Nghịch lưu ghép tầng cầu H với độ lợi điện áp cao

Trong bài viết này, nghịch lưu một pha ghép tầng cầu H với độ lợi điện áp cao (CHBqSBI-HG) được trình bày. Cấu hình này được biết đến như một bộ chuyển đổi công suất một chặng mà nó hoạt động ở hai chế độ: Chế độ ngắn mạch (ST) và chế độ không ngắn mạch (NST).

56 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh NGHỊCH LƯU GHÉP TẦNG CẦU H VỚI ĐỘ LỢI ĐIỆN ÁP CAO CASCADE H-BRIDGE INVERTER WITH HIGH VOLTAGE GAIN Lê Quang Tuấn1, Nguyễn Thanh Long2, Trần Vĩnh Thanh1, Đỗ Đức Trí 1 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Công ty điện lực An Giang, Việt Nam Ngày soạn nhận 10/12/2019, ngày phản biện đánh giá 13/12/2019, ngày chấp nhận đăng19/12/2019 TÓM TẮT Trong báo này, nghịch lưu pha ghép tầng cầu H với độ lợi điện áp cao (CHBqSBI-HG) trình bày Cấu hình biết đến chuyển đổi cơng suất chặng mà hoạt động hai chế độ: chế độ ngắn mạch (ST) chế độ khơng ngắn mạch (NST) Do đó, trạng thái ngắn mạch (hai khóa nhánh dẫn thời gian) khắc phục, chất lượng điện áp dịng điện ngõ cải thiện Ngồi ra, phương pháp điều chế độ rộng xung (PWM) cải tiến kết hợp với cấu hình CHBqSBI-HG để đạt vượt trội độ lợi điện áp giảm điện áp linh kiện cơng suất Một mơ hình mơ xây dựng để kiểm chứng nguyên lý hoạt động theo phân tích lý thuyết CHB-qSBI-HG Từ khóa: Nghịch lưu ghép tầng cầu H; Nghịch lưu tăng áp; nghịch lưu năm bậc; ngắn mạch; nghịch lưu tựa khóa chuyển mạch ABSTRACT In this paper, a cascade H-bridge single phase inverter with high voltage gain (CHBqSBI-HG) is presented This topology is known by single-stage power converter which operates with two modes: shoot through (ST) and non shoot through (NST) Thus, the state ST, two switches on the leg turn on at the same time, is addressed, so the quality of output voltage and current is improved Furthermore, a pulse width modulation (PWM) method is modified and combine with CHB-qSBI-HG to achieve superior voltage gain as well as reduce the stress voltage on the power switches A prototype was built to verify the operating principles through theoretical analysis of CHB-qSBI-HG Keywords: Cascaded H-bridge inverter; boost inverter; five-level inverter, shoot-through state (ST); quasi-switch-boost inverter (qSBI) GIỚI THIỆU Ngày nay, nghịch lưu đa bậc nhà nghiên cứu nước quan tâm ưu điểm vượt trội chúng so với nghịch lưu hai bậc truyền thống [1] Những ưu điểm nghịch lưu đa bậc kể đến như: hiệu suất cao, tổn thất chuyển mạch thấp, giảm điện áp đặt linh kiện, cải thiện dạng sóng ngõ với độ méo dạng sóng hài (THD) thấp, kích thước lọc nhỏ nhiễu điện từ (EMI) thấp [2] Ba cấu hình điển hình thường sử dụng nghịch lưu đa bậc truyền thống là: (1) cấu hình nghịch lưu diode kẹp (NPC), (2) cấu hình nghịch lưu dạng ghép tầng (cascade) cầu H (CHBI) (3) cấu hình nghịch lưu tụ kẹp (FC) Trong cấu hình này, CHBI thể vượt trội so với cấu hình khác CHBI dễ dàng nâng số bậc điện áp lên cách ghép nối tiếp Module cầu H với Với ưu điểm này, CHBI lựa chọn sử dụng nhiều ứng dụng như: hệ thống nguồn dự phòng UPS, hệ thống nối lưới, điều khiển động [3]-[4] Cấu hình CHBI năm bậc truyền thống, Module nghịch lưu cầu H sử dụng điện áp DC ngõ vào độc lập để điều chế điện áp ngõ Điện áp ngõ CHBI Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh tổng điện áp ngõ Module CHBI Tuy nhiên, CHBI truyền thống hoạt động giảm áp, giá trị đỉnh-đỉnh điện áp ngõ AC bị giới hạn tổng nguồn điện áp DC ngõ vào Với mục tiêu mong muốn điện áp ngõ cao điện áp DC ngõ vào, chuyển đổi DC-DC tăng áp sử dụng trước nghịch lưu Tuy nhiên, hiệu suất chuyển đổi không cao chi phí sản xuất nghịch lưu tăng lên cách đáng kể Ngoài ra, nhược điểm lớn cấu hình nghịch lưu truyền thống tượng trùng dẫn xảy khóa nhánh đóng đồng thời, điều dẫn đến ngắn mạch nguồn ngõ vào Để hạn chế ảnh hưởng tượng trùng dẫn, dead-time sử dụng để ngăn hai khóa nhánh đóng đồng thời Tuy nhiên, hiệu suất chuyển đổi chất lượng điện áp ngõ bị suy giảm Nghịch lưu dùng nguồn Z với khả chuyển đổi công suất chặng khắc phục hạn chế nghịch lưu truyền thống giới thiệu [5] Tính mạng nguồn Z sử dụng trạng thái ngắn mạch để tăng điện áp ngõ vào cho mạch nghịch lưu khóa nhánh dẫn đồng thời Tuy nhiên, [6] nhược điểm mạng nguồn Z cần phải cải tiến dịng điện ngõ vào khơng liên tục trạng thái tăng áp điện áp đặt tụ điện lớn Cấu hình nghịch lưu tựa nguồn Z (qZSI) khắc phục nhược điểm mạng nguồn Z là: (1) dòng điện ngõ vào liên tục, (2) giảm điện áp đặt lên linh kiện điện tử công suất độ tin cậy hệ thống nâng cao [7] Nghịch lưu cascade cầu H (CHB) tựa nguồn Z (qZSI) với chuyển đổi công suất chặng giới thiệu [8] Trong cấu hình CHB-qZSI xung ngắn mạch chèn vào vector zero để tăng điện áp ngõ vào mạch nghịch lưu mà không gây thiệt hại cho hệ thống Như kết quả, Module cấu hình CHB-qZSI tạo điện áp DC-link giống cách điều khiển chu kỳ xung ngắn mạch Trong [8], phương pháp điều khiển SPWM sử dụng mạng nguồn 57 kháng qZSI để đáp ứng yêu cầu điều khiển động hệ thống xe điện mà phương pháp điều khiển nghịch lưu qZSI thông thường đáp ứng Khi nâng số bậc điện áp lên số Module mạng nguồn kháng qZSI bắt buộc phải tăng mà cấu hình mạng nguồn kháng qZSI gồm hai tụ điện hai cuộn dây, việc làm tăng kích thước, khối lượng tổn thất công suất hệ thống Để cải tiến mặt kích thước, khối lượng chi phí trì ưu điểm qZSI với chuyển đổi cơng suất chặng, mạng nguồn kháng khóa chuyển mạch (qSBI) giới thiệu [9] So sánh mặt cấu hình với ZS/qZSI, mạng nguồn kháng qSBI tiết kiệm cuộn dây tụ điện sử dụng nhiều khóa cơng suất Diode So sánh hai cấu hình qSBI qZSI pha trình bày [10] cho thấy ưu điểm vượt trội qSBI so với qZSI sử dụng cuộn dây với điện cảm lớn tụ điện với điện dung nhỏ hơn, dịng điện diode khóa cơng suất thấp, hiệu suất cao Trong báo [11] trình bày cấu hình qSBI với ưu điểm kể đến như: (1) độ lợi điện áp cao, (2) dòng điện ngõ vào liên tục với độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp thấp, (3) giảm điện áp đặt tụ điện, khóa bán dẫn diode cách sử dụng thêm cuộn dây tụ điện cho cấu hình nghịch lưu cầu H tựa khóa chuyển mạch qSBI pha ba bậc Tuy nhiên cấu hình nghịch lưu hoạt động ba bậc nên chất lượng điện áp chưa cao Trong báo nhóm nghiên cứu trình bày cấu hình cải tiến cho nghịch lưu bậc ghép tầng cầu H độ lợi điện áp cao với mục tiêu tăng độ lợi điện áp, dòng điện ngõ vào liên tục, giảm điện áp đặt linh kiện CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU GHÉP TẦNG CẦU H TỰA KHÓA CHUYỂN MẠCH Cấu trúc mạch CHB-qSBI-HG gồm hai mạch nghịch lưu cầu H tựa khóa chuyển 58 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh mạch (HB-qSBI) ghép nối tiếp với HB-qSBI (UHB-qSBI) HB-qSBI (LHB-qSBI) biểu diễn Hình Mỗi mạch có cấu tạo gồm mạng trở kháng (qSB) đặt phía trước mạch cầu H (HB) Mạng qSB gồm có hai cuộn dây (L1a L2a L1b L2b), hai tụ điện (C1a C2a C1b C2b) hai diode (D1a, D2a D1b, D2b) khóa bán dẫn (S0a S0b) HB có cấu tạo gồm khóa bán dẫn (S1a, S2a, S3a, S4a UHB-qSBI) (S1b, S2b, S3b, S4b LHB-qSBI) biểu diễn Hình Với cấu trúc này, HB có khả tạo cấp điện áp ngõ ra: +VPN, 0, -VPN cách kích đóng khóa bán dẫn tương ứng liệt kê Bảng Trong đó, VPN điện áp ngõ mạng qSB Điện áp ngõ CHB-qSBI-HG tổng điện áp ngõ hai mạch qSBI-HG Do đó, ngõ mạch nghịch lưu có bậc điện áp là: +2VPN, +VPN, 0, -VPN, -2VPN 900 (Vcar1 Vcar2) biểu diễn Hình Tín hiệu tham chiếu có phương trình sau: Vref _ a  m.sin( )  Vref _ an  m.sin( ) (1) Trong đó: m số điều chế (0 ≤ m ≤ 1), 𝜃 góc pha ≤ 𝜃 ≤ 2𝜋 Hai tín hiệu 𝑉𝑆𝑇 −𝑉𝑆𝑇 sử dụng để tạo xung kích ngắn mạch cho mạch HB khóa S0x mạch qSB T VST vref_a vcar1 vcar2 v ref_an t -VST -1 T/3 vref 1/3 4/3-vref S0a t Shoot-through state t S1a t S2a t S3a t S4a t L1a D1a S1a C2a L2a S0b t Lf Vdc1 C1a S0a S3a t +V - 0a VPN1 S2a D2a S1b S2b t S3b S4a t R load Cf L1b D1b S1b C2b L2b Vdc2 C1b S0b S3b S2b D2b VL1a D1a C2a iC2a VC2a VL2a iL1a L1a VL1a D1a iL2a L2a Vdc1 C2a iC2a VC2a VL2a iL2a L2a Vdc1 iC1a S0a VC1a iC1a C1a S0a VC1a D2a D2a (a) (b) iL1a L1a VL1a D1a C2a VC2a iC1a VC1a D2a iPN = All switch of module B ON at the same time S0x, S1x, S4x VPN NST iL2a L2a Vdc1 S0a iPN C1a iC2a VL2a t DT/2 = All switch of module A ON at the same time Bảng Trạng thái đóng-ngắt qSBIHG (x = a, b) Trạng Khóa Diode Điện áp thái kích đóng dẫn ngõ S4b Hình Cấu trúc CHB-qSBI-HG iL1a L1a t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 t10 t11 t12t13 Hình Kỹ thuật điều khiển PWM cải tiến CHB-qSBI-HG + V0b - VPN2 S4b VPN C1a (c) Hình Nguyên lý hoạt động CHBqSBI-HG Phương pháp PWM điều khiển mạch CHB-qSBI-HG sử dụng hai tín hiệu tham chiếu dạng sine (Vref_a Vref_an) hai tín hiệu sóng mang có tần số cao lệch pha NST S0x, S2x, S4x S0x, S1x, S3x +VPN D1x S0x, S2x, S3x -VPN S1x, S4x +VPN S2x, S4x S1x, S3x D1x, D2x S2x, S3x ST S1x, S2x, S3x, S4x, 0 -VPN D2x Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 59 Trạng thái đóng ngắt khóa HB5L-qSBI biễu diễn Hình Trong xung kích cho khóa S12 S14 nghịch đảo S11 S13 Tương tự cho khóa S21, S22, S23, S24 Trạng thái ngắn mạch tạo cách kích đóng tất khóa HB biểu thị ký hiệu cho mạch UHB-qSBI LHB-qSBI mô tả Hình 3(c) Cùng lúc khóa S0a kích ngắt Diode D2a phân cực thuận Diode D1a phân cực ngược Thời gian tồn trạng thái DT Trong khoảng thời gian cuộn cảm L1a L2a nạp lượng từ nguồn Vdc1 tụ điện C1a C2a xả lượng Điện áp qua cuộn dây L1a L2a xác định sau: 2.1 Nguyên lý hoạt động ìï di ïï L1a l1a = Vi + VC a ïï dt í ïï di ïï L2 a l a = VC1a dt ïỵ Do hoạt động hai mạch HB-qSBI tương tự nên báo phân tích nguyên lý hoạt động mạch UHB-qSBI Có hai trạng thái chuyển mạch suốt q trình hoạt động UHBqSBI là: chế độ khơng ngắn mạch (NST) chế độ ngắn mạch (ST) trình bày Hình 2.1.1 Trạng thái khơng ngắn mạch Trạng thái NST 1: (từ t2 đến t3, t4 đến t5, t10 đến t11) khóa S0a kích đóng mơ tả Hình 3(b) Diode D1a phân cực thuận, diode D2a phân cực ngược Cuộn dây L1a tụ C2a nạp lượng, cuộn dây L2a tụ C1a xả Điện áp cuộn dây L1a L2a xác định: ìï di ïï L1a l1a = Vi ïï dt í ïï di ïï L2 a l a = - VC a dt ïỵ (2) Trạng thái NST 2: (t1 đến t2, t3 đến t4, t5 đến t6, t7 đến t8, t9 đến t10, t10 đến t11) khóa S0a ngắt hình 3(b) Hai diode D1a D2a phân cực thuận Cuộn dây L1 L2 xả lượng, tụ điện C1a C2a nạp lượng Điện áp cuộn dây L1a L2a xác định: ìï di ïï L1a l1a = Vi - VC1a ïï dt í ïï dil a = - VC a ïï L2 a dt ïỵ (3) (4) 2.2 Phân tích trạng thái ổn định Tổng thời gian tồn trạng thái ST chu kì sóng mang DT Tổng thời gian tồn trạng thái NST chu kì sóng mang 2DT Khoảng thời gian lại trạng thái NST chu kì sóng mang (1-3D)T Giả sử tụ điện C1a C2a có giá trị đủ lớn để điện áp tụ điện có giá trị khơng đổi suốt trình hoạt động Điện áp tụ C1a C2a trạng thái xác lập xác định sau: ìï 1- D ïï VC1a = Vi ïï 1- D + D í ïï D Vi ïï VC a = 1- D + D ïỵ (5) Q trình nạp lượng cuộn dây L1a L2a trạng thái ST lớn Do độ gợn sóng dịng điện cuộn dây L1a L2a tính sau: ìï V + VVC a DT ïï D I L1a = i ´ ïï L1a í ïï V DT ïï D I L a = VC1a ´ L2 a ïỵ (6) Biên độ đỉnh sóng hài bậc tính dựa số điều chế m, hệ số ngắn mạch D điện áp ngõ vào sau (giả sử module hoạt động với thông số): 2.1.2 Trạng thái ngắn mạch (t0 đến t1, t6 đến t7, t12 đến t13) VO  2m VC1a  VC 2a   2m Trong suốt trạng thái ST nghịch lưu cầu H, khóa S1a đến S4a đóng Trong đó: m số điều chế (0 ≤ m ≤ 1), D hệ số ngắn mạch (m + D ≤ 1) Vi  D  D2 (7) 60 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh KẾT QUẢ MƠ PHỎNG Để kiểm chứng nguyên tắc hoạt động cấu hình CHB-qSBI-HG hình Mơ thực nghiệm tiến hành dựa phần mềm PSIM với thông số đề cập bảng Bảng liệt kê thông số kỹ thuật mô thực nghiệm cho cấu hình CHB-qSBI-HG Để kiểm tra nguyên lý hoạt động CHB-qSBI-HG Hình 1, phần mềm mô PSIM sử dụng với điện áp ngõ vào Vdc1 = Vdc2 = 48 V Điện áp ngõ CHB-qSBI-HG có năm cấp; điện áp tải 220 Vrms Hình 4, dạng sóng dòng điện cuộn dây tăng áp từ xuống (IL1 IL2) đạt 12.6A 7.27A, điện áp đỉnh (VPN1 VPN2) xác định 200V điện áp ngõ vào (module A) 48V, hệ số ngắn mạch D=0.2116 số điều chế M=0.7884 Hình nhìn từ xuống điện áp ngõ (V0) có bậc -400V, -200V, 0V, 200V 400V, dòng điện hiệu dụng ngõ (IR) đo 5.5A, điện áp tụ (VC1a, VC1b, VC2a VC2b) có giá trị 155V 45V điện áp đạt 200V Bảng Thông số mô cho CHB-qSBIHG Thông số thành phần Giá trị Điện áp ngõ vào Vdc 48 V Điện áp ngõ Vo 220 VRMS Tần số ngõ fo 50 Hz Tần số sóng mang fs kHz Tỉ số ngắn mạch D 0.2116 Tỉ số điều chế M 0.7884 Điện cảm L1x = L2x 3mH Tụ điện C1x = C2x 2200F Mạch lọc LC Lf Cf 3mH 10uF Tải trở Rt 40 Ω Hình Kết mô từ xuống dưới: dạng sóng dịng điện cuộn dây (IL1, IL2), điện áp phóng lớn (VPN1, VPN2) điện áp diode (VD2a VD2b) cho CHB-5L-qSBI Hình Kết mơ từ xuống dưới: dạng sóng điện áp pha ngõ (V0) dòng điện ngõ (IR), điện áp tụ (VC1a, VC1b, VC2a VC2b) điện áp Hình Kết mơ FFT dịng điện điện áp ngõ (IR VR) Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 61 Hình từ xuống dưới, phổ hài tín hiệu dịng điện điện áp ngõ (IR VR) Từ hình thấy biên độ hài bậc dòng điện điện áp ngõ 7.65A 300V Độ méo dạng dòng điện điện áp ngõ (THDi THDu) đạt 1.27%, 38.9% trị hiệu dụng dòng điện ngõ 5.5A trị hiệu dụng điện áp ngõ 220V Với kết THDi thỏa mãn tiêu chí nhỏ 5% tiêu chuẩn IEC61000-4-30 Edition Class A cascade cầu H pha năm bậc Bên cạnh tính tăng, giảm áp (Buck-Boost), cấu hình cịn chịu đựng ngắn mạch đa bậc KẾT LUẬN Bài báo thực phịng thí nghiệm điện tử công suất nâng cao D405 Bài báo trình bày mạng nguồn kháng qSB kết nối với nghịch lưu Nguyên lý hoạt động kết mơ cho cấu hình CHB-qSBI-HG phân tích phù hợp với sở lý thuyết Cấu hình giải thuật cho CHB-qSBI-HG phù hợp với ứng dụng như: hệ thống PV, pin nhiên liệu động cơ, hòa lưới, UPS LỜI CẢM ƠN THD DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT Total Harmonic Distortion qSBI Quasi Switch Boost Inverter CHB-FL Cascaded H-Bridge Five-Level CHB-qSBI-HG Cascaded H-Bridge quasi switch bosst inverter high gain qZS Quasi-Z-Source CHB Cascaded H-Bridge PWM Pulse Width Modulation IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor SPWM Sine Pulse Width Modulation TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] [2] [3] [4] [5] [6] Rodríguez, J., Lai, J S., Peng, F Z.: ‘Multilevel inverters: a survey of topologies, controls, and applications’, IEEE Trans Ind Electron., 2002, vol 49, no 4, pp 724–738 Pereda, J., Dixon, J.: ‘Cascaded multilevel converters: optimal asymmetries and floating capacitor control’, IEEE Trans Ind Electron., 2013, vol 60, no 11, pp 4784–4793 Mohammad Ahmad, Anil Kumar Jha, Sitaram Jana and, Kishore Kumar, “Simulation and Performance Analysis of a Grid Connected Multilevel Inverter Considering Either Battery or Solar PV as DC Input Sources”, 2017 3rd International Conference on Computational Intelligence & Communication Technology (CICT), Feb 2017 Ngô Văn Quang Bình, Nguyễn Văn Liễn, “Ứng dụng nghịch lưu áp đa mức hệ truyền động”, Tạp chí Khoa Học Công Nghệ, đại học Đà Nẵng, số 1(36), xuất năm 2010 A.Shanmuga priyaa, Dr.R.Seyezhai, Dr.B.L.Mathur, “Design and Implementation of Cascaded Z-Source Multilevel Inverter”, IEEE Industrial Electronics Magazine, vol 10, no 1, pp - 24 March 2016 R Miceli, G Schettino, F Viola, F Blaabjerg, Y Yang, “Modified Modulation Techniques for Quasi-Z-Source Cascaded H-Bridge Inverters”, IECON 2018 - 44th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, 31 December 2018 62 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh [7] Katharina Beer and Bernhard Piepenbreier, " Properties and Advantages of the Quasi-ZSource Inverter for DC-AC Conversion for Electric Vehicle Applications", EmobilityElectrical power, pp.l-6, 2010 [8] Dongsen Sun, Baoming Ge, Fang Zheng Peng, Abu Rub Haitham, Daqiang Bi, Yushan Liu,“A New Grid-Connected PV System Based on Cascaded H-bridge Quasi-Z Source Inverter”, 2012 IEEE International Symposium on Industrial Electronics, 12 July 2012 [9] Adda Ravindranath, Santanu K Mishra, Avinash Joshi, “Analysis and PWM Control of Switched Boost Inverter”, IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 60, no 12, pp 5593 – 5602, November 2012 [10] M K Nguyen, Y C Lim and S J Park, “A comparison between singlephase quasi-Zsource and quasi-switched boost inverters,” IEEE Trans Ind Electron., vol 62, no 10, pp 6336 - 6344, Oct 2015 [11] Minh-Khai Nguyen, Truong-Duy Duong, Young-Cheol Lim, Joon-Ho Choi, “High Voltage Gain Quasi-Switched Boost Inverters With Low Input Current Ripple”, IEEE Trans Ind Electron, Vol 15, no, 9, pp 4857 – 4866, Sept 2019 Tác giả chịu trách nhiệm viết: Đỗ Đức Trí Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp HCM Email: tridd@hcmute.edu.vn ... cho nghịch lưu bậc ghép tầng cầu H độ lợi điện áp cao với mục tiêu tăng độ lợi điện áp, dòng điện ngõ vào liên tục, giảm điện áp đặt linh kiện CẤU H? ?NH NGHỊCH LƯU GHÉP TẦNG CẦU H TỰA KHÓA CHUYỂN... h? ?nh nghịch lưu cầu H tựa khóa chuyển mạch qSBI pha ba bậc Tuy nhiên cấu h? ?nh nghịch lưu hoạt động ba bậc nên chất lượng điện áp chưa cao Trong báo nhóm nghiên cứu trình bày cấu h? ?nh cải tiến cho... MẠCH Cấu trúc mạch CHB-qSBI-HG gồm hai mạch nghịch lưu cầu H tựa khóa chuyển 58 Tạp Chí Khoa H? ??c Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 (04/2020) Trường Đại H? ??c Sư Phạm Kỹ Thuật TP H? ?? Chí Minh mạch (HB-qSBI) ghép