1. Trang chủ
  2. » Sinh học

Điện tử học spin - tương lai của công nghệ máy tính

5 9 0

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 5
Dung lượng 3,88 MB

Nội dung

hiện nay, các bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên mram được sử dụng chủ yếu dựa trên hiệu ứng từ - điện trở được thực hiện thông qua trạng thái “1” và “0” tương ứng với trạng thái điện trở cao[r]

Ngày đăng: 24/01/2021, 07:15

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w