấp thụ CZTS thay đổi Xem tại trang 50 của tài liệu.
Hình 3.5. Sự thay đổi hiệu suất lượng tử EQE() theo chiều dày lớp hấp thụ δCZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.5..

Sự thay đổi hiệu suất lượng tử EQE() theo chiều dày lớp hấp thụ δCZTS Xem tại trang 51 của tài liệu.
Bảng 3.4. Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi độ rộng vùng cấm quang lớp hấp thụ thay đổi - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Bảng 3.4..

Các thông số quang điện của pin mặt trời CZTS mô phỏng bằng SCAPS-1D khi độ rộng vùng cấm quang lớp hấp thụ thay đổi Xem tại trang 52 của tài liệu.
Hình 3.6. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo Eg của CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.6..

Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo Eg của CZTS Xem tại trang 53 của tài liệu.
Hình 3.7. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo NA của lớp hấp thụ CZTS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.7..

Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo NA của lớp hấp thụ CZTS Xem tại trang 54 của tài liệu.
Bảng 3.6. Các thông số quang điện của pin mặt trời mô phỏng bằng SCAPS-1D khi nồng độ ND của lớp đệm CdS thay đổi - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Bảng 3.6..

Các thông số quang điện của pin mặt trời mô phỏng bằng SCAPS-1D khi nồng độ ND của lớp đệm CdS thay đổi Xem tại trang 56 của tài liệu.
Hình 3.8. Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp đệm CdS - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.8..

Sự thay đổi (a) điện áp hở mạch, (b) mật độ dòng ngắn mạch, (c) hệ số lấp đầy và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp đệm CdS Xem tại trang 57 của tài liệu.
Hình 3.9. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp cửa sổ ZnO - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.9..

Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo ND của lớp cửa sổ ZnO Xem tại trang 58 của tài liệu.
Hình 3.11. Quy trình công nghệ pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/CdS/CZTS/Ag chế tạo bằng phương pháp FSPD - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.11..

Quy trình công nghệ pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo glass/ZnO:In/CdS/CZTS/Ag chế tạo bằng phương pháp FSPD Xem tại trang 60 của tài liệu.
Từ đặc trưng J-V sáng hình 3.13, các thông số quang điện được xác định như trình bày trong bảng 3.8 và hình 3.14 - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

c.

trưng J-V sáng hình 3.13, các thông số quang điện được xác định như trình bày trong bảng 3.8 và hình 3.14 Xem tại trang 62 của tài liệu.
Hình 3.14. Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo nhiệt độ làm việc T - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.14..

Sự thay đổi (a) mật độ dòng ngắn mạch, (b) hệ số lấp đầy, (c) điện áp hở mạch và (d) hiệu suất chuyển đổi theo nhiệt độ làm việc T Xem tại trang 63 của tài liệu.
Bảng 3.9. Một số thông số vật liệu sử dụng mô phỏng pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm (CdS, In2S3, ZnS, ZnSe)/CZTS/Ag - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Bảng 3.9..

Một số thông số vật liệu sử dụng mô phỏng pin mặt trời glass/ZnO:In/lớp đệm (CdS, In2S3, ZnS, ZnSe)/CZTS/Ag Xem tại trang 67 của tài liệu.
Hình 3.16. Đặc trưng J-V của pin mặt trời ứng với các lớp đệm khác nhau Bảng 3.10. Các thông số quang điện của pin mặt trời với các lớp đệm khác nhau - (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu mô phỏng pin mặt trời màng đa lớp dựa trên vật liệu nền cu2znsns4

Hình 3.16..

Đặc trưng J-V của pin mặt trời ứng với các lớp đệm khác nhau Bảng 3.10. Các thông số quang điện của pin mặt trời với các lớp đệm khác nhau Xem tại trang 67 của tài liệu.

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan