| Tài liệu tham khảo |
Loại |
Chi tiết |
| 1. Sze S. M. Semiconductor Devices: Physic and Technology, 2 nd edition, New York, John Wiley and Sons, 2002 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Semiconductor Devices: Physic and Technology |
|
| 2. “Cơ hội ngành công nghiệp bán dẫn Việt Nam tiếp cận thế giới”. Báo tuổi trẻ (www.tuoitre.vn), truy cập ngày 10/09/2013 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Cơ hội ngành công nghiệp bán dẫn Việt Nam tiếp cận thế giới"”. Báo tuổi trẻ "(www.tuoitre.vn) |
|
| 3. S. K. Tewksbury, Semiconductor materials, Microelectronic Systems Research Center, West Virginia University, 1995 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Semiconductor materials |
|
| 4. Muller B. L., and R. L. Anderson, Fundamentals of Semiconductor devices, New York, McGraw-Hill, 2005 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Fundamentals of Semiconductor devices |
|
| 5. Neamen D. A., An introduction to Semiconductor Devices, New York, McGraw- Hill, 2006 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
An introduction to Semiconductor Devices |
|
| 6. Trương Văn Tám, Giáo trình linh kiện điện tử, Khoa Công Nghệ Thông Tin- Trường Đại học Cần Thơ, 2003 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Giáo trình linh kiện điện tử |
|
| 7. Michael Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley & Sons, 1996 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Introduction to Electronic Devices |
|
| 8. F. La Via, “Schottky–ohmic transition in nickel silicide / SiC-4H system: is it really a solved problem”, Microelectronic Engineering, 70, 519–523, 2003 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
“Schottky–ohmic transition in nickel silicide / SiC-4H system: is it really a solved problem |
|
| 9. V. L. Rideout, “A review of the theory, technology and applications of metal – semiconductor rectifiers”, Thin Solid Films, 48 (1978), pp. 261-291 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
A review of the theory, technology and applications of metal – semiconductor rectifiers |
| Tác giả: |
V. L. Rideout, “A review of the theory, technology and applications of metal – semiconductor rectifiers”, Thin Solid Films, 48 |
| Năm: |
1978 |
|
| 10. Amador Pérez-Tomás, et al. ,"Modelling the metal–semiconductor band structure in implanted ohmic contacts to GaN and SiC", Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering Vol.21, (2013) |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Modelling the metal–semiconductor band structure in implanted ohmic contacts to GaN and SiC |
|
| 13. M. Y. Zaman (2013), “Modeling and Characterization of Metal/SiC Interface for Power Device Application”, Doctoral dissertation, Politecnico di Torino |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Modeling and Characterization of Metal/SiC Interface for Power Device Application |
| Tác giả: |
M. Y. Zaman |
| Năm: |
2013 |
|
| 16. Charles E. Weitzel, et al. ,"Silicon carbide high-power devices." IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 43, No.10 (1996), pp. 1732-1741 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Silicon carbide high-power devices |
| Tác giả: |
Charles E. Weitzel, et al. ,"Silicon carbide high-power devices." IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 43, No.10 |
| Năm: |
1996 |
|
| 19. Jian H. Zhao, Kuang Sheng, and Ramon C. Lebron-Velilla, "Silicon carbide schottky barrier diode", International journal of high speed electronics and systems, Vol. 15, No.04 (2005), pp. 821-866 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Silicon carbide schottky barrier diode |
| Tác giả: |
Jian H. Zhao, Kuang Sheng, and Ramon C. Lebron-Velilla, "Silicon carbide schottky barrier diode", International journal of high speed electronics and systems, Vol. 15, No.04 |
| Năm: |
2005 |
|
| 21. Martin Ruff, Heinz Mitlehner, and Reinhard Helbig, "SiC devices: physics and numerical simulation", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 41, No. 6 (1994), pp. 1040-1054 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
SiC devices: physics and numerical simulation |
| Tác giả: |
Martin Ruff, Heinz Mitlehner, and Reinhard Helbig, "SiC devices: physics and numerical simulation", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 41, No. 6 |
| Năm: |
1994 |
|
| 23. J. Zarebski and J. Dabrowski, “SiC Schottky power diode modeling in SPICE,” in Proc. 12th IEEE Int. Conf. Electron., Circuits Syst., Dec. 2005, pp. 1–4 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
SiC Schottky power diode modeling in SPICE |
|
| 24. Kazushige Horio and Hisayoshi Yanai, “Numerical Modeling of Heterojunctions Including the Thermionic Emission Mechanism at the Heterojunction Interface”, IEEE transactions on electron devices, Vol. 37, No. 4, April. 1990 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Numerical Modeling of Heterojunctions Including the Thermionic Emission Mechanism at the Heterojunction Interface |
|
| 25. J. Zarebski and J. Dabrowski, “Modelling power Schottky diodes,” in Proc. Int. Conf. Modern Problems Radio Eng., Telecommun. Comput. Sci., Feb. 2006, pp.90–93 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Modelling power Schottky diodes |
|
| 26. J. Zarebski and J. Dabrowski, “SPICE modelling of power Schottky diodes,” Int. J. Numer. Model., Electron. Netw., Devices Fields, vol. 21, no. 6, pp. 551–561, 2008 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
SPICE modelling of power Schottky diodes |
|
| 27. S. Khannal, et al. (2008), "Modeling aspects of current calculation of 4H-SiC Schottky diode", IEEE International Conference on Recent Advances in Microwave Theory and Applications, pp. 857-860 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
Modeling aspects of current calculation of 4H-SiC Schottky diode |
| Tác giả: |
S. Khannal, et al |
| Năm: |
2008 |
|
| 28. H. Zhang, L. M. Tolbert, and B. Ozpineci, “System modeling and characterization of SiC Schottky power diodes,” in Proc. IEEE Workshops Comput. Power Electron., Jul. 2006, pp. 199–204 |
Sách, tạp chí |
| Tiêu đề: |
System modeling and characterization of SiC Schottky power diodes |
|