Bài giảng vật liệu điện chương 15 phương pháp kiểm tra phòng ngừa cho cách điện

Chỉång 15 PHỈÅNG PHẠP KIÃØM TRA PHNG NGỈÌA CHO CẠCH ÂIÃÛN I Khại niãûm chung: Âãø âm bo an ton cho cạch âiãûn thåìi gian lm viãûc, gim tháúp nhỉỵng kh nàng cọ thãø gáy nãn sỉû cäú, phi tiãún hnh kiãøm tra phng ngỉìa cạch âiãûn trỉåïc õổa vaỡo vỏỷn haỡnh cuợng nhổ õởnh kỗ thồỡi gian váûn hnh Tuy nhiãn, kãút qu kiãøm tra cn phủ thüc vo phỉång phạp, dủng củ Cạc phỉång phạp âỉåüc sỉí dủng âãø kiãøm tra phng ngỉìa cạch âiãûn: Thỉí nghiãûm bàịng âiãûn ạp tàng cao, cọ kh nàng phạ hu cạch âiãûn khuút táût Thỉí nghiãûm åí âiãûn ạp lm viãûc hồûc âiãûn ạp tàng cao nhỉng xạc sút xun thng cạch âiãûn bẹ: âo tgδ, âàûc phọng âiãûn củc bäü åí âiãûn ạp xáúp xè âiãûn ạp xáúp xè âiãûn ạp lm viãûc Cạc phỉång phạp thỉí nghiãûm khäng hỉ hng: âo tgd, âo âiãûn tråí r, hãû säú háúp thủ, âo cạc âàûc âiãûn dung åí âiãûn ạp tháúp v cạc phỉång phạp kióứm tra khọng õióỷn II Quaù trỗnh phỏn cổỷc âiãûn mäi nhiãưu låïp v biãûn phạp kiãøm tra dỉû phoỡng caùch õióỷn: 2.1 Quaù trỗnh phỏn cổỷc õióỷn mäi nhiãưu låïp Xẹt mäüt kãút cáúu cạch âiãûn gäưm låïp âiãûn mäi cọ cng âiãûn têch S, bãư dy d1, d2, âiãûn dáùn sút γ1, γ2, v hàịng säú âiãûn mäi ε1, ε2 ε S ε S γ S γ S C1 = ; C = ; g = ; g = d1 d2 d2 d1 Khi cho tạc dủng lãn õióỷn mọỹt õióỷn aùp chióửu thỗ taỷi thồỡi âiãøm ban âáưu, phán bäú âiãûn ạp trãn cạc låïp theo âiãûn dung nhæ sau: C2 C1 ; U (0) = U U (0) = U C1 + C C1 + C Coìn âiãûn têch trãn cạc âiãûn dung l nhau: C C q (0) = q (0) = U C1 + C Âiãûn têch ban âáưu ny gáy nãn xung dng âiãûn dung ban âáưu khạ låïn Sau âọ cạc âiãûn têch ny s phọng qua cạc âiãûn dáùn g1; g2 tảo nãn dng âiãûn dáùn cạc låïp Do g1khạc g2 nãn trãn màût ranh giåïi cọ cạc âiãûn têch tỉû gi l phán cỉûc kãút cáúu Giaí thiãút låïp bë áøm nàûng g1>>g2, C coi bë ngàõn mảch båỵi g1, âiãûn têch trãn C1 s phọng v tiãu thủ dáưn hãút trãn g1, âọ âiãûn ạp trãn C1 gim dáưn theo thåìi gian C2 U ( t ) = U .e − t / τ C1 + C Trong âọ C2 nháûn thãm âiãûn têch ca ngưn v âiãûn ạp trãn s tàng lãn theo thåìi gian: C2 U ( t ) = U(1 − e − t / τ ) C1 + C C + C C1 + C ≈ Våïi τ = g1 + g g1 Quaù trỗnh quaù õọỹ kóỳt thuùc thỗ õióỷn aùp trón C1 seợ bũng khọng v C2 nháûn hon ton âiãûn ạp ngưn Lỉåüng âiãûn têch C2 âỉåüc nảp thãm ( lỉåüng âiãûn têch bë háúp thuû): C2 C q ht ( t ) = q ( t ) − q (0) = C U(1 − )− U.e − t / τ C1 + C C1 + C Sỉû dëch chuøn cạc âiãûn têch háúp thủ tảo mảch mäüt thnh pháưn dng âiãûn háúp thủ: dq ht ( t ) C U C 2 = e − t / τ = ( ) g U.e − t / τ i ht ( t ) = dt C1 + C τ C1 + C Nhỉ váûy cho tạc dủng lãn cạch âiãûn khäng âäưng nháút mäüt âiãûn ạp mäüt chióửu, thỗ maỷch seợ suỏỳt hióỷn thaỡnh phỏửn dng âiãûn: dng chuøn dëch, dng háúp thủ v dng diãûn g g roì (iroì=U ) g1 + g Tu thüc trë säú dng âiãûn chảy qua cạch âiãûn v täúc âäü biãún thiãn m ta cọ thóứ phaớn aùnh õổồỹc tỗnh traỷng caùch õióỷn 2.2 Phổồng phạp kiãøm tra dỉû phng cạch âiãûn: 2.2.1 Phỉång phạp âo âiãûn ạp phn häưi: K1 + - U g1 C1 C2 - -++ K2 V -++ Âọng K1 vo cạch âiãûn cáưn thỉí nghiãûm thåìi gian â láu õóứ quaù trỗnh quaù õọỹ cuọỹn dỏy chỏỳm dổùt v C2 nảp âãún âiãûn ạp U Âiãûn têch trãn C2 l: q = C2.U Sau âọ càõt K1 v âọng K2 räưi måí Sau K2 måí, theo di sỉû thay âäøi âiãûn ạp qua Voltmet V Khi âọng K2 âiãûn têch láûp tỉïc phán bäú cho c C1, trãn C1 v C2 tỉïc thåìi cọ âiãûn ạp C2 bàịng U’ = U nhỉng ngỉåüc chiãưu Khi k2 måí, ban âáưu V oltmẹt cọ C1 + C trë säú bàòng khäng Âiãûn têch trãn C1 phọng qua g1 nãn U1 gim dáưn âọ U2 háưu khäng âäøi Kãút qu l Voltmet chè trë säú âiãûn ạp tàng dáưn våïi hàịng säú thåìi gian C = g1 Khi quaù trỗnh phoùng õióỷn cuớa C1 qua g1 kóỳt thuùc thỗ voltmet chố trë säú U’ v U U’ τ1 τ2 t -U Khi lồùp caùh õióỷn thổù bở ỏứm nỷng thỗ khäng khä tuût âäúi âọ trë säú cỉûc âải khäng hon ton bàịng U’, v âiãûn ạp trãn C2 cng gim dáưn nhỉng våïi hàịng säú thåìi C C gian τ = låïn hån τ1 = g2 g1 Âỉåìng cong phn häưi cọ thãø rụt nhổợng kóỳt luỏỷn: Lồùp ỏứm caỡng lồùn thỗ g1(C2) cng tàng, âọ trë säú âiãûn ạp phn häưi cng cao v täúc âäü tàng ca cng nhanh 2.2.3 Phỉång phạp âo âiãûn tråí cạch âiãûn v hãû säú háúp thủ: Âãø phán têch hiãûn tỉåüng cạch âiãûn khäng âäưng nháút ( bn thán kãút cáúu hồûc khuút táût) dng så âäư sau: i in Iht ∆C Chhì Rr r Trong âọ: Chh = C1 C , Rroì=R1 + R2 C1 + C iroì U (R C1 − R C ) ∆C = (R + R ) (C1 + C ) R R (R + R ).(C1 + C ) r= (R C1 − R C ) Khi âàût âiãûn ạp chiãưu lãn cạch âiãûn, s xút hiãûn thnh pháưn dng âiãûn: dng chuøn dëch, dng háúp thủ v dng r I= icd + iht + ir Dng âiãûn täøng ny gim dáưn theo thåìi gian v âảt âãún trë säú äøn âënh bàịng dng r Nãúu b qua thnh pháưn dng chuyóứn dởch thỗ U U i= iroỡ +iht = + e − t / τ R roì r R roì U Tỉång ỉïng âiãûn tråí cạch âiãûn: v âảt âãún trë säú äøn âënh bàịng Rr = R r − t / τ i 1+ e r Khi caïch âiãûn bở ỏứm nỷng thỗ Rroỡ giaớm maỷnh, quaù trỗnh phỏn cỉûc kãút cáúu kãút thục nhanh, hàịng säú thåìi gian T gim, âiãûn tråí nhanh chọng âảt trë säú äøn âënh Phỉång phạp âo âiãûn tråí qui âënh chè láúy trë säú âo âỉåüc sau 60s Phỉång phạp ny chè cọ hiãûu qu khuút táût cạch âiãûn(áøm) hồûc trãn bãư màût cạch âiãûn lan räüng tỉì cỉûc ny sang cỉûc kia, âọ âiãûn tråí måïi gim âạng kãø Cn khuút táût cọ củc bäü thỗ phổồng phaùp trón keùm hióỷu quaớ o hóỷ sọỳ háúp thủ: Hãû säú háúp thủ âỉåüc xạc âënh bàịng t säú giỉỵa R âo âỉåüc sau 15s v 60s Do âoï R (60s ) k ht = R (15s ) Nóỳu caùch õióỷn ỏứm thỗ kht gỏửn bũng 1, coỡn caùch õióỷn khọ, tọỳt thỗ kht> ặu õióứm ca phỉång phạp âo hãû säú háúp thủ: cọ thãø xaùc õởnh caớ tỗnh traỷng ỏứm bọỹ phỏỷn, ờt phuỷ thüc vo kêch thỉåïc cạch âiãûn v nhiãût âäü âo, âọ hiãûu qu in Iht ir ∆C tin cáûy hån âo âiãûn tråí cạch âiãûn Chhì Rr Phỉång phạp âo täøn hao âiãûn mäüi tgδ: Âo gọc täøn hao l âãø xạc âënh hãû säú suy r thoại ca cạch âiãûn Sỉû gi hoạ, sỉû tháúm áøm, sỉû xút hiãûn nhiãưu bc khê cạch âiãûnâãưu dáùn âãún tàng cao tgδ ~ U ⎞ ⎛ ⎟ ⎜ 1 ⎜ i=U + jω.C hh ⎟ = i a + ji b + ⎟ ⎜R r+ ⎟ ⎜ jω.∆C ⎠ ⎝ ⎡1 ⎞⎤ ⎛ ω r.∆C ∆C ⎟ i = U.⎢ + + jω⎜⎜ C hh + 2 2 2 ⎟⎥ + ω r ∆C ⎠⎦ ⎝ ⎣ R + ω r ∆C Trong âọ thnh pháưn tạc dủng hảy qua âiãûn mäi: ⎛1 ω r ∆C ⎞ ω.τ ⎟ ≈ U ω.∆C i a = U ⎜⎜ + 2 ⎟ + (ω.τ ) ⎝ R + ω r ∆C ⎠ Cn thnh pháưn doìng dung: ⎛ i b = U.ω.⎜⎜ C hh + ∆C + (ω.τ ) ⎝ tgδ = ia = ib ⎞ ⎟⎟ = U.ω.C ω ⎠ ω.τ + (ω.τ ) + ∆C + (ω.τ ) ω.∆C ⎛ ω.⎜⎜ C hh ⎝ ⎞ ⎟⎟ ⎠ = våïi våïi τ = r.∆C C ω = C hh + ∆C 1 + (ω.τ) ∆C.ω.τ C hh [1 + (ω.τ ) ] + ∆C ⎛ Co ⎞ ⎜⎜ − 1⎟⎟.ω.τ C ⎠ tgδ = ⎝ ∞ Co + (ω.τ) C∞ Våïi Co l âiãûn dung åí âiãûn ạp chiãưu, Co=Chh + ∆C C ∞ l âiãûn dung ca cạch âiãûn åí táưn säú cao ω = ∞ v C ∞ =Chh C C Biãøu thỉïc trãn cho tháúy t säú o v τ , c o v τ âãưu khäng phủ thuọỹc vaỡo kờch C C thổồùc vỗ vỏỷy tg laỡ mọỹt chố tióu õaùnh giaù phỏứm chỏỳt vaỡ tỗnh traỷng ca cạch âiãûn m khäng phủ thüc vo kêch thỉåïc ca Nhỉ váûy dỉûa vo tgδ âãø phạt hiãûn kh nàng suy gim cạch âiãûn ca thiãút bë Tuy nhiãn âäúi våïi nhỉỵng cå cáúu cạch âiãûn cọ âiãûn dung låïn chè cọ thãø phạt hiãûn cạc khuút táût chêm pháưn låïn thãø têch âạng kãø ca cạch âiãûn nhỉng khäng thãø phạt hiãûn mäüt cạch chênh xạc cạc khuút táût táûp trung 2.3 Phỉång phạp âo tgδ v âo âiãûn dung C 2.3.1 Phỉång phạp âo tgδ theo âiãûn ạp Phỉång phạp ny âãø phạt hiãûn khuút táût dảng bc khê kãút cáúu Nãúu cạch âiãûn täút thỗ phaỷm vi õióỷn aùp tổỡ (0,5 -> 1,5)Ulv thỗ tgd khọng thay õọứi Nóỳu caùch õióỷn coù chổùa boỹc khờ thỗ U>Ui thỗ tgd seợ tng nhanh tgδ Ui U 2.3.2 Phỉång phạp âo âiãûn dung ÅÍ nhiãût âäü v táưn säú khäng âäøi, âiãûn dung ca kóỳt cỏỳu caùch õióỷn chố thay õọứi tỗnh traỷng ca váût liãûu thay âäøi Do váûy, dỉûa vo âiãûn dung âãø âạnh giạ cạch âiãûn Khi táưn säú thay õọứi tổỡ õóỳn thỗ õióỷn dung thay õọứi tỉì Co âãún C ∞ Nãúu cạch âiãûn täút, khä raùo thỗ ồớ tỏửn sọỳ thỏỳp, õióỷn dung cuợng khạc C ∞ Nhỉ váûy theo t säú âiãûn dung âo âỉåüc åí táưn säú khạc ta coù thóứ phaùn õoaùn õổồỹc tỗnh traỷng ỏứm hay hổ hng củc bäü ca cạch âiãûn III Phọng âiãûn củc bäü v phỉång phạp kiãøm tra: 3.1 Cơ sở lý thuyết tượng phóng điện cục cách điện - Phóng điện cục thiết bị điện cao áp xuất bọc khí hay điện môi lỏng lớp cách điện rắn Các bọc khí xuất q trình chế tạo (do co ngót nhựa đúc, tiếp xúc không tốt điện cực bề mặt điện môi, tẩm chưa tốt cách điện nhiều lớp), trình vận hành (do rạn nứt phân lớp cách điện, phân hủy điện môi kèm theo thải khí ) - Các bọc khí chỗ yếu cách điện cao áp có độ bền điện thấp, cường độ điện trường bọc khí cao phần cách điện lại Do nguyên nhân nên đặt điện áp lên cách điện phóng điện cục xuất trước tiên bọc khí 3.1.1 Qui luật phát triển phóng điện cục bộ: - Điện áp xoay chiều: Sơ đồ thay cho hình vẽ u Cb K Ub Ct Cn R Cb : Điện dung bọc khí Cn : Điện dung phần cách điện nối tiếp bọc khí Ct : Điện dung phần cách điện cịn lại Sự phóng điện khe hở K mô xuyên thủng bọc khí, điện trở R đặc trưng cho điện trở khe phóng điện bọc khí + Thời điểm t = 0: cho tác dụng lên cách điện điện áp xoay chiều u = Um.sinωt, trước xuất PĐCB, điện áp bọc khí biến thiên theo quy luật Trong đó: Ub = Umb.sinωt, U mb = U m Cn C n + Cb + Thời điểm t1: điện áp Ub đạt trị số Uct khe hở K bị xuyên thủng, tức xuất PĐCB bọc khí Khi xảy phóng điện Cn nhỏ >> R nên điện áp Ub giảm nhanh đến trị số điện áp tắt Ut ≠ (vì số thời C n ω gian R.Cn bé nên xem tức thời) PĐCB bọc khí tắt, lượng sụt áp điện dung Cb PĐCB xảy tức thời là: ∆U b = U ct − U t Sau thời điểm t1 điện áp Cb lại tăng với quan hệ Ub = Umb.sinωt - ∆Ub + Tại thời điểm t2 điện áp Ub lại đạt trị số Uct PĐCB xảy lần thứ Sau phóng điện lần tắt điện áp Cb lại tăng theo quy luật Ub = Umb.sinωt 2∆Ub trình diễn tương tự + Tại thời điểm t4 tương ứng với Ub = Umb, PĐCB tạm ngưng; điện áp Ub bọc khí giãm dần thay đổi cực tính, thời điểm t5 lại tiếp tục chuỗi phóng điện Ub=Umsin ω t u Ub Uct Ut t1 t2 t3 -Ut t ∆U b -Uct 2Umb ∆U b ∆U b ∆U b ∆U b ∆U b Số lần PĐCB chu kỳ điện áp tác dụng nT/2 không phụ thuộc vào tần số trường hợp bọc khí đối xứng bằng: nT / = Với : η = 2U − 2U ∆U b mb t = U mb − U t U − η U ct = mb U ct − U t U ct (1 − η ) U t U ct Số lần phóng điện cục đơn vị thời gian là: U mb − U t U − η U ct = f mb U ct − U t U ct (1 − η ) C + Cn Nhân tử số mẫu số vế phải với b biến đổi ta có: Cn n = n T / f = f n = 4f U − ηU CB U CB (1 − η ) U mb Cb + C n : trị số hiệu dụng điện áp đặt lên cách điện Cn U C + Cn : trị số hiệu dụng điện áp cách điện bọc = ct b Cn U = U CB khí xuất PĐCB Điện áp UCB goi điện áp xuất phóng điện cục Số lần phóng điện nhỏ dơn vị thời gian: nmin = 4f U = UCB Số lần phóng điện tăng nhảy vọt theo 4f điện áp lên lượng U CB (1 − η ) quan hệ n theo điện áp tác dụng lên cách điện có dạng cấp 3.1.2 Phóng điện cục điện áp chiều: Sơ đồ thay cho hình u Rb K Cb Ct Rn R Cn Ta xét với trường hợp đặc biệt Cb.Rb = Cn.Rn có nghĩa phân bố điện áp theo điện dung Cb Cn trùng với phân bố điện áp theo điện trở Rb Rn + Tại thời điểm t = tác động lên cách điện điện áp U0 điện áp tác dụng lên bọc khí U b = U Rb số thời gian mạch thường bé, nên điện áp Rb + Rn bọc khí thực tế tăng tức thời đến Uct gây nên PĐCB lần thứ Ub ≥ Uct Sau PĐCB điện áp Ub giảm đến giá trị Ut PĐCB tắt Sau PĐCB tắt điện áp Cb có mặt điện trở rị bắt đầu tăng: ⎞ ⎛ Rb Rb − ⎜⎜U − U t ⎟⎟e −t / T Rb + Rn ⎝ Rb + Rn ⎠ RR Trong đó: T = b n (Cb + Cn ) Rb + Rn Ub = U0 + Tại thời điểm t1 điện áp Cb đạt đến trị số Uct xuất PĐCB lần thứ hai Quá trình lặp lại tương tự, khoảng thời gian hai lần Rb −Ut Rb + Rn U − ηU CB = T ln phóng điện cục bằng: ∆t = T ln Rb U − U CB U0 − U ct Rb + Rn U0 Với U CB = U ct Rb + Rn điện áp tác dụng lên cách điện bọc khí xuất Rb PĐCB Vì T = Cn.Rn = ε0.ε.ρv ε ρv – tương ứng hệ số điện môi điện trở suất khối cách điện, nên số lần phóng điện đơn vị thời gian bọc khí điện áp chiều bằng: n= 1 = U ∆t ε ε ρ ln − ηU PDCB v U − U PDCb + Số lần phóng điện cục đơn vị thời gian tương ứng hiệu ứng phá hủy cách điện gây nên nhỏ hàng trăm lần so với điện áp xoay chiều.Do điều kiện giống nhau, cường độ điện trường làm việc cách điện điện áp chièu cho phép cao bề dày cách điện nhỏ so với điện áp xoay chiều 3.1.3 Mức độ mãnh liệt PĐCB: - Năng lượng tiêu hao lần PĐCB bọc khí xác định hiệu lượng tích lũy điện dung Cb thời điểm trước phóng điện sau tắt nó, tức bằng: C b U ct2 C b U t2 U ct + U t 1+η WCB = − = C b (U ct − U t ) = ∆Q.U ct Trong đó: ∆Q = Cb(Uct - Ut) - lượng điện tích bị trung hịa điện dung Cb thời gian PĐCB - Công suất trung bình PĐCB bọc khí bằng: 1+η n PCB = WCB.n = ∆Q.U ct Với n - Số lần phóng điện cục - Năng lượng WCB cơng suất PCB đặc tính quan trọng định hiệu ứng phá hủy tốc độ già cỗi cách điện.Tuy nhiên trị số chúng bé, khó cho q trình đo đạc ta dùng đại lượng khác tỉ lệ với chúng đẽ đo đạc để đặc trưng cho mức độ mãnh liệt PĐCB + Phương pháp đo phổ biến dựa vào xuất trình độ cách điện mạch xảy trung hịa nhanh chóng lượng điện tích ∆Q Khi cách điện xảy giãm đột ngột điện áp lượng ∆Ux ∆U x = − ∆Q Cn C x C n + Cb Trong đó: Cx - điện dung tồn cách điện Lượng sụt áp đột ngột ∆Ux tương ứng với lượng biến thiên điện tích biểu kiến Cx bằng: q = C x ∆U x = ∆Q Thay ∆Q ∆U vào có: Cn C n + Cb 3.1.4 Tác dụng phá hoại cách điện PĐCB - Làm cho nhiệt độ cục vách bọc khí tăng cao đột ngột lên đến hàng tră độ C - Các bọc khí bị PĐCB xuất chất có hoạt tính hóa học mạnh khí ozon, oxyd azốt có tác dụng phân hủy nhiều loại điện mơi - Khi phóng điện cục lặp lại nhiều lần, bề mặt bọc khí bị khoét sâu dần sau phóng điện tập trung vào chỗ bị khoét sâu cục kéo dài phân nhánh, làm cho độ bền điện cách điện giảm 3.2 Các phương pháp xác định đặc tính PĐCB cấu cách điện - Để xác định đặc tính PĐCB người ta thường dùng phương pháp điện (dựa vào áp dịng q trình q độ), phương pháp phát PĐCB theo quan hệ tgδ = f(U) Các phương pháp khác, dựa ghi nhận tín hiệu âm, ánh sáng điện từ phát xuất PĐCB, dùng - Các sơ đồ nguyên lý để đo đặc tính PĐCB phương pháp điện cho hình Mỗi sơ đồ gồm mạch vòng cao áp tạo nên cách điện thử nghiệm Cx, máy biến áp thử nghiệm điện dung liên kết C0, mạch đo tạo nên tổng trở Zd, lọc Ф, khuếch đại thiết bị đo (dao động ký, đồng hồ đếm xung volt kế) Cả ba sơ đồ giống nguyên lý tác dụng, khác điểm nối đất mạch vòng Cx, C0, Zd Tuỳ thuộc vào yêu cầu khác mà người ta chọn sơ đồ cho phù hợp - Ở đầu vào thiết bị đo lường thường xuất hiện: + Các xung điện áp từ trình độ mạch cao áp gây PĐCB + Điện áp giáng tổng trở đo Zd dòng điện dung chạy qua Cx C0 tác dụng điện áp thử nghiệm + Điện áp nhiễu âm nhiễu từ nguồn khác - Biên độ dạng xung PĐCB đầu phần đo lường xác định sở phân tích q trình q độ mạch cao áp * Ta khảo sát trường hợp Zd = Rd bỏ qua điện cảm mạch sơ cấp: Trong trường hợp đầu vào phần đo lường xuất điện áp không chu kỳ: U dv (t ) = U dv e −t / T Với T = Rd.Ctd số thời gian mạch sơ cấp C td = C ks + C0C x điện dung tương đương mạch C0 + C x Biên độ xung Udv0 xác định biểu thức: U dv = ∆U x 1+ C ks C ks + C x C0 = q C x + C ks + C ks C x C0 Như biên độ xung điện áp tỉ lệ với điện tích biểu kiến q phóng điện cục việc đo q thay đo điện áp đầu vào - Trong q trình thử nghiệm có nhiều yếu tố ảnh hưởng đến độ xác kết đo cần phải chọn thiết bị cách phù hợp để kết thử nghiệm xác + 90% lượng xung điện áp nằm dãy tần từ đến ω = 2π/T để ứng dụng hữu hiệu lượng xung vào q trình đo lường thù khuếch đại phải có giải thông từ đến f = 1/T, tăng dải thơng khuếch đại làm điện áp âm nhiễu tăng nhanh trị số cực đại tín hiệu có ích đàu khuếch đại + Để cho xác suất xếp chồng lên xung PĐCB bé số thời gian T thường – µs dải thơng khuếch phải 200 – 10000kHz + Để cho nhiễu bên ngồi khơng trộn lẫn vào tín hiệu đo, phải dùng lưới lọc mạch cung cấp toàn thiết bị, phải chắn nhiễu + Thử nghiệm bị cản trở điện áp thử nghiệm tạo nên vượt vài trăm volt Điện áp gây tải cho khuếch đại làm cho khuếch đại không làm việc bình thường cần phải mắc lọc trước khuếch không cho tần số thấp xâm nhập - Ưu điểm chủ yếu thiết bị dải rộng chổ PĐCB tương ứng với xung điện áp ngắn Vì đo xác với dao động ký thiết bị đếm xung, số lần phóng điện đơn vị thời gian trị số cực đại nó.Nhược điểm mức nhiễu cao dải thông khuếch đại rộng * Khảo sát trường hợp Zd = Ld: Trong trường hợp trình độ mạch sơ cấp có tính chất dao động, cịn đầu vào phần đo xuất xung điện áp: Udv(t) = Udv0.e-at.cosωt Trong đó: Udv0 - trị số cực đại xung ω0 = Ld C td a = R/2Ld với R điện trở tác dụng mạch cao áp Trong trường hợp phần chủ yếu lượng tập trung dải tần tương đối hẹp gần tần số ω0 Để dùng 90% lượng xung ta cần dải thông khuếch đại bằng: ∆f = ω0.(1 ± 1/2Q) Trong đó: Q - hệ số phẩm chất mạch cao áp (có giá trị từ 30 - 50) => ∆f =20 - 50 kHz tức hẹp Zd = Rd + Để khuếch đại xung trường hợp này, dùng khuếch đại cộng hưởng với tần số điều chỉnh f0 dải thông tương ứng Do thiết bị thiết bị với điện cảm đầu vào gọi thiết bị cộng hưởng thiết bị dải hẹp + Hệ số khuếch đại k đặc tính lọc xác định thiết bị dải rộng + Ưu điểm thiết bị dải hẹp loại trừ nhiễu thường trực bên ngồi Nhược điểm xung có dạng dao động mật độ PĐCB kế tục cao theo thời gian, chúng chồng lên việc xác định xác điện tích biểu kiến chúng khó khăn + Thiết bị với điện cảm đầu vào khơng thích hợp cho việc đo mức độ mãnh liệt PĐCB mà thích hợp để phát PĐCB để đo điện áp xuất PĐCB Khi cần thiết, độ mãnh liệt PĐCBđược xác định theo điện áp trung bình hiệu dụng toàn xung đầu vào phần đo * Các phương pháp ứng dụng thử nghiệm kết cấu cách điện có điện cảm thân bé khơng dài lắm.Việc đo đặc tính PĐCB cách điện máy biến áp cao áp đoạn cáp dài sở nguyên lý ta phải sử dụng thêm số biện pháp đặc biệt để hạn chế nhiều xung điện áp lệch thời gian đến thiết bị đo PĐCB  ... phần cách điện nối tiếp bọc khí Ct : Điện dung phần cách điện lại Sự phóng điện khe hở K mơ xuyên thủng bọc khí, điện trở R đặc trưng cho điện trở khe phóng điện bọc khí + Thời điểm t = 0: cho. .. lớp cách điện, phân hủy điện mơi kèm theo thải khí ) - Các bọc khí chỗ yếu cách điện cao áp có độ bền điện thấp, cường độ điện trường bọc khí cao phần cách điện lại Do nguyên nhân nên đặt điện. .. số hiệu dụng điện áp đặt lên cách điện Cn U C + Cn : trị số hiệu dụng điện áp cách điện bọc = ct b Cn U = U CB khí xuất PĐCB Điện áp UCB goi điện áp xuất phóng điện cục Số lần phóng điện nhỏ dơn