THIẾT KẾ MẠCH TÍCH HỢP TƯƠNG TỰ đề TÀI THIẾT KẾ MẠCH SO SÁNH CMOS

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP THÁI NGUYÊN eee KHOA: ĐIỆN TỬ ĐỒ ÁN MÔN HỌC: THIẾT KẾ MẠCH TÍCH HỢP TƯƠNG TỰ ĐỀ TÀI: THIẾT KẾ MẠCH SO SÁNH CMOS Giảng viên hướng dẫn: Đặng Thị Ngọc Ánh Sinh viên thực hiện: Dương Quỳnh Giang MSSV: K185520207060 Lớp: K54KĐT.01 Thái Nguyên 2021 TRƯỜNG ĐHKTCN CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM KHOA ĐIỆN TỬ Độc lập - Tự - Hạnh phúc PHIẾU GIAO NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN MƠN HỌC THIẾT KẾ MẠCH TÍCH HỢP TƯƠNG TỰ Sinh viên: Dương Quỳnh Giang MSSV:K185520207060 Lớp: K54KĐT.01 Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử Giảng viên hướng dẫn: Đặng Thị Ngọc Ánh Tên đề tài : THIẾT KẾ MẠCH SO SÁNH CMOS Nội dung thực hiện: - Phân tích tìm hiểu tổng quan vai trị ý nghĩa mạch so sánh đời sống thực tiễn - Tìm hiểu nghiên cứu nguyên lý hoạt động mạch so sánh có trễ - Thiết kế mạch so sánh có trễ - Mơ mạch so sánh có trễ sử dụng CMOS phần mềm ORCAD - Báo cáo đồ án Ngày giao nhiệm vụ: 26/03/2021 Ngày hoàn thành nhiệm vụ: 01/09/2021 BCN KHOA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN (Ký ghi rõ họ tên) (Ký ghi rõ họ tên) NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………… ………………………………………… Thái Nguyên, ngày….tháng… năm 2021 GVHD (Ký ghi rõ họ tên) TRƯỜNG ĐHKTCN CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM KHOA ĐIỆN TỬ Độc lập – Tự – Hạnh phúc PHIẾU CHẤM VÀ NHẬN XÉT ĐỒ ÁN MÔN HỌC Sinh viên: Dương Quỳnh Giang MSSV: K185520207060 Lớp: K54KĐT.01 GV hướng dẫn: T.S Đặng Thị Ngọc Ánh Đề tài: THIẾT KẾ MẠCH SO SÁNH CMOS NHẬN XÉT CỦA CÁN BỘ CHẤM: Xếp loại: Điểm: Thái Nguyên, ngày……tháng… năm 2021 Cán chấm (Ký ghi rõ họ tên MỤC LỤC LỜI MỞ ĐẦU .1 CHƯƠNG I: TỔNG QUAN VỀ THIẾT KẾ MẠCH TÍCH HỢP TƯƠNG TỰ 1.1 Mạch tích hợp tương tự 1.1.1 Định nghĩa mạch tích hợp tương tự 1.1.2 Vai trò ứng dụng thực tế 1.2 Thiết kế mạch tích hợp tương tự 1.2.1 Quy trình thiết kế 1.2.2 Các công nghệ thiết kế 1.2.2.1 Định nghĩa công nghệ CMOS .10 1.2.2.2 Phân loại 11 1.2.2.3 Đặc tính kỹ thuật 12 1.2.3 Các công cụ lập trình mơ thiết kế .13 CHƯƠNG II: MẠCH SO SÁNH VỚI ĐẦU VÀO NMOS 16 2.1 Bộ so sánh 16 2.1.1 Định nghĩa so sánh 16 2.1.2 Nguyên lí hoạt động 17 2.1.3 Chức ứng dụng 17 2.1.4 Phân loại .18 2.2 Cấu hình mạch so sánh 20 2.2.1 Mạch so sánh ngưỡng 20 2.2.2 Mạch so sánh ngưỡng 21 2.3 Đặc tính mạch so sánh - tiêu kĩ thuật 23 2.3.1 Đặc tính tĩnh .23 2.3.2 Đặc tính động .27 2.4 Các cấu trúc dùng mạch so sánh 30 2.4.1 Bộ so sánh tầng 30 2.4.2 Bộ so sánh hai tầng .32 2.5 Độ trễ 32 2.5.1 Định nghĩa độ trễ mạch só sánh 32 2.5.2 Thực trễ .35 2.6 Mạch so sánh với đầu vào nmos .41 2.6.1 Các thông số kỹ thuật 43 2.6.2 Các bước tính tốn 43 CHƯƠNG III: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG 47 3.1 Mơ tả tốn thiết kế .47 3.1.1 Loại mạch tiêu chí thiết kế .47 3.1.2 Tính tốn chọn thông số 47 3.2 Mô thiết kế .52 3.2.1 Đo điện áp ngưỡng 53 3.2.2 Đo hệ số khuếch đại 55 3.2.3 Đo Slew rate .55 3.2.4 Đo đáp ứng tần 57 3.2.5 Đo khoảng đồng pha đầu vào 59 3.3 Kết thu 59 3.3.1 Các kết sau mô 59 3.3.2 So sánh với tiêu chí thiết kế kết tính tốn 59 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN .60 LỜI MỞ ĐẦU Hầu hết máy tính đại kỹ thuật số Nhưng chúng hoạt động giới đầu vào tương tự thay đổi liên tục âm thanh, ánh sáng nhiệt Vì vậy, họ phải chuyển đổi tín hiệu tương tự thành tín hiệu số số để xử lý Mọi sản phẩm tiêu dung kỹ thuật số, từ thiết bị gia dụng điện thoại di động đến máy nghe nhạc, có vi mạch tương tự ni dưỡng bên Các vi mạch tương tự thường có tuổi thọ hữu ích lâu nhiều so với thiết bị kỹ thuật số Trong thiết kế mạch tinh chỉnh chi phí chip giảm quy trình sản xuất cải thiện, chức nhiều thiết bị tương tự tiếp tục hữu ích sản phẩm điện tử sau 40 năm Vi mạch tương tự sử dụng chủ yếu hệ thống điện tử để nhận tín hiệu tương tự thực hiện, pha trộn, khuếch đại, so sánh, nhân chia hoạt động, số lượng hoạt động, tương tự - chuyển đổi kỹ thuật số, mẫu - - giữ, điều chế - giải điều chế, đẩy mạnh, buck, quản lý chức khác Một liệu dạng mạch chuyển đổi (như A/D chuyển đổi, D/A,…), khuếch đại hoạt động, khuếch đại băng thông rộng,…), khuếch đại phi tuyến tính (hệ số, log/antilog khuếch đại tương tự, …), chuyển mạch tương tự (điều chỉnh tuyến tính, chuyển mạch điều khiển cung cấp điện,…), tất loại IC đặc biệt thông minh Thiết kế vi mạch tương tự quy trình cơng nghệ q trình phát triển hình thành đặc trưng riêng trình ý tưởng thiết kế hệ thống, mức độ phát triển công nghệ, loại sản phẩm, mức độ đáp ứng nhu cầu công nghệ thơng tin, ứng dụng thâm nhập vào lĩnh vực hệ thống điện tử quân dân mô vai trò quan trọng, giai đoạn khác phát triển công nghệ thông tin, tách rời từ hiệu suất cao tương tự vi mạch, vi mạch tương tự mức độ thực thường xuyên xác định mức độ sản phẩm điện tử hệ thống cấp Trong số mạch tích hợp tương tự mà tầm quan trọng nêu rõ, chúng em quan tâm đến mạch so sánh (comparators) Mạch so sánh sử dụng rộng rãi mạch điều khiển mạch mang tính định, chẳng hạn mạch bảo vệ nhiệt độ quản lý công suất Trên thực tế, so sánh xem chuyển đổi tương tự-kỹ thuật số bit đóng vai trị mạch đầu cuối hầu hết chuyển đổi tương tự - kỹ thuật số Thách thức thiết kế so sánh nảy sinh khác biệt hai tín hiệu đầu vào tương tự khơng.Trong trường hợp này, lượng nhỏ nhiễu tín hiệu đầu vào gây chuyển mạch giả đầu kỹ thuật số Ngồi ra, tín hiệu đầu vào thay đổi chậm, khác biệt điện áp trì mức gần thời gian dài Trong hai trường hợp, nhanh chóng q trình chuyển đổi đầu kỹ thuật số xảy ra, tiêu thụ quyền lực khơng cần thiết ảnh hưởng đến giai đoạn xử lý tín hiệu Trong trường hợp này, hữu ích thêm độ trễ (hysteresis) vào đặc tính truyền so sánh Độ trễ chất lượng so sánh ngưỡng đầu vào thay đổi tùy thuộc vào việc đầu vào tăng hay giảm Vậy, em xin tìm hiểu thực đề tài: “Thiết kế mạch so sánh CMOS với đầu vào NMOS” (Design a CMOS comparator with NMOS input Drivers) Do điều kiện thời gian, kiến thức kinh nghiệm thân cịn hạn chế nên đồ án khơng thể tránh khỏi sai sót Vì vậy, chúng em mong nhận thơng cảm đóng góp thầy, bạn để đồ án hồn thiện Em xin chân thành cảm ơn cô Đặng Thị Ngọc Ánh tận tình dẫn giúp đỡ chúng em hoàn thành đồ án Chúng em gửi lời cảm ơn đến thầy cô Khoa Điện tử Bộ môn Kỹ thuật điện tử hỗ trợ tạo điều kiện để chúng em hoàn thành đồ án tốt CHƯƠNG I: TỔNG QUAN VỀ THIẾT KẾ MẠCH TÍCH HỢP TƯƠNG TỰ 1.1 MẠCH TÍCH HỢP TƯƠNG TỰ 1.1.1 Định nghĩa mạch tích hợp tương tự Mạch tích hợp (integrated circuit) cịn gọi mạch tích hợp nguyên khối, chip, vi mạch IC định nghĩa tập hợp mạch điện tử với hàng triệu điện trở, tụ điện, bóng bán dẫn thành phần khác tích hợp bán dẫn vật liệu bán dẫn nhỏ, nói chung silicon Thơng thường, thiết bị điện điện tử sử dụng sống hàng ngày ứng dụng mạch tích hợp Mặc dù IC bao gồm hàng tỷ bóng bán dẫn thành phần khác chúng có kích thước nhỏ hơn, nhỏ gọn Với tiến công nghệ vi mạch, độ rộng đường dẫn mạch tích hợp giảm xuống cịn hàng chục nanomet Có nhiều loại IC khác chủ yếu IC phân thành hai loại mạch tích hợp tương tự mạch tích hợp số Trong viết này, chúng em thảo luận mạch tích hợp tương tự Hình 1.1: IC tương tự Mạch tích hợp tương tự (analog integrated circuit) có nghĩa tụ điện, điện trở, bóng bán dẫn thành phần khác thuộc mạch tương tự tích hợp để xử lý tín hiệu tương tự Các mạch tích hợp tương tự chủ yếu thiết kế cách sử dụng tính tốn thủ công phận xử lý trước phát minh vi xử lý công cụ thiết kế phụ thuộc vào phần mềm khác Thiết kế mạch tích hợp tương tự sử dụng để thiết kế khuếch đại hoạt động , điều chỉnh tuyến tính, tạo dao động, lọc tích cực vịng lặp khóa pha Các thơng số bán dẫn công suất tiêu tán, độ lợi điện trở quan tâm nhiều thiết kế mạch tích hợp tương tự 1.1.2 Vai trị ứng dụng thực tế Việc sử dụng mạch tích hợp tương tự sản phẩm điện tử tiêu dùng, trì tăng trưởng ổn định năm gần Theo nghiên cứu Databeans, báo cáo nghiên cứu thị trường cho thấy thị trường vi mạch tương tự toàn giới năm 2003-2009 có tốc độ CAGR 12% Con số cao so với tốc độ tăng trưởng sản phẩm khác Điều thị trường tương tự đạt hiệu suất cao thời gian có tiềm phát triển tương lai Trong Hiệp hội Công nghiệp bán dẫn Mỹ (SIA) có số liệu thống kê thị trường cho thấy đến năm phát triển tiếp theo, thị trường tương tự nhanh chóng vượt qua thị trường kỹ thuật số Thiết bị tương tự trở thành thị trường sản phẩm ứng dụng mạch kỹ thuật số tích hợp Có nhiều ví dụ khác thiết kế mạch tích hợp tương tự mạch quản lý nguồn, khuếch đại hoạt động cảm biến sử dụng với tín hiệu liên tục để thực chức lọc tích cực, phân phối điện cho thành phần có chip, trộn, … Ứng dụng IC tương tự để lọc chủ động Thiết kế mạch tích hợp tương tự sử dụng để lọc tích cực Bộ lọc tích cực lọc điện tử tương tự sử dụng thành phần điện tử tích cực khuếch đại sử dụng để cải thiện hiệu suất khả dự đoán lọc cách tránh cuộn cảm cồng kềnh đắt tiền Có cấu hình khác lọc tích cực (cấu trúc liên kết lọc điện tử) bao gồm lọc khóa sallen, lọc biến trạng thái, nhiều lọc phản hồi, …  Xác định kích thước tối thiểu M3 để thỏa mãn điện áp vào chế độ chung mức thấp ICMR+ = VG1(max)=3V VG1(max) = VDD - √ I DS - |V T 3| + VT1 K P (W /L)3 I DS ¿¿ ¿ ¿ (W/L)3 = = 2,5 = 15(5−3−|−1|+ 1) 12 Tương tự, chọn (W/L)3=1  Xác định kích thước M8 để làm mạch gương dịng cung cấp dịng điện Đối với VDS5 = 0,5V VDS7 = 0,5V, điện áp tương ứng với giá trị VG8=-3,5V hay VGS8 = 1,5V Cho ISD8 = 20uA, suy ra: (W/L)8= 2.20 10−6 I DS = =4 ¿¿ ¿ ¿ 40 10−6 (1,5−1)2 Điện trở bên Rb nối VG8 đất phải chọn để cung cấp dòng điện yêu cầu cho M8 Rb = 0−V G 3,5 = =175kΩ I DS 20 10−6  Chọn kích thước cụ thể cho transistor Sau tính toán chọn tỉ số W/L ta tiến hành chọn điều chỉnh độ rộng kệnh, chiều dài kênh cho mosfet Chiều dài kênh chọn cho tất trans L=6,6 μm Tính tốn chọn độ rộng kênh thỏa mãn điều kiện cân để điện áp bù đầu vào VOS nhỏ 54 Tra ns M1 M2 M3 M4 2.5 2.5 2.5 2.5 M5 M6 M7 M8 20 20 20 Kên I(u A) W/L 1,33 1,33 10,6 67 W(u m) 5,4 5,4 7,2 7,2 5,4 59,4 22,2 22,2 L(u m) 6,6 6,6 6,6 6,6 6,6 6,6 6,6 6,6 Bảng 3.3: Kích thước transistor 3.2 MÔ PHỎNG THIẾT KẾ Phần mềm sử dụng để mô thiết kế lần ORCAD Capture PSpite Bước tạo project ứng dụng Capture CIS để vẽ mạch nguyên lý cần mô Tại đây, ta thêm giá trị cho phần tử mạch tính tốn chọn mục 3.1 thông số cho transistors sau: 55 Đây ứng dụng hiển đường đặc tuyến hàm truyền mô sau them nguồn vào cho mạch Những thông số cần mô là:  Điện áp ngưỡng VOL VOH  Hệ số khuếch đại  SR  Đáp ứng tần  ICMR 3.2.1 Đo điện áp ngưỡng  Đo điện áp ngưỡng nguồn vào chiều: VG2=5Vdc VG1=0 56  Chọn chế độ quét điện áp chiều DC Sweep đầu vào bắt đầu chạy mô Bước giúp phát lỗi mạch dây nối model trans có lỗi Nếu báo lỗi cần tìm nhanh chóng khắc phục Sau chọn chế độ chạy ta đường đặc tính vào mạch so sánh Hình: 57  Theo mô cho thấy đường đặc tuyến khơng đối xứng qua gốc tọa độ nên phải có điện áp bù nhỏ đầu vào: VOS= 70uV thêm vào đầu vào VG1 Khi đó, đặc tuyến vào đối xứng qua gốc mô đây: 58 Dóng điểm cao thấp đò thị ta xác định điện áp ngưỡng ra: VOH = 4,49V VOL = -4,51V 3.2.2 Đo hệ số khuếch đại Dựa vào kết mô phần 3.2.1 ta đo chênh lệch điện áp vào ∆ Vin = VIH- VIL = 276,97u-(-257u)=533,97uV Suy hệ số khuếch đại: AV = V OH −V OL 4,49−(−4,51) = =16855 V/V 533,97 u ∆Vin 3.2.3 Đo Slew rate  Để đo tốc độ thay đổi lớn điện áp ta dung nguồn vào tín hiệu xung vng them vào cổng G M2 Đầu vào M1 điện áp bù VOS=70uV 59 Trong đó: TD thời điểm xung bắt đầu mức điện áp cao TR độ dốc sườn phải xung TF dộ dốc sường trái xung PW độ rộng xung mức PER độ rộng xung có điện áp mức cao  Chọn lại chế độ đo Time Doman cho thời gian xuất xung 40us sau kết nhưhình đây: Do dốc sườn xung đầu nhỏ nên ta zoom lại bắt đầu đo điểm sau: 60 Sauk hi dóng điểm cực sườn phải đo được: ∆ y = 4,73 –(-4,99)=9,72V ∆ x = 98,63ns Suy ra: SR= ∆Y 9,72 V = ∆X 98,63 ns = 98,55 V/us 3.2.4 Đo đáp ứng tần Để đo đáp ứng tần ta cần thay nguồn vào mạch nguồn chiều Vac với Vac =1V Lúc điện áp bù vào Vos không cần thiết Tiến hành chọn lại chế độ quét AC Sweep quét tần số ngồn vào dao động từ 1Hz đến 100MHz với bước nhảy phù hợp 61 Chạy mô ta đáp ứng tần hình dưới: 62 Dóng điểm đáp ứng tần giao với trục Ox ta thu dải thông mạch so sánh: GBW = 45,5MHz Tần số cắt đo là: GB = 4,9kHz  Vẫn chế dộ đo ta đo độ dự trữ pha PM đồ thị bên đáp ứng tần sau đây: 63 PM= -159,8o 3.2.5 Đo khoảng đồng pha đầu vào  Để đo thông số ta dung nguồn vào AC mạch đo đáp ứng tần Và chọn chế độ DC sweep quét giá trị điện áp vào Thu đồ thị Hình:  Do ICMR khoảng điện áp vào thỏa mãn đặc tính điện áp khuếch đại tuyến tính nên đo điểm ICMR là: 64 ICMR- = -1V ICMR+ = 1V 3.3 KẾT QUẢ THU ĐƯỢC 3.3.1 Các kết sau mô VOH 4,49V VOL -4,51V Av 16855V/V SR 98,55V/us GBW 45,5MHz PM -159,8o ICMR- -1V ICMR+ 1V Bảng 3.4: Kết đo sau mô 3.3.2 So sánh với tiêu chí thiết kế kết tính tốn 65 Các thơng số Tiêu chí thiết kế Kết tính tốn Kết mơ VOH(V ) 4,5 4,5 4,49 VOL(V ) -4,5 -4,5 4,51 Av(V/ V) >10000 14142 16855 SR(V/ us) >10 10 98,55 GBW( MHz) >40 40 45,5 ICMR (V) -3 -3 -1 ICMR + (V) 3 Bảng 3.5: So sánh kết sau mô với tiêu so với tính tốn Từ bảng so sánh kết ta nhận thấy tiêu kỹ thuật sau mô tương đối đáp ứng yêu cầu thiết kế Các thông số thỏa mãn tiêu hai điện áp ngưỡng ra, độ lợi hệ số khuếch đại, dải thơng mạch so sánh Ngồi tốc độ biến đổi lớn điện áp Slew Rate thỏa mãn u cầu tính tốn Thơng số chưa đáp ứng yêu cầu toán thiết kế khoảng đồng pha tín hiệu đầu vào ICMR với sai số lớn 66 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN Kết thúc phần thảo luận ta giới thiệu lý thuyết mạch so sánh thiết kế mạch tích hợp tương tự cách tổng quát Cũng định hướng trình thiết kế mạch so sánh sử dụng công nghệ CMOS dựa vào sở lý thuyết tảng từ mạch so sánh nói chung cơng thức liên quan tính tốn thơng số phục vụ cho trình thiết kế mạch so sánh CMOS Trong ADC, so sánh đóng vai trị hiệu suất nói chung Bộ so sánh xác nhanh chóng yếu tố then chốt chuyển đổi liệu tốc độ cao độ phân giải cao Tối ưu hóa điện áp bù đắp tối ưu hóa mạch áp dụng làm sở cho đề tài khác thiết kế mạch so sánh vòng hở, mạch so sánh trễ , mạch so sánh tốc độ cao tốc độ thấp Tùy thuộc vào việc sử dụng thuật tốn, q trình mã hóa thường kết nối với hàm so sánh Vì trình mã hóa nhanh so với chức so sánh, tốc độ chuyển đổi tối đa cho ADC bị giới hạn thời gian phản hồi so sánh Do đó, việc thiết kế tối ưu hóa so sánh quan trọng Bộ so sánh loại trừ khỏi ứng dụng Bộ chuyển đổi A / D tốc độ cao với độ phân giải cao sở hữu điện áp bù lớn ảnh hưởng đáng kể đến độ phân giải Do đó, cấu trúc liên kết so sánh chốt tiền khuếch đại khuếch đại thêm vào trước so sánh có chốt, nhằm đạt điện áp bù nhỏ tốc độ cao, phát triển Bộ so sánh chốt tiền khuếch đại, kết hợp khuếch đại so sánh chốt thu tốc độ cao tiêu tán cơng suất thấp Do đó, cách xem xét yếu tố tốc độ tiêu tán công suất, chốt tiền khuếch đại so sánh lựa chọn cho ADC đường ống Bộ so sánh cho thấy so sánh tín hiệu tương tự với tín hiệu tương tự khác xuất tín hiệu nhị phân dựa phép so sánh Bộ so sánh coi mạch định Bộ so sánh sử dụng rộng rãi q trình chuyển đổi tín hiệu tương tự sang tín hiệu số Vì so sánh thường sử dụng chế độ vịng hở, chúng có độ lợi vịng mở cao 67 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Phillip E Allen and, “CMOS Analog circuit Design”, Oxford University Press [2]Allen, Holberg - CMOS Analog Circuit Design second edition 2002 [3]Design-of-Analog-CMOS-Integrated-Circuit-2nd-Edition-ElectroVolt [4]Design of High Performance CMOS Comparator using 90nm Technology Shankar, G Vasudeva, R GirishJ Published 2016 68 ... tiếp CMOS, nguồn cực máng thấp LM339 lợi so với so sánh chuẩn 2.1.4 Phân loại Dựa vào cấu trúc chức mạch so sánh chia làm loại bản:  Mạch so sánh vòng hở (Open loop Comparators)  Mạch so sánh... truyền so sánh Độ trễ chất lượng so sánh ngưỡng đầu vào thay đổi tùy thuộc vào việc đầu vào tăng hay giảm Vậy, em xin tìm hiểu thực đề tài: “Thiết kế mạch so sánh CMOS với đầu vào NMOS” (Design a CMOS. .. "cao" d Hệ số tải Dòng CMOS lớn điện trở vào cmos lại lớn tức dòng vào nhỏ nên hệ số tải lớn Mỗi cổng CMOS có điện dung ngõ vào khoảng 5pF nên có nhiều nhiễu cổng tải mắc song song số điện dung tăng