Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene

27 18 0

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

1 / 27 trang

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang	27
Dung lượng	1,87 MB

Nội dung

Mục đích của luận án này là nghiên cứu lý thuyết các đặc trưng dẫn điện của các cấu trúc nano dựa trên graphene. Chúng tôi tập trung vào hai đối tượng nghiên cứu-hai loại cấu trúc nano được làm từ graphene: Chuyển tiếp lưỡng cực graphene (GBJ) và chấm lượng tử graphene (GQD).

Ngày đăng: 28/01/2021, 10:07

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Hình 1.1: (a) Cấu trúc vùng năng lượng của graphene dọc theo quỹ đạo Γ→K→M→K0vớik y=kx/√ - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 1.1** (a) Cấu trúc vùng năng lượng của graphene dọc theo quỹ đạo Γ→K→M→K0vớik y=kx/√ (Trang 6)

Hình 2.1: Rào thế được và biển Fermi các electron (các vùng phẳng tô đậm ngay ở phía ngoài rào thế) trong trường hợp lý tưởng khi thếVmột chiều đặt vào là nhỏ. - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 2.1** Rào thế được và biển Fermi các electron (các vùng phẳng tô đậm ngay ở phía ngoài rào thế) trong trường hợp lý tưởng khi thếVmột chiều đặt vào là nhỏ (Trang 10)

Hình 3.1: (a) Sơ đồ của GBJ. (b) Biểu đồ các chế độ của mật độ hạt tải của chuyển tiếp (n cho electron và p cho lỗ trống) - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 3.1** (a) Sơ đồ của GBJ. (b) Biểu đồ các chế độ của mật độ hạt tải của chuyển tiếp (n cho electron và p cho lỗ trống) (Trang 12)

Hình 3.2: Biểu đồ T (θ) cho GBJ trong mô hình thế dạng chữ nhật (các đường xanh nét đứt) và mô hình thế dạng Gauss (đường đỏ nét liền): giá trị ngoài cùng của hình bán nguyệt tương ứng vớiT= 1và ở tâmT= 0 - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 3.2** Biểu đồ T (θ) cho GBJ trong mô hình thế dạng chữ nhật (các đường xanh nét đứt) và mô hình thế dạng Gauss (đường đỏ nét liền): giá trị ngoài cùng của hình bán nguyệt tương ứng vớiT= 1và ở tâmT= 0 (Trang 13)

Hình 3.3: Điện trở R (a), điện trở lẻ 2Rodd (b), và hệ số Fan oF theo Vt cho ba trường hợp vớiV b= 40V (đường đỏ gạch chấm),60V (đường xanh dương liền nét) và80V (đường xanh lá đứt nét), các mũi tên chỉ giá trị của điện thế cổng trênV t(C)tại đó xảy ra sự - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 3.3** Điện trở R (a), điện trở lẻ 2Rodd (b), và hệ số Fan oF theo Vt cho ba trường hợp vớiV b= 40V (đường đỏ gạch chấm),60V (đường xanh dương liền nét) và80V (đường xanh lá đứt nét), các mũi tên chỉ giá trị của điện thế cổng trênV t(C)tại đó xảy ra sự (Trang 14)

Hình 3.4: (a) Sự phụ thuộc của dòng vào thế đặt vào, (b) Đặc trưng Fano factor-điện thế cho ba chuyển tiếp với [L(nm),V b(V),Vt(V) ] = [25, 35, −6] (đường nét liền xanh dương), [25, 40,−6] (đường nét đứt đỏ), and [50, 40,−3.5] (đường gạch chấm xanh lá) - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 3.4** (a) Sự phụ thuộc của dòng vào thế đặt vào, (b) Đặc trưng Fano factor-điện thế cho ba chuyển tiếp với [L(nm),V b(V),Vt(V) ] = [25, 35, −6] (đường nét liền xanh dương), [25, 40,−6] (đường nét đứt đỏ), and [50, 40,−3.5] (đường gạch chấm xanh lá) (Trang 15)

Hình 4.1: Phổ QBS (a) và LDOS (b) của GQD tạo bởi thế xuyên tâm hình thang cóL= 1vàU 0= 20được biểu diễn choν= +,j=3 2và các giá trị - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 4.1** Phổ QBS (a) và LDOS (b) của GQD tạo bởi thế xuyên tâm hình thang cóL= 1vàU 0= 20được biểu diễn choν= +,j=3 2và các giá trị (Trang 19)

Hình 4.2: (a, b) LDOSs của CGQD với R= 5.93 nm, V0 =0. 43 eV (phông hiệu chỉnhE D=−0.347eV):(a) Các dữ liệu thực nghiệm, (b) Các kết quả tính toán sử dụng phương pháp trên - Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý: Các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano Graphene — **Hình 4.2** (a, b) LDOSs của CGQD với R= 5.93 nm, V0 =0. 43 eV (phông hiệu chỉnhE D=−0.347eV):(a) Các dữ liệu thực nghiệm, (b) Các kết quả tính toán sử dụng phương pháp trên (Trang 21)