1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)

27 22 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 27
Dung lượng 1,25 MB

Nội dung

Ngày đăng: 16/11/2021, 16:38

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 4.1 (E, F) với độ dày lớp biến tính NiO là 10 nm cho thấy mật độ các hạt NiO trên bề mặt dây SnO2 là dày đặc và bao phủ toàn bộ lõi - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.1 (E, F) với độ dày lớp biến tính NiO là 10 nm cho thấy mật độ các hạt NiO trên bề mặt dây SnO2 là dày đặc và bao phủ toàn bộ lõi (Trang 13)
Hình 4.5. Đặc trưng cảm biến khí H2S (1 ppm -10 ppm) của dây nano SnO 2/NiO - 5 nm tại các nhiệt độ khác nhau (A) 200; (B) 250; (C) 300 o C; - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.5. Đặc trưng cảm biến khí H2S (1 ppm -10 ppm) của dây nano SnO 2/NiO - 5 nm tại các nhiệt độ khác nhau (A) 200; (B) 250; (C) 300 o C; (Trang 14)
Hình 4.7. Tính chọn lọc (A) và độ ổn định (B) của cảm biến - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.7. Tính chọn lọc (A) và độ ổn định (B) của cảm biến (Trang 15)
3.2. 1. Hình thái và cấu trúc - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
3.2. 1. Hình thái và cấu trúc (Trang 16)
Hình 3.12. Độ đáp ứng khí của các cảm biến (A) tại 200o C; Thời gian đáp ứng khí của các cảm biến tại các nhiệt độ khác nhau (B) - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 3.12. Độ đáp ứng khí của các cảm biến (A) tại 200o C; Thời gian đáp ứng khí của các cảm biến tại các nhiệt độ khác nhau (B) (Trang 18)
Bảng 3.1. So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa trên cảm biến khí SnO2 và SnO 2/p-SMO. - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Bảng 3.1. So sánh độ đáp ứng khí H2S dựa trên cảm biến khí SnO2 và SnO 2/p-SMO (Trang 19)
4.2.1. Kết quả hình thái và cấu trúc SnO2/ZnO - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
4.2.1. Kết quả hình thái và cấu trúc SnO2/ZnO (Trang 20)
Hình 4.4 (A) cho thấy tại 350 oC cảm biến cho độ đáp ứng khí H2 S – 2,5 ppm tốt nhất là 7,8 lần trong khi độ đáp ứng của cảm biến tại các nhiệt độ 300 oC và 400 oC cỡ 5,6 lần - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.4 (A) cho thấy tại 350 oC cảm biến cho độ đáp ứng khí H2 S – 2,5 ppm tốt nhất là 7,8 lần trong khi độ đáp ứng của cảm biến tại các nhiệt độ 300 oC và 400 oC cỡ 5,6 lần (Trang 21)
Hình 4.6. (A) Độ đáp ứng khí H2S (0,25 -2,5 ppm); (B) Thời gian hồi - đáp khí tại nhiệt độ 350 oC của các cảm biến SnO 2 /ZnO có độ dày lớp biến tính - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.6. (A) Độ đáp ứng khí H2S (0,25 -2,5 ppm); (B) Thời gian hồi - đáp khí tại nhiệt độ 350 oC của các cảm biến SnO 2 /ZnO có độ dày lớp biến tính (Trang 22)
Kết quả biểu thị trên hình 3.7 cho thấy rằng cảm biến cho độ đáp ứng rất thấp đối với các loại khí khử khác H2S hầu như chỉ cho giá trị khoảng 10% đến 40%, mặc dù nồng độ khí khảo sát là cao hơn rất nhiều đối với nồng độ khí H2 S – 2,5 ppm - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
t quả biểu thị trên hình 3.7 cho thấy rằng cảm biến cho độ đáp ứng rất thấp đối với các loại khí khử khác H2S hầu như chỉ cho giá trị khoảng 10% đến 40%, mặc dù nồng độ khí khảo sát là cao hơn rất nhiều đối với nồng độ khí H2 S – 2,5 ppm (Trang 22)
4.3.1. Kết quả phân tích hình thái cấu trúc - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
4.3.1. Kết quả phân tích hình thái cấu trúc (Trang 23)
Hình 4.13. (A-C) Độ đáp ứng khí H2S (0,1–1 ppm) của các cảm biến SnO 2/WO3 – 5 nm tại các nhiệt độ 150 oC, 200 oC và 250 oC; (D) - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.13. (A-C) Độ đáp ứng khí H2S (0,1–1 ppm) của các cảm biến SnO 2/WO3 – 5 nm tại các nhiệt độ 150 oC, 200 oC và 250 oC; (D) (Trang 24)
Hình 4.17. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 5 nm tại 200 oC - Nghiên cứu chế tạo và tính nhạy khí của cấu trúc dị thể giữa dây nano sno2 và một số oxit kim loại bán dẫn (tt)
Hình 4.17. Tính chọn lọc của cảm biến cấu trúc dây nano SnO2/WO3 5 nm tại 200 oC (Trang 25)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w