Nghiên cứu chế tạo cảm biến điện hóa chọn lọc dopamin trên cơ sở sử dụng polyme dẫn và ứng dụng trong phân tích dược

192 103 0
Nghiên cứu chế tạo cảm biến điện hóa chọn lọc dopamin trên cơ sở sử dụng polyme dẫn và ứng dụng trong phân tích dược

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

ĐẠI H Ọ C Q U Ố C G IA H À NỘI T R Ư Ờ N G Đ Ạ• I H Ọ• C K H O A H Ọ• C T Ụ• N H I Ê N •k-k'k'k-k'k& Jc BÁO C Á O T Ô N G KÉT ĐẼ TÀI N G H IE N C U u C H Ẽ T Ạ O C A M B IẼ N Đ IỆ N H O A C H Ọ N LỌC D O PA M IN T R ÊN c SỞ s DỤNG POLYM E DẦN VÀ Ừ NG D Ụ N G T R O N G PH Â N T ÍC H D ợ c ĐÈ TÀI N C K H C B - N H Ó M B M Ã SỐ : Ọ G 1 C H Ủ TRÌ Đ Ẻ TÀI: C Á C C Á N B ộ T H A M GIA: TS Đỗ Phúc Quân GS TS Phạm Hùng Việt ThS Đỗ Phúc Tuyến CN Nguyễn Phương Hà ThS Lê Trọng Huyền HÀ NỌI -2012 M Ụ C L Ụ C M Ụ C L Ụ C BÁO CÁO TÓM TÁT BẢNG TIÊNG V I Ệ T B Á O C Á O TÓ M T Á T BẢ N G TIÉN G A N H ] D A N H M Ụ C C Á C KÝ HIỆU V IẺ T T Á T 17 D A N H M Ụ C C Á C H ÌN H VẼ V À D Ĩ T H Ị 18 D A N H M Ụ C C ÁC B A N G .24 M Đ À U 25 C H Ư Ơ N G 27 TÔ NG Q U A N 27 I Tính chât vai trò D A 27 1 G i i t h i ệ u v ề d o p a m i n ( D A ) T í n h c h ấ t c ủ a D A V a i trò c ù a đ o p a m i n 1.2 C c phương pháp x c đ ịnh D A 31 1.2.1 Ph n g pháp sắc k í lịng - kh ố i phổ kép ( L C - M S / M S ) 32 P h i r n g p h p s ắ c k í l ó n g v i d e t e c t o đ i ệ n h ó a P h n g p h p s ắ c k ý l ò n g h i ệ u n ă n g c a o k ế t h ợ p v i d e t e c t o p h t q u a n g P h n g pháp phân tích dịng c h ả y vớ i detecto phát quang ( F I A - C L ) 41 1.2.5 P h n g p h p p h â n t í c h đ i ệ n h o G i i t h i ệ u v ê ố n g n a n o c a b o n v p o l y m c d ẫ n đ i ệ n Ó n g n a n o c a c b o n P o l y i n e d ẫ n ] T ô n g h ự p đ i ệ n h ó a m n g p o l y m e d ẫ n C H Ư Ơ N G 56 NỘI D U N G N G H IÊ N c u V À T H Ự C N G H I Ệ M 56 ] N ộ i d u n g n g h i ê n c ứ u M ụ c đ í c h n g h i ê n c ứ u N ộ i d u n g n g h i ê n c ứ u T h ự c n g h i ệ m T h i ế t b ị v h ó a c h ấ t C c t h ô n g s ô k ỳ t h u ậ t đ o đ i ệ n h ó a Q u y t r ì n h b i ế n t í n h b ề m ặ t đ i ệ n c ự c G C 2 K h ả o sát cá c đặc trưng cùa điện c ự c G C .61 K h a o s t c c y ế u t ô a n h h n g đ c n v i ệ c x c đ i n h D A 2 X c đ ị n h D A k h i c ó m ặ t A A v U A 2 Đ ộ ô n đ i n h v đ ộ l ặ p l i c ù a đ i ệ n c ự c 3 H o t h o a d i ệ n c ự c 63 X c đ ị n h D A t r o n g m ẫ u d ợ c p h â m C H Ư Ơ N G 64 K I I Q U A V À T H Ả O L U Ậ N .64 3.1 Kháo sát tính chât điện hóa D A điện cực G C 64 1.1 K iê m tra độ hoạt hoá cùa điện c ự c G C 64 T í n h c h ấ t o x y h ó a - k h t h u ậ n n g h ị c h c ủ a D A 3.1.3 Q trình oxy hóa cua DA A A điện cực G C 67 Đ i ệ n cự c b i ế n t í n h 2.1 T n g hợp điện hố m àng P M T lên điện cự c G C 69 H ì n h t h i b ề m ặ t m n g b i ế n t í n h 3 A n h h ơn g cua độ dày m àng P M T / G C đen kh ả đáp úng D A .71 3 Đ iệ n cự c P M T / G C v N F / P M T / G C 72 3.3.1 Xác định D A có mặt A A U A 72 3 ] A n h hương củ a pH đên trìn h o x y hóa D A 72 3 A n h hường cu a p H đến trìn h o x y hố D A A A 73 T í n h c h ấ t o x y h ó a - k h t h u ậ n n g h ị c h c ủ a D A Đ iệ n c ự c N F - S W C N T / P M T / G C 82 3.4.1 A n h h n g cùa nông độ N F đên kh đáp ứng D A 82 Ả n h hương cùa thể tích N F - S W C N T đến kha đáp ứng D A 83 3.4.3 Anh hướng pH đên trình oxy hoá 3.4.4 A n h h n g c ủ a t ố c đ ộ q u é t đ ế n q u t r ì n h o x y h o c ủ a D A .8 DA, A A Ư A 84 Q u trìn h o x y hóa củ a D A A A v U A 87 K h o n g tuyến tính xá c đ ịnh D A k h i có m ặt A A U A 89 C c c h â t g â y n h h n g 3 Đ ộ ô n đ ị n h v đ ộ l ặ p l ại c ủ a t í n h i ệ u D P V .9 Hoạt hoá điện cực N F - S W C N T /P M T /G C 96 Đ iệ n cự c G C / N F / P M T 97 ] Đ ặ c t r n g c ủ a đ i ệ n c ự c G C / N F / P M T 3.5.2 X c đ ị n h D A k h i c ó m ặ t A A v U A 101 X c đ ịnh D A m ẫu dư ợc p h â m 106 K Ể T L U Ậ N P H Ả N K Ế T Q U A N G H IÊ N c u 109 K Ế T L U Ậ N B Á O C Á O T Ỏ NG K Ê T 11 T À I L I Ệ U T H A M K H A O .1 12 P H Ụ L Ụ C 121 T ê n đ ề tà i: N g h i ê n c ứ u c h ế t o c a m b i ế n đ i ệ n h ó a c h ọ n lọc d o p a m i n tr ê n c s sư d ụ n g polyrne d ầ n ứ ng d ụ n s p h â n tích dư ợ c M ã số: Q G 10 C h u t r ì đ ề t i: TS Đ Phúc Q u â n C c c n b ộ t h a m g ia : STT H ọ v tê n, h ọ c h m , C q u a n c ô n g tá c h ọ c vị T c c h t h a m g ia (chu nhiệm /thành viên) TS Đ ô P húc Q u â n T ru n c tâm N ghiên C h u n h i ệ m đ ề tài cứu C N M T &PTBV, Trường Đ H K H T N , ĐHQGHN GS TS P h ạm H ù n g T ru n g tâm N ghiên Việt cứu C N M T &PTBV, T h n h viên Trường Đ H K H T N , ĐHQGHN T h.s Đô Phúc Tuyên -nt- T h n h viên CN Nguyên Phương Hà -nt- T h n h v iê n ThS Lê T rọng H uyên V iện K ỳ thuật H o T h n h v iê n học, T rường ĐHBKHN M ụ c tiêu nội d u n g n g h iê n c ứ u : Mục tiêu nghiên cứu C h è t o c a m h i ế n đ i ệ n h ó a đ o c h ọ n lọc d o p a m i n tr ê n c s v ậ t liệu p o l y m e d ầ n đ i ệ n t h o a m ã n c c y ê u c ầ u sau: • Đ t g i i h n đ ị n h l ợ n g ỊiM/] đ ố i với d o p a m i n K h o a n g t u y ế n tí n h c ủ a đ n g c h u â n x c đ ị n h d o p a m i n t |J.M đ ế n 0.1 lĩiiM • Đ ộ c h ọ n lọc c a o với d o p a m i n đ ê c ó t h è x c đ ị n h đ ợ c d o p a m i n c ó m ặ t đ ô n c t h i c ủ a c c c h ấ t n h ax it a s c o r b i c , ur ic v y ế u tố k h c • Đ ộ ô n đ ị n h v đ ộ l ặ p lại tòt c u a tín h i ệ u g i ữ a c c lần đ o vớ i đ ộ lệ ch c h u â n c u a tín h i ệ u n h o h n % • T u i t h ọ c u a c ả m b i ê n x c đ ị n h t h e o sơ lân đ o c ó t h è đ t đ ợ c h n 0 p h é p đ o l i ê n tụ c v c a m b i ê n c ó t h ê b a o q u a n t r o n g t h n g Nội dung nghiên cứu: a) K h a o sát, đ p ứ n g đ i ệ n h ó a c ủ a d o p a m i n tr ê n c c vật l i ệ u đ i ệ n c ự c c h a b i ê n tí n h k h c n h a u g ô m k i m lo i A u , Pt v vậ t liệu c a c h o n C c h o t đ ộ n g c h í n h g ô m k h a o sát c v , DPV c ủ a DA đ i ệ n c ự c kh c h ) K h a o sát p h n g p h p t ô n g h ợ p v ậ t li ệu p o l y m e d ầ n đ i ệ n c ) N g h i ê n c ứ u c h ế t o v đ n h g i đ p ứ n g đ i ệ n h ó a c u a d o p a m i n t r ê n vật liệu p o l y m e d ) K h a o sát, u đ i ề u k i ệ n p h â n t í c h d o p a m i n v đ n h g i c c y ế u tố anh hương e) N g h i ê n c ứ u đ i ề u k i ệ n p h â n t í c h m ầ u t h u ố c đ i ề u trị b ệ n h P a r k i n s o n C ác kết q u đ t được: + ) Két khoa học: a) Đ i ệ n c ự c g l a s y c a c b o n h i ế n tí n h t r ê n c s s ự k ế t h ợ p c ủ a n a í ì o n , ố n g n a n o cacbon đơn vách poly(3-m etylthiophen) (N F /S W C N T /P M T /G C ) n c h i ê n c ứ u c h ế t o t h n h c ô n g đ ê s ứ d ụ n g đ ê x c đ ị n h D A t r o n g h n h ợ p với A A v U A t r o n g đ ệ m đ ệ m p h ố t p h t ( P B S ) 0,1 M , p H = b ằ n s p h n g p h p p h â n tích v o n - a m p e Kêt q u a n g h i ê n c ứ u c h o th s d ụ n g ện cực N F / P M T / G C c ó t h ê x c đ ị n h đ ợ c D A t r o n g h n h ợ p với A A , n h n g đ ố i với hồn hợp gồm D A -A A -U A cần th i ế t phai sử dụng điện cực N F/S W C N T /P M T /G C 50 48 46 44 42 40 < 38 - ặ 36 34 32 30 28 26 24 22 20 -0 ,1 ,0 ,1 ,2 ,3 ,4 ,5 ,6 ,7 ,8 E /V vs Ag/AgCI H ì n h ] Đ p ứ n g D P V c u a A A , D A v U A t r o n g h n h ợ p n n g đ ộ k h c n h a u c u a D A c h ứ a l m M c ủ a A A v m M U A t r o n g đ ệ m P B S ,1 M , p H = , trê n đ i ệ n c ự c N F / S W C N T / P M T / G C Đ n g c h u ẩ n D A b i ể u diễn m ôi quan hệ c n g đ ộ d ò n g n n g độ D A Đ iệ n c ự c N F / S W C N T / P M T / G C c ó h o ạt tín h x ú c tác c a o h n A A , D A v U A n h t c d ụ n g t ă n g c n g c ủ a N F / S W C N T ( d i ệ n t í c h b ề m ặ t r i ê n g lớn, đ ặ c t í n h h â p p h ụ v đ i ệ n x ú c tá c c ủ a S W C N T v c h ọ n l ọ c c a t i o n c ủ a N F ) T r ê n b ề m ặ t c ủ a đ i ệ n c ự c N F / S W C N T / P M T / G C A A , D A v U A đ ợ c ox i h o t h ế tư c m g ứ n g l , , a n d V ( vs A g / A g C l ) , c h o p h é p x c đ ị n h c h í n h x c tín h i ệ u c ủ a l n g t h n h p h ầ n v n h đ ó c ó t h è x c đ ị n h đ n g thờ i c ủ a t n g c hâ t H n n a , p h n g p h p n y c ó m ộ t s ố u đ i ê m n h c h u â n bị m ẫ u đ o n g i a n , đ ộ n h y v đ ộ l ặ p lại c a o v g iớ i h n p h t h i ệ n n n g đ ộ thấp D o vậy, điện cự c N F / S W C N T / P M T / G C c ó thê sư d ụ n g đê xác đ ịn h D A trons m ẫu dư ợc phàm b) D i ệ n c ự c glasy cacb o n hiên tinh hãng v ậ t li ệu m àng conpozit n a ĩio n /P o ly (3 -m e th y lth io p h e n ) đ ợ c n g h iê n u chê tạo đè xác đinh D A Đ áp n g đ i ệ n h o c u a D A t r ê n m n g b i ế n tí n h đ ợ c đ n h g i h ă n g p h n g p h p v o n - a m p e v ò n g ( C V ) v v o n - a m p e x u n g vi p h â n ( D P V ) t r o n g m ô i t r n g axi t H 2S O 0, M v i p H = K h o a n g t u y ế n t í n h đ p ứ n g D P V c u a D A x c đ ị n h t to 0 v i đ ộ n h y Ị i A Ạ i M , g i i h n p h t h i ệ n fjM N g o i ra, k h a n ă n g x c đ ị n h D A t r o n e s ự t n đ n g t h i c ủ a A A v U A c ũ n g đ ợ c đ n h gi H ì n h ( A ) Đ p ứ n g D P V t r ê n đ i ệ n c ự c P M T / N F / G C c ủ a D A n n g đ ộ k h c n h a u t r o n g d u n g d ị c h H 2S O 0,1 M c h ứ a A A , U A ( B ) M ố i q u a n h ệ t u y ế n t í n h c u a tín h i ệ u D P V v i n n g đ ộ D A S ự t c h tín h i ệ u g i ữ a D A - A A v D A - U A t n g ứ n g 135 m V v 155 m V V i k h ả n ă n g p h â n t í c h tí n h i ệ u n h v ậ y c h o p h é p đ ị n h l ợ n g t r ự c ti ếp D A k h i t n đ n g t h i c u a A A v U A m ộ t c c h d ề d n g t r o n g k h o a n g n n g đ ộ t đ ế n 0 ị i M v i p h n g t r ì n h h i q u i t u y ế n t í n h I ( | i A ) = + x C d a (M-M) v i h ệ số t n g q u a n R = 9 Đ i ệ n c ự c n y đ ã đ ợ c ứ n g d ụ n g đ è x c đ ị n h D A t r o n g m ầ u t h u ố c t i ê m H m l ợ n g D A đ o đ ợ c sai k h c với g i trị g h i t r ê n n h ã n t h u c chi ì % k hi t i ế n h n h p h â n t í c h lặp lại 10 m ầ u t h u ô c v đ ộ l ệ c h c h u â n t n g đ ô i , % C u ô i c ù n g , s a u k hi s d ụ n s đ i ệ n cực có thê đ ợ c m đ ê tăng thời g ia n sử d ụ n g c ủ a điện cực + ) Kêt qua úng dụng ( n c u có ): k h ô n g +) Kết qua công bố b i b o k h o a h ọ c v 01 b o c o h ộ i n g h ị K H a) B i • báo khoa h ọ c: Đ ỗ P h ú c T u y ế n , Đ P h ú c Q u â n , T V ọ n g N g h i , P h m H ù n g V iệ t •N ghiên c ứ u xác đin h c h ọ n lọc d o p a m i n c ó m ặ t đ n g thời cua axit a sco b ic c s sử d ụ n g đ iệ n c ự c biến tính b ằ n g màng p o l y O - m e t h y l t h i o p h e n V n a f i o n , T p c h í P h â n t í c h H o , L ý v S in h học (nhận đăng) • Đ P h ú c T u y ế n , Đ P h ú c Q u â n , T V ọ n g N g h i , P h m H ù n g V iệt, N g h i ê n c ứ u x c đ ị n h c h ọ n lọ c d o p a m i n k h i c ó m ặ t đ ô n g th i c u a axit ascobic uric c s sư d ụ n g điện cự c hiến tính h ă n g m n g co m p o zit n afio n /p o ly (3 -m e th y lth io p h e n ), T p chí P h ân tích Hố, Lý v Si n h h ọ c ( n h ậ n đ ă n g ) b) B ă i b o đ ă n g to n v ă n H N K H • D o Phuc T uyen, Phan N g o e T ram , N guyen P h u o n g Ha, D o Phuc Q u a n , P h a m H u n g Viet, E l e c tr o c h e m ic a l d e te rm in a tio n o f d o p a m in e in t h e p r e s e n c e o f a s c o h i c a n d u r i c a c i d s o n t h e s u r f a c e o f t h e g l a s s y carbon electrode m odified by a bilayer o f poly(3-m ethylthiophene a n d si ngle wall c a r b o n n a n o t u b e s , A n a l y t i c a V i e t n a m C o n f e r e n c e 1 , April 7-8, H C M City + ) K.ết q u đ o t o : n g h i ê n c ứ u s i n h t h a m g i a đ ề tài v s d ụ n g m ộ t p h ầ n k è t q u ả c ủ a đ ề tài n g h i ê n c ứ u : • N CS Đ Phúc Tuyến (2010-2012): Đ ê tài: N g h i ê n c ứ u c h ê t o c ả m b i ê n đ i ệ n h o ă t r ê n c s v ậ t liệ u n a n o c o m p o z i l c ủ a p o l y m e d n đ i ệ n v n a n o c a c b o n n h ă m x c đ ịn h d o p a m in tr o n g m u d ợ c p h m v s in h h ọ c • N C S Lê T rọ ng H uyền (2011-2014): Đ ê tài: N g h i ê n c ứ u tô n g h ọ p v ậ t l iệ u l a i v ô c - h ữ u c c ả u t r ú c n a n o i m g d ụ n ụ t r o n g p h t t r i ê n t h i ê í b ị p h â n tíc h V - s in h l ì n h h ì n h k i n h p h í c ủ a đ ề t i: 40 t r i ệ u đ n g • N ă m t h ứ n l ìâ t s o t r i ệ u đ ỏ n g • N tn t h ứ h a i : t r i ệ u đ ỏ n g K H O A QUẢN LÝ CHỦ TRÌ ĐÈ TÀI T ru n g tâ m N ghiên u C N M T & P T B V G IÁ M Đ ỐC TS Đỗ P húc Q u â n T R Ư Ờ N G Đ Ạ• I H Ọ• C K H O A H Ọ• C T Ụ• N H I Ê N 10 BẢ O C Á O T Ó M TẤ T BẢNG T IÉN G ANH P roject Title: Dopam ine D evelopm ent based on of a Selective C onducting Electrochem ical Polym er and its Sensor for Application on Pharm aceutical Analysis C o d e N u m b e r : Q G 10.16 P r o j e c t L e a d e r : Dr D O P H U C Q U A N Key Im p le m e n to rs: N am e o f Im plem entors STT N a m e o f Institutions P o s i t i o n in t h e project Dr D o P h u c Q u a n CETA SD , HUS, Project L e a d e r VNUH P r o f Dr P h a m H u n g CETASD, HUS, Viet VNƯH MSc D o Phuc Tuyen CETA SD , HUS, M ember M ember VNUH BSc N g u y e n P h u o n g CETA SD , HUS, Ha VNƯH MSc Le T rong H uyen Ins o f C h e m ic a l Eng, M ember M ember HUT P r o j e c t ’s G o a l s a n d m a i n c o n t e n t s : P r o j e c t ’s G oals: To fabricate a selectively electrochem ical sensor to D o p a m i n e b ased o n m o d ifie d c o n d u c tin g p o ly m e r m aterial with fo llo w in g characteristics: • H ig h sensitivity to D o p a m in e T h e calibration curve of dopam ine d e t e r m i n a t i o n w il l h e l i n e a r in th e r a n g e o f | j M to 0.1 m M • H i g h s e l e c t i v i t y t o D o p a m i n e , p o s s i b i l i t y to d e t e r m i n e d o p a m i n e th e p r e s e n c e o f a s c o r b i c a c i d , u ri c a c i d a n d o t h e r s • G o o d stability a n d reproducibility d u rin g m e a su re m en ts in Kct qua cua q trình tơne hợp điện hoa m ans PM r lên mặt điện cực G C đ ợ c thê hình Kêt qua cho thây, có s ự hình thành m n g P M T lên mặt điện cực G C thời gian đầu, m n g P M T hình thành nhanh điện cực G C cưừng độ dòng giam nhanh theo thời gian Sau 2,5s cườrng độ dòng giảm rât chậm, sau 15s cường độ dịng hồn tồn đạt đến trạnịơ thái ơn định hão hồ cua qua trình hình thành màng P M T điện cực G C Sau 20s, bê mặt điện cực G C bao phu lớp màng PM TT tương đơi đồng đcu ơn định a Cihúv nàng hố ống cabon nanu đim vách (SWCNT) 'Ổng cabon nano đơn vách (S W C N T ) tiến hành chức hoá nhãrm tạo nhỏm chức -C O O H , -OH, -CO bề mặt đồng thời loại bo ion kim loại nặng h 2s o hno OH H ìn h C h ứ c hoá S W C N T hồn hợp H 2S : H N Ọ ,( :1) (Quá trình thực sau: S W C N T rung siêu âm 25(°C hỗn hợp axit đậm đặc H 2S O : H N O } tỷ lệ :1 Hồn hợp dung dịch lọc rưa ly tâm hăng nước cất nhiêu lân, sau dung dịch N aO ỈH ,0 IM nước nhiều lần đê trung hoà hết lượng axit dư Dung dịch màu đen thu có pH=7 lãng ly tâm sây khô qua đêm ỡ 100°c thu đỉược dạng hột màu đen S W C N T chức năne hoá Sau S W C 'N T chức hoá, mạch liên kết cahon bị phá vỡ hai đâu ông, thànhi ống có cấu trúc dạng S W C N T -C O O H c ấ u trúc S W C N T sau đirợíc c hố thê hình S W C N T chức hoá, phàn tán duníi dịch N F 0.25 % theo ty lệ ] mg S W C N T/1 ml N F ,2 % (a) (b) Ĩ H ìn h A nh hiển v i điện tứ quét S E M màng (a )P M T (b) N FS W C N T/P M T Dáánh giá đ ặ c t r n g c ủ a v ậ t liệu tố n g h ọ p 4.1 H ì n h th i bề m ặ t c ủ a v ật liệu M n g P M T N F - S W C N T / P M T chuẩn bị lên bề mặt kính có phu imột lớp IT O (B A S In c , T o k y o , Japan) (được xem điện cực thay cho điện cực G C ), điều kiện tổng hợp điện hoá tiến hành (điện cực G C Hình thái bề mặt chúng thê qua anh hiên vi điện tử quét S E M hình 5a cho thây, màng P M T hình thành bề m.ặt điện cực đong ổn định K ct ảnh S E M S W C N T phân tán N F ,2 % phu trực tiêp lên nên P M T tạo nên lớp màng lai ghép g iừ a vật liệu với nhau, bê mặt trờ nên xơp so, làm tăng diện Itích bê mặt cua điện cự c, giúp cho trình khuếch tán nhanh D A vào sâu lớp hên cua vật liệu hiên tính đơng thời loại ho hồn toàn anh hươrng cu a chât đcn trình xác định D A r'SXí«io, ~— 3.0x10 aoxio5- • Ipa 1.0x1 ơ5 ; 0.0-1.0x10* -20x1 ơ5 I = -0.6468*10 - 1292*10 * u R =0.9976 -3.0tx1 o 0.0 a o x io 1.0x10’ 1.5x10’ 20x10" E V Tec® Cậtì (V/ s) H ì n h Đường c v điện cực N F - S W C N T /P M T /G C đệm P B S ( U M , pH = 4, nồng độ D A x 4M với tốc độ quét th ế (m V s): (a —>i) 10, 25, 50, 7'5, 100 125 150, 175, 200 m V/s 4.2 Đáp úng điện hoá cua DA vật liệu biến tính 4.2.1 Á n h h u ỏ n g c ủ a tốc độ q u é t đ ế n q u tr ì n h oxy h o c ủ a DA Â n h hưưng tốc độ quét đến cường độ píc tín hiệu D A đ iệ n c ự c N F - S W C N T / P M T / G C thể hình cho thấy, q trình o x v hố khư D A q trình thuận nghịch, dịng anot catơt D A t;ãng tuyên tính theo tăng tốc độ quét V ị trí anoí catốt thay đổi k.hôr.g đáng kê quét nhanh 2O0mV/s 4.2.2 Ọ u tr ì n h oxy h ó a c ủ a DA , AA UA Q trình o xy hố khư D A , A A U A điện cực NF- S W C N T / P M T / G C thể qua đường c v hình (A C ), kết cho th ây, q trình o xy hố khư DA điện cực N F- S W (C N T / P M T /G C trình thuận nehịch cường độ píc tín hiệu D A cac> so với A A U A V ị trí Epa KpC cua D A tương ứng 386 3>37mV AEp = m V V ị trí píc tín hiệu cua D A , A A U A xuất vị t r í kh xa chúng xác định độc lập vớ i EV -0 300 T- -• T - ’ 1' - -0 300*1110' t - — -0.050 0-200 • 0.450 700 E/V H ìn h i Đường c v (A ) D P V (B ) (1 )A A ,5 x -M , (2 )D A IxlO ^ M Í3 ) U A , x ' 4M Đ n g c v (C) D P V (D ) hồn hợp D A : 1x10' 4M , A A :2 ĩ.5 x ] O'-M U A : ,1 5x 10 4M trê điện cực N F - S W C N T /P M T /G C EOường c v hồn hợp D A , A A U A thể hình (C ), có) m ật N F - S W C N T làm Cí n trơ anion A A U A vào bê mặt điện cực tham gia qua trình oxy hố khư cường độ píc tín hiệu cua chuntỊ khơnii cao chi xt píc oxy hố Trong D A lại đưựíc hàp phụ mạnh vào bê mặt điện cực khuêch tán sâu vào hên cua lớp vật liệu hiên tính đê tham gia vào q trình o xy hố khư tín hiệu cu a Đ A xt ca píc o xy hố píc khư T ín hiệu D P V A A D A U A thê hình ( B ) cho thây, píc tín hiệu cua A A xuất vị trí 121 m V D A vị trí 59 m V U A vị trí 508m V Khoang cách vị tn í p íc tín hiệu chúng xa sè thuận lợi q trình xác định D A có mật đồng thời A A U A K et hình 3 (D ) cho thấy, tín hiệu D P V hỗn hợp D A A A U A có tách biệt rõ ràng, A A vị trí m V , D A v ị trí 371 m V U A vị trí m V , khoang cách D A - A A 14 m V , D A - U A 161m V Khoang cách đu lớn để có thê đỉịnh lượng D A có mặt đơng thời A A U A 4.2.31 K h o n g tu y ế n tín h xác đ ịn h DA k h i có m ặ t AA ƯA lH ìn h tín hiệu D P V đường chuân D A điện cực N F- S W C N T P M T Ket cho thất, điện cực nhạy D A , đường chuâin củ a D A có khoảng nồng độ tu y ế n tính từ lịiM đến 3,5fiM , phương trình hồi qui tuyến tính K^iA) = ,4 8 *C DA + ,0 * với với hệ số tưưriịg quan R = ,9993 So với điện cực N F /P M T /G C , điện cực N FS W C N T /P M T /G C cho khoảng tuyến tính xác định D A rộng hem có độ nhạy cao G iớ i hạn phát D A đạt nồng độ thấp ,5 |iM , thấp in h iêu so với điện cực P M T /G C G C Độ nhạy cua D A điện cực N F -S > W C N T /P M T /G C tăng gấp 15 lần so với điện cực điện cực G C tăng gấp ) lân so với điện cực P M T /G C q » /M H ìn lh » Pic tín hiệu D P V đườne chuẩn D A điện cực N FS W C N T / P M T / G C VỚI nồ n g đ ộ D A (ịiM ): (a -> h )0 ,5 ; 1; 1,5; 2,5; 4,5; 7,5; 1,5 ; 23K 5|iM đệm P B S ,1 M , pH=4 fr10* -0150x1ữ' 012&MƠ* L/ Ollăúílữ4 (1.300 0200 0060 0460 0700 EV -0.25Q(1ữ4 -0300 H ìin lh 12 ( A ) T ín hiệu D P V điện cực N F - S W C N T / P M T / G C mầu trainee trước ( ) sau làm điện cực ( ) (B ) Đường cv trình làm điện cực N F- S W /(C N T /P M T /G C sau đo D A với tốc độ quét 100m V/s, 20 vòng quét troinịg đệm P B S ,1 M , pH=7 4.2 S5 H o t h o đ iện cự c N F - S W C N T / P M T / G C • • • ì Hâu hêt điện cực hiên tính sư dụng đê phân tích xác định D A đêui 1tích g iữ D A lớp vật liệu hiến tính mà khơng khuếch tán hồn tồn aliung d ịch sau sơ lần đo Đ ê có độ ơn định độ lặp lại điện cực tơt, hoại bo bị hâp phụ cua D A lớp vật liệu hiến tính sau lần đo, nhà khoa học thưừng loại ho hâp phụ chát băng nhiêu cách khác nham n h quét cv điện phân thê không đôi đệm P B S Đê loại ho sạr hấp phụ cua D A điện cực N F - S W C N T / P M T / G C sau lần đo diệni c ự c tráng m a lại hăng nước đê ion quét cv từ -0 , V đên V v u i 20 vòng quét, tốc độ quét 100mV/s đệm P B S , IM , pH=7 Điệ n cực sau đo D A rưa băng nước đê ion sau đo lại tronỊg đệm P B S M pH=4 thây có xuất píc điện D A vị trí :5 m V điều chứng to có hấp phụ D A lớp N F - S W C N T / P M T (p íc tín hiệu D P V D A thề hình 12A (1 ) Hình 12B trìnhi m điện cực đệm P B S , kết qua cho thấy, sau 20 vịng qt, píc tĩín h iệu D A màt hồn tồn, chứng tỏ bề mặt điện cực khơng cịn tích g iữ ID A Đ ê kiêm tra độ điện cực sau 20 vòng quét cv đệm P B S 0,1 M pH=7, điện cực đo D P V mẫu trắng (đệm P B S , IM , pH =‘4 ), kết qua thê hình 12A (2) cho thấy, khơng có xuất foie tín hiệu D A SẢ N P H A M C Ô N G N G H Ệ C Ả M BI ÉN Đ IỆ N H O Á C H Ọ N L Ọ C D O P A M I N C h ỉ tiêu kỹ thuật Tên sản phấm c 'a im hiến điện hố chọn lọc dopamin • • • • • • • Vật liệu thân điện cực: nhựa tơng hợp PEEK dài 52,5 mm, đường kính mm Vật liệu điện cực: glasy cacbon (G C ) đường kính mm Vật liệu biến tính: PM T/N F-SW C N T Khoang tuyến tính: ] -100 ^iM/1 Độ tách tín hiệu điện hố: A E da -aa = 214 m V, A E da.ua =161 mV Mơi trường phân tích: đệm PB S 0,1 M pH=4 K ỹ thuật phân tích: von - ampe xung vi phân (D P V ) r H ìn h ả n h c ủ a c ả m b iên đ iện h o ch ọ n lọc d o p a m i n Số lượng 05 s c IE N T IF IC P R O J E C T BIR A N C H : ( C H E M I S T R Y ) P R O J E C T C A T E G O R Y : (N A T IO N A L L E V E L ) T it le : D evelopm ent o f a S e le ctive Ele ctro ch e m ica l Sensor for Dopam ine biased on C on du ctin g P o lym e r and its A p p licatio n on Pharm aceutical A alysis C o d e : Q G 1 M a n a g i n g I n s t i t u ti o n : V ietnam N ational U niversity, H anoi (V N Ư H ) I m p l e m e n t i n g I n s ti t u t i o n : Hanoi U niversity o f Science (H U S) C o l l a b o r a t i n g I n s titu tio n s : none

Ngày đăng: 18/03/2021, 17:35

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan