Thiết kế mạch ghép vi dải ba cổng bốn kênh trong hệ thống băng rộng

Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA - NGƠ HỒNG ẤN THIẾT KẾ MẠCH GHÉP VI DẢI BA CỔNG - BỐN KÊNH TRONG HỆ THỐNG BĂNG RỘNG Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử LUẬN VĂN THẠC SĨ TP HỒ CHÍ MINH, tháng 10 năm 2010 CƠNG TRÌNH ĐƯỢC HỒN THÀNH TẠI TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH Cán hướng dẫn khoa học: …………………………………………………… Cán chấm nhận xét 1: ……………………………………………………… Cán chấm nhận xét 2: ……………………………………………………… Luận văn thạc sĩ bảo vệ Trường Đại học Bách Khoa, ĐHQG Tp HCM ngày …… tháng …… năm…… Thành phần Hội đồng đánh giá luận văn thạc sĩ gồm: ………………………………………………………… ………………………………………………………… ………………………………………………………… ………………………………………………………… ………………………………………………………… Xác nhận Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV Bộ môn quản lý chuyên ngành sau luận văn sửa chữa (nếu có) Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV Bộ mơn quản lý chuyên ngành - ii - TRƯỜNG ĐH BÁCH KHOA TP.HCM CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM PHÒNG ĐÀO TẠO SĐH Độc lập – Tự – Hạnh phúc TP HCM, ngày … tháng …… năm…… NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên học viên: Ngô Hồng Ấn Ngày, tháng, năm sinh: Chun ngành: Giới tính: 03/01/1983 Nơi sinh: Quảng Ngãi Kỹ thuật điện tử (605270) Khoá (Năm trúng tuyển): Nam MSHV: 01408358 2008 I- TÊN ĐỀ TÀI: Thiết kế mạch ghép vi dải ba cổng bốn - kênh hệ thống băng rộng II- NHIỆM VỤ VÀ NỘI DUNG:  Thiết kế mô hai mạch lọc vi dải thông dải song kênh cặp tần số 1.55, 4.75 GHz 2.40, 7.20 GHz đảm bảo triệt thành phần hài không mong muốn xuống -20 dB, dải thông dB đạt 400 MHz  Thiết kế mô mạch ghép vi dải ba cổng bốn kênh từ hai mạch lọc vi dải thông dải song kênh cặp tần số 1.55, 4.75 GHZ 2.40, 7.20 GHz có dải thơng dB kênh khoảng 300 MHz, cách ly hai cổng -30 dB  Thực làm mạch ghép vi dải đế vật liệu Rogers RT5870 có số điện mơi 2.33 độ dày mm, đo đạc thông số ma trận tán xạ mạch ghép chế tạo so sánh kiểm chứng với kết mô III- NGÀY GIAO NHIỆM VỤ: IV- NGÀY HOÀN THÀNH NHIỆM VỤ: V- CÁN BỘ HƯỚNG DẪN: TS Phan Hồng Phương CÁN BỘ HƯỚNG DẪN CN BỘ MÔN (Học hàm, học vị, họ tên chữ ký) QL CHUYÊN NGÀNH - iii - LỜI CẢM ƠN Trong thời gian thực luận văn, xin chân thành cảm ơn Quý thầy cô Khoa Điện – Điện tử, Bộ môn Viễn thông tạo điều kiện tốt giúp đỡ tơi hồn thành đồ án Chân thành cảm ơn Giáo viên hướng dẫn TS Phan Hồng Phương, Thầy Hà trợ giúp đắc lực cho việc hoàn thành đồ án Chân thành cảm ơn đến gia đình, ba mẹ, vợ, động lực tinh thần lớn thời gian thực đồ án Cảm ơn bạn bè đồng nghiệp - iv - TÓM TẮT LUẬN VĂN THIẾT KẾ MẠCH GHÉP VI DẢI BA CỔNG – BỐN KÊNH TRONG HỆ THỐNG BĂNG RỘNG (THÁNG 10/2010) Công việc thiết kế mạch ghép vi dải ba cổng bốn kênh hệ thống băng rộng mà luận văn hướng tới gồm hai bước Bước thứ thiết kế hai mạch lọc vi dải song kênh (dual-band) thông dải cặp tần số 1.55, 4.75 GHz 2.40, 7.20 GHz sử dụng cấu trúc ghép song song cộng hưởng nửa bước sóng Bước thứ hai kết hợp hai mạch lọc vi dải song kênh thành mạng thích ứng bốn kênh, sử dụng kiểu kết nối hình chữ T hiệu chỉnh Yêu cầu thiết kế mạch ghép bốn kênh truyền có dải thơng dB từ 300 – 500 MHz, độ cách ly cổng hai cổng ba -30 dB Dải thông kênh mạch ghép điều khiển kích thước khoảng đường vi dải Bằng cách tạo rãnh, tối ưu vị trí kích thước rãnh vùng chồng lắp hai ghép vi dải để triệt thành phần hài không mong muốn Các tần số trung tâm kênh điều chỉnh cách thay đổi độ dài tầng đường ghép vi dải Mạch ghép ứng dụng hệ thống đa băng tần cấu hình anten đơn, điều chỉnh sử dụng dải tần số WLAN (2.5 5.0 GHz) UWB (3.1-10.6 GHz) để tích hợp anten sử dụng chung cho hai hệ thống - v - MỤC LỤC MỤC LỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ THUẬT NGỮ DANH SÁCH HÌNH VẼ .5 DANH SÁCH BẢNG BIỂU Chương MỞ ĐẦU 1.1 Đặt vấn đề phạm vi nghiên cứu 1.2 Tổ chức Luận văn 12 1.3 Cơ sở lý thuyết cấu trúc vi dải 12 1.3.1 Cấu trúc đường vi dải đơn 12 1.3.2 Cấu trúc đường vi dải song song 14 Chương THIẾT KẾ MẠCH LỌC VI DẢI THÔNG DẢI SONG KÊNH 17 2.1 Giới thiệu 17 2.2 Cơ sở thiết kế 17 2.3 Triệt thành phần hài 19 2.4 Thiết kế mô 20 2.4.1 Tính tốn kích thước ban đầu .20 2.4.2 Mô hiệu chỉnh cấu trúc .22 2.5 Kết luận 31 Chương THIẾT KẾ MẠCH GHÉP VI DẢI BA CỔNG BỐN KÊNH 32 3.1 Giới thiệu 32 3.2 Cơ sở thiết kế 32 3.3 Thiết kế mô 35 3.3.1 Tính tốn kích thước ban đầu .35 3.3.2 Mô hiệu chỉnh cấu trúc .36 3.4 Hiệu chỉnh kích thước chế tạo 40 3.5 Kết luận 42 Chương ĐO ĐẠC MẠCH GHÉP VÀ ĐÁNH GIÁ 43 -1 - 4.1 Đo đạc mạch ghép ba cổng 43 4.1.1 Cách thức đo đạc ma trận tán xạ .43 4.1.2 Kết đo thông số phản xạ 43 4.1.3 Kết đo thông số truyền đạt 46 4.2 So sánh kết đo đạc kết mô 47 4.3 Đánh giá 52 Chương TỔNG KẾT VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ TÀI 53 5.1 Tổng kết 53 5.2 Hướng phát triển đề tài .54 TÀI LIỆU THAM KHẢO .55 LÝ LỊCH KHOA HỌC 59 Phụ lục I CÁC PHƯƠNG TRÌNH KIRSCHING VÀ JANSEN I-1 I.1 Phương trình tính trở kháng đặc tính đường vi dải đơn (Wheeler) I-1 I.2 Trở kháng mode chẵn mode lẻ trạng thái tĩnh I-1 I.3 Trở kháng đặc tính mode chẵn mode lẻ trạng thái tán xạ I-3 I.4 Hằng số điện môi hiệu dụng mode chẵn mode lẻ trạng thái tĩnhI-6 I.5 Hằng số điện môi hiệu dụng mode chẵn mode lẻ trạng thái tán xạ I-7 I.6 Đoạn vi dải hở mạch đầu cuối (open-end) I-8 Phụ lục II BỘ LỌC MẪU THÔNG THẤP CHEBYSHEV VÀ CÁC BIẾN ĐỔI MẠCH ĐIỆN II-1 II.1 Bộ lọc mẫu Chebyshev .II-1 II.1.1 Đáp ứng Chebyshev II-1 II.1.2 Bộ lọc mẫu Chebyshev phần tử II-3 II.2 Các biến đổi mạch điện II-6 II.2.1 Biến đổi mạch điện: II-6 II.2.2 Các lọc với biến đổi mạch điện II-7 II.3 Phép biến đổi từ lọc mẫu thông thấp sang lọc thông dải II-10 -2 - CÁC KÝ HIỆU VÀ THUẬT NGỮ  r ,  re Hằng số điện môi tương đối số điện môi tương đối hiệu dụng  re,e (hoặc  ree ) Hằng số điện môi tương đối hiệu dụng mode chẵn  re,o (hoặc  reo ) Hằng số điện môi tương đối hiệu dụng mode lẻ Ca Điện dung dọc theo chiều dài lớp đế điện môi Cd Điện dung dọc theo chiều dài lớp đế điện môi thay lớp khơng khí Ce Điện dung mode chẵn Co Điện dung mode lẻ c Vận tốc truyền sóng điện từ môi trường không gian tự (tương đương vận tốc ánh sáng c  3.0  10 m / s ) g Bước sóng dẫn hướng tính Millimeter f Tần số tính đơn vị Gigahertz h Độ dày đế điện môi Z , Y0 Trở kháng đặc tính trở nạp đặc tính Z ce , Z co Trở kháng mode chẵn trở kháng mode lẻ hai đường vi dải Z 0e , Z 0o Trở kháng mode chẵn trở kháng mode lẻ hai đường vi dải xét trường hợp không tổn hao s Khe hở hai đường vi dải song song t Độ dày lớp dải dẫn W Chiều rộng đường vi dải đơn BPF Bandpass filter ECMA European Computer Manufacturers Association -3 - FBW The fractional bandwidth HWR Half-Wavelength Resonator ISM The Industrial, Scientific And Medical TEM-mode Transverse ElectroMagnetic U-NII The Unlicensed National Information Infrastructure UWB Ultra-Wide Band VSWR Voltage standing wave ratio WLAN Wireless Local Area Network -4 - DANH SÁCH HÌNH VẼ Hình 1 Dải tần WLAN UWB để thực mạch ghép [5] .9 Hình Các kiến trúc mạch ghép: (a) Sử dụng bốn lọc thông dải đơn băng, (b) Sử dụng hai lọc thông dải song băng, (c) Sử dụng khóa chuyển mạch để kết nối đến hai lọc thông dải song băng, (d) Sử dụng chia công suất để kết nối đến hai lọc 10 Hình Cấu trúc đường vi dải đơn 12 Hình Cấu trúc đường vi dải song song 14 Hình Các mode cận-TEM hai đường vi dải song song: (a) mode chẵn, (b) mode lẻ 15 Hình Hình dạng mạch lọc cộng hưởng nửa bước sóng, kiểu dáng ParallelCoupled 18 Hình 2 Hình dạng mạch lọc thiết kế ban đầu: (a) Mạch lọc thứ nhất, (b) Mạch lọc thứ hai 22 Hình Mô đáp ứng tần số S(1,1) S(2,1) mạch lọc thứ 23 Hình Mô đáp ứng tần số S(1,1) S(2,1) mạch lọc thứ hai 23 Hình Các hình dạng hiệu chỉnh cấu trúc mạch lọc thứ 24 Hình Mơ đáp ứng tần số mạch lọc thứ sau lần hiệu chỉnh cấu trúc 25 Hình Đáp ứng tần số mạch lọc thứ hiệu chỉnh cấu trúc để dịch chuyển tần số trung tâm dải thông 26 Hình Các hình dạng hiệu chỉnh cấu trúc mạch lọc thứ hai .27 -5 - R11   f n / 19.47 6  0.0962. f n / 19.47  (I 53) R12  1  0.00245.u (I 54) R13  0.9408. r  f   0.9603 (I 55) R14  0.9408  R9 . re (I 56) R R8  0.9603 R15  0.707.R10  f n / 12.3 1.097 (I 57)   R16   0.053 r R11  exp  u / 15  (I 58) I.4 Hằng số điện môi hiệu dụng mode chẵn mode lẻ trạng thái tĩnh  re,o 0   re 0  0.5 r  1  a0   re 0exp c0 g d   10   a e be   re, e 0  0.5 r  1  0.5 r  11          a0  0.7287 re 0   0.5 r  11  e 0.179 u  b0  0.747 r 0.15   r  (I 59) (I 60) (I 61) (I 62) c0  b0  b0  0.207e 0.414 u (I 63) d  0.593  0.694e 0.562 u (I 64) I.5 Hằng số điện môi hiệu dụng mode chẵn mode lẻ trạng thái tán xạ (phụ thuộc tần số)  re,o  f n    r   r   re,o 0 (I 65)  Fo  f n  I-6  re, e  f n    r   r   re, e 0 (I 66)  Fe  f n  Fo  f n   P1P2 P3 P4  0.1844  f n P15  1.5763 (I 67) Fe  f n   P1P2 P3 P4  0.1844 P7  f n  1.5763 (I 68)   0.525 P1  0.27488  0.6315  u  0.065683e  8.7513u 20     0157 f n   (I 69)  P2  0.33622  e 0.03442 r  (I 70)  P3  0.0363e 4.6u  e   f n / 38 /   4.97  (I 71)  (I 72) P5  0.334e 3.3 r / 15   0.746 (I 73) P6  P5e   f n / 18  (I 74) P4   2.751  e  r / 15.916  0.368 P7   4.069 P6 g 0.479 exp 1.347 g 0.595  0.17 g 2.5  (I 75)   1.076 P8  0.71681     0.0576 r  1 (I 76)  P9  P8  0.7913  e  f n / 20  1.424 arctan 2.481 / 8 0.946 r  P10  0.242 r  1 0.55 (I 78)  P11  0.6366exp 3.401 f n   1arctan 1.263u / 3 P12  P9  P13  (I 77) 1.626  P9  1.183u1.376  (I 79) (I 80) 1.695P10 0.414  1.605P10 (I 81)   P14  0.8928  0.10722  exp  0.42 f n / 20 3.215 I-7  (I 82) P15   0.89281  P11 P12 exp P13 g 1.092  P14 (I 83) Đối với  r  12.9 f n  15 xác suất sai số nhỏ 1.5% áp dụng phương trình từ (I.1) đến (I.83) I.6 Đoạn vi dải hở mạch đầu cuối (open-end) Hình I Đoạn vi dải hở mạch đầu cuối mạch tương đương Đoạn vi dải hở mạch đầu cuối tồn hiệu ứng gọi hiệu ứng viền (Fringing field) Hiệu ứng biểu diễn tương quan tụ điện tương đương C p độ dài đường truyền dẫn l Hình I Chiều dài tương đương sử dụng thuận lợi cho thiết kế mạch lọc quan hệ tham số biểu diễn [9]: l  cZ c C p (I 84)  re c vận tốc ánh sáng khơng gian tự Phương trình mơ tả gần sau: l 1 3 (I 85)  h 4 với  0.81  0.26W / h 0.8544  0.236 (I 86) 1  0.434907 re0.81  re  0.189W / h 0.8544  0.87 2  1 3   W / h 0.371 (I 87) 2.35 r   0.5274 tan 1 0.084W / h    1.9413 /  0.9236 re      0.037 tan 1 0.067 W / h 1.456 6  exp0.0361   r     0.218 exp 7.5W / h  Đối với 0.01  W / h  100  r  128 độ sai số khoảng 0.2% I-8 (I 88) (I 89) (I 90) Phụ lục II BỘ LỌC MẪU THÔNG THẤP CHEBYSHEV VÀ CÁC BIẾN ĐỔI MẠCH ĐIỆN II.1 Bộ lọc mẫu Chebyshev II.1.1 Đáp ứng Chebyshev Đáp ứng Chebyshev [9] có đỉnh gợn dải thơng phẳng băng dừng Hình II Hàm truyền bình phương biên độ đáp ứng biểu diễn theo công thức: S 21  j   1   Tn2   (II 1) đây:   hệ số gợn (ripple) có quan hệ độ gợn dải thơng L Ar dB  sau:   10 L Ar 10 1 (II 2) Hình II Đáp ứng mẫu thơng thấp Chebyshev  Tn   hàm Chebyshev loại bậc n, định nghĩa sau: II-1     cos n cos _  Tn     _1 cosh n cosh   1  1  (II 3) Đáp ứng lọc Chebyshev từ (II.1) viết dạng hàm hữu tỷ sau:   n S 21  p     sin i // n  1/ i 1 n p  p  (II 4) i i 1 với 2i  1   pi  j cos sin 1 j  2n   1 1   sinh  sinh 1   n (II 5) Các cực lọc Chebyshev nằm ellip bên trái mặt phẳng phức Trục lớn ellip trục j với kích thước   trục nhỏ nằm trục  với kích thước  Biểu diễn cực đáp ứng Chebyshev với n=5 Hình II Hình II Phân bố cực đáp ứng Chebyshev II-2 II.1.2 Bộ lọc mẫu Chebyshev phần tử Các lọc mẫu Chebyshev thơng thấp có hàm truyền biểu diễn công thức (II.1) với độ gợn dải thông L Ar (dB) tần số cắt  c  , giá trị phần tử mạng hai cửa Hình II tính sử dụng phương trình sau: g  , g    sin     2n   2i  1   2i  3  sin  sin    2n   2n  , gi  g i 1  i  1   sin   n    g n 1     coth    4 i  2,3, n (II 6) for n odd for n even   L      ln coth  Ar  17.37      2n    sinh  Hình II Các phần tử lọc mẫu thông thấp: (a) Cấu trúc mạng bậc thang (b) Cấu trúc cân II-3 Các giá trị phần tử tính tốn Bảng II.1, II.2, II.3 với độ gợn thông dải LAr khác bậc lọc n  1,2, Đối với mức gợn thông dải L Ar dB , mức suy giảm băng dừng nhỏ L As dB    c bậc n lọc mẫu thơng thấp Chebyshev tính: 10 0.1LAs  10 0.1LAr  cosh 1  s cosh 1 n (II 7) Đôi người ta sử dụng return loss LR (tổn thất phản xạ) hệ số sóng đứng VSWR dải thông thay cho mức gợn thông dải L Ar Đối mạng hai cổng khơng tổn hao S11  S 21  , return loss tính theo (II.8) mức gợn thơng 2 dải tương ứng theo (II.9):   LR    10 log  S 21  j  dB   L Ar  10 log  10 0.1LR dB (II 8) (II 9) Tương tự, hệ số sóng đứng VSWR độ gợn thơng dải L Ar tính sau: VSWR  L Ar  S11 (II 10)  S11   VSWR     10 log 1     dB   VSWR    II-4 (II 11) Bảng II Giá trị phần tử lọc mẫu Chebyshev ( g Bảng II Giá trị phần tử lọc mẫu Chebyshev ( g  ,   , L Ar  0.04321 ) Bảng II Giá trị phần tử lọc mẫu Chebyshev ( g II-5  ,   , L Ar  0.01 )  ,   , L Ar  0.1 )) II.2 Các biến đổi mạch điện II.2.1 Biến đổi mạch điện: Biến đổi mạch điện (Immittance Inverters) bao gồm biến đổi trở kháng (Impedance Inverter) biến đổi dẫn nạp (Admittance Inverter) Biến đổi trở kháng lý tưởng mạng hai cửa mà mạng có đặc tính tất tần số, trở kháng đầu cuối Z cổng trở kháng Z1 nhìn từ cổng cịn lại xác định: K2 Z1  Z2 (II 12) K số thực, định nghĩa trở kháng đặc tính Ta thấy rằng, Z điện cảm/ điện dẫn (inductive/conductive) Z1 trở thành điện dẫn/ điện cảm (conductive/ inductive); vậy, biến đổi lệnh pha 90 , gọi K-Inverters Ma trận ABCD biến đổi trở kháng lý tưởng mơ tả tổng qt sau đây: A B  C D    jK     jK   Tương tự, biến đổi dẫn nạp lý tưởng mạng hai cửa mà mạng có đặc tính tất tần số, dẫn nạp Y2 kết nối đến cổng dẫn nạp Y1 nhìn từ cổng cịn lại xác định sau: J2 Y1  Y2 (II 13) J số thực gọi dẫn nạp đặc tính Phép biến đổi trở nạp lệch pha 90 , thường gọi J-Inverters Ma trận ABCD biến đổi trở nạp lý tưởng là: II-6  A B  C D        jJ  1 jJ     II.2.2 Các lọc với biến đổi mạch điện Có thể thực phân tích mạng biến đổi mạch điện Inverter Đối với cuộn cảm mắc nối tiếp có hai biên K- Inverter tương đương với tụ điện ngắn Hình II 7(a) Ngược lại tụ điện mắc song song với hai biên J-Inverter tương đương với cảm mắc nối tiếp Hình II 7(b) Các biến đổi Inverter có khả biến đổi trở kháng dẫn nạp dựa vào tham số K J Sử dụng đặc tính giúp ta phân tích mạch lọc cấu trúc vi dải thành mạch tương đương dễ tính tốn Hình II Biến đổi mạch điện, (a) Cuộn cảm nối tiếp thành tụ điện tương đương, (b) Tụ điện song song thành cuộn cảm tương đương II-7 Hình II mạch điện tương đương biến đổi Inverter lọc mẫu thơng thấp có phần tử biển diễn Hình II Mạch điện tương đương biến đổi Inverter lọc thông dải thể Hình II Hình II Bộ lọc mẫu thơng thấp biến đổi Inverter: (a) K-Inverter , (b) J-Inverter II-8 Hình II Bộ lọc thơng dải sử dụng biến đổi mạch điện, (a) K-Inverter, (b) J-Inverter II-9 II.3 Phép biến đổi từ lọc mẫu thông thấp sang lọc thơng dải Biến đổi tần số, cịn gọi ánh xạ tần số, yêu cầu ánh xạ từ đáp ứng chẳng hạn đáp ứng Chebyshev miền tần số  lọc mẫu thông thấp đến miền tần số  đáp ứng lọc thực tế khảo sát lọc thông thấp, lọc thông cao, lọc thông dải, lọc dải chắn Theo đó, biến đổi tần số ảnh hưởng đến tất phần tử phản kháng (reactive elements) không ảnh hưởng đến phần tử điện trở (resistive elements) Mặc khác ánh xạ tần số, hệ số tỷ lệ trở kháng (impedance scaling) yêu cầu để thực chuyển đổi phần tử Ta định nghĩa hệ số tỷ lệ trở kháng  sau:  Z / g for g being the resistance  g / Z for g being the conductance 0   Y0  / Z dẫn nạp nguồn Về nguyên tắc, áp dụng hệ số trở kháng tỷ lệ trở kháng mạng mạch lọc, L   0L C C /  (II 14) R   0R G G /  khơng ảnh hưởng đến hình dạng đáp ứng Giả định đáp ứng mẫu lọc thông thấp biến đổi tương đương sang đáp ứng lọc thơng dải có dải thơng   1 , với 1  hai cận biên tần số trung tâm Phép biến đổi tần số tương đương sau:  c FBW   0         (II 15) với II-10 FBW    1 0 (II 16)   1  tần số góc trung tâm FBW gọi băng thơng phân đoạn (fractional bandwidth) Hình II Chuyển đổi phần tử từ lọc mẫu thông thấp thành lọc thông dải Nếu ta áp dụng tần số chuyển đổi đến phần tử phản kháng (reactive element) g lọc mẫu thơng thấp, ta có: j g  j  c g  c c g  FBW j FBW ta giả định phần tử điện cảm điện dung g lọc mẫu thông thấp biến đổi thành mạch cộng hưởng nối tiếp/song song LC lọc thông dải Các phần tử mạch cộng hưởng nối tiếp LC lọc thông dải là:  c   g Ls   FBW    với g đặc trưng cho độ tự cảm,  FBW   C s    0  c   g II-11  c  g  L p   FBW  0   FBW C p    0  c 0  g với g đặc trưng cho điện dung Chú ý rằng:  o Ls  /  C s   L p  /  C p  Phép biến đổi phần tử trường hợp Hình II II-12 ... – BỐN KÊNH TRONG HỆ THỐNG BĂNG RỘNG (THÁNG 10/2010) Công vi? ??c thiết kế mạch ghép vi dải ba cổng bốn kênh hệ thống băng rộng mà luận văn hướng tới gồm hai bước Bước thứ thiết kế hai mạch lọc vi. .. (dải tần 1.36-1.77 GHz) kênh đạt 430 MHz ( dải tần 4.55-4.98 GHz) Các mạch lọc thông dải nhánh mạch ghép ba cổng bốn kênh thiết kế phần - 31 - Chương THIẾT KẾ MẠCH GHÉP VI DẢI BA CỔNG BỐN KÊNH... hai kênh thu/phát song băng hệ thống cấu hình anten đơn Công vi? ??c thiết kế mạch ghép vi dải hệ thống băng rộng mà luận văn hướng tới gồm hai bước Bước thứ thiết kế lọc vi dải thông dải, gọi mạch