luận văn thạc sĩ nghiên cứu chế tạo vật liệu phát quang znse

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - Bùi Thị Thu Hiền NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU PHÁT QUANG ZnSe LUẬN VĂN THẠC SĨ NGÀNH VẬT LÝ Hà Nội - 2020 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - Bùi Thị Thu Hiền NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU PHÁT QUANG ZnSe Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số : 8440104 LUẬN VĂN THẠC SĨ NGÀNH VẬT LÝ NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: TS Trần Thị Kim Chi Hà Nội - 2020 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan luận văn kết cơng trình nghiên cứu dƣới hƣớng dẫn TS Trần Thị Kim Chi Các kết nghiên cứu luận văn hồn tồn trung thực khơng trùng lặp với cơng bố trƣớc Hà Nội, ngày 25 tháng năm 2020 Tác giả luận văn Bùi Thị Thu Hiền i LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, tơi xin bày tỏ lịng biết ơn chân thành tới ngƣời thầy TS Trần Thị Kim Chi, ngƣời thầy trực tiếp hƣớng dẫn, giúp đỡ tơi hồn thành luận văn Cơ tận tình bảo, truyền thụ cho kiến thức khoa học bổ ích kinh nghiệm thực tế quý báu Những kiến thức mà nhận đƣợc không luận văn mà quan trọng cách nhìn nhận, đánh giá nhƣ phƣơng thức giải vấn đề cách toàn diện khoa học nhƣ sống Tôi xin chân thành cảm ơn cán bộ: ThS Lê Thị Hồng Phong, NCS Nguyễn Tiến Thành phòng Hiển vi điện tử, ThS Tạ Ngọc Bách phòng Vật lý Vật liệu Từ Siêu dẫn, TS Trần Thị Thƣơng Huyền phòng Vật liệu Quang điện tử, Viện Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam giúp đỡ tơi nhiều q trình thực đề tài khoa học Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới Học viện Khoa học Công nghệ, Ban lãnh đạo, thầy cô khoa Vật lý tồn thể thầy Học viện Khoa học Công nghệ, Viện Hàn lâm Khoa học Cơng nghệ Việt Nam tận tình giảng dạy, tạo điều kiện giúp đỡ tơi suốt q trình học tập rèn luyện Nhân dịp này, xin cảm ơn bạn bè, đồng nghiệp, tập thể lớp PHY-2018A động viên giúp đỡ thời gian vừa qua Cuối cùng, xin dành tình cảm sâu sắc tới ngƣời thân gia đình: ơng bà, bố mẹ chồng ln động viên, chia sẻ khó khăn, hỗ trợ tạo động lực cho tơi hồn thành luận văn Hà Nội, tháng năm 2020 Bùi Thị Thu Hiền ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT II-VI AIIBIV MPA Mercaptopropionic acid SEM Kính hiển vi điện tử quét: Scanning Electron Microscope HR-TEM Kính hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao: High-resolution Transmission Electron Microscopy LO Longitudinal – Optic (dao động quang dọc) TO Transverse – Optic (dao động quang ngang) UV-vis Ultraviolet – visible QDs Quantum dots- Các chấm lƣợng tử QLED Quantum dot light emitting diode- Điốt phát quang sử dụng chấm lƣợng tử bán dẫn iii DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1 Một số thông số vật liệu ZnSe Bảng 3.1 Đỉnh hấp thụ, huỳnh quang QDs ZnSe theo thời gian thủy nhiệt .37 iv DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ n 1.1 Cấu trúc tinh thể ZnSe n Một số ứng dụng vật liệu ZnSe n 1.3 Số lƣợng công bố theo thời gian [48] n Hệ thuỷ nhiệt đƣợc sử dụng tổng hợp vật liệu nano ZnSe 10 n Quy trình tổng hợp vật liệu ZnSe phƣơng pháp thủy nhiệt 13 n Quy trình chế tạo chấm lƣợng tử bán dẫn ZnSe 15 n Hiện tƣợng nhiễu xạ xảy mặt mạng tinh thể 16 n Thiết bị nhiễu xạ tia X: D8 ADVANCE 17 n Sơ đồ lƣợng trình tán xạ 18 n Thiết bị đo phổ tán xạ Raman LabRam HR 18 n Sơ đồ khối kính hiển vi điện tử quét .20 n Hệ SEM (Hitachi S-4800) Viện Khoa học vật liệu 20 n Hệ thiết bị HR-TEM (JEM2100-JEOL) 21 n Hệ đo phổ huỳnh quang dừng iHR 550 .23 n 3.1 Giản đồ nhiễu xạ tia X tinh thể nano ZnSe 24 n Phổ tán xạ Raman tinh thể nano ZnSe 25 n 3.3 Ảnh SEM mẫu ZnSe chế tạo đƣợc 25 Ảnh vi hình thái SEM mẫu ZnSe chế tạo 190 oC thời gian từ ÷30 26 n Giản đồ nhiễu xạ tia X vật liệu ZnSe phụ thuộc theo thời gian phản ứng 27 n n Phổ tán xạ Raman vật liệu ZnSe theo thời gian phản ứng 27 Ảnh hƣởng thời gian thủy nhiệt lên huỳnh quang tinh thể nano ZnSe 28 n v Phổ tán xạ Raman vật liệu ZnSe đƣợc tổng hợp tỉ lệ mol Zn:Se khác 29 n Ảnh hƣởng tỉ lên mol tiền chất Zn:Se lên huỳnh quang tinh thể nano ZnSe 30 n 3.1 Ảnh hƣởng nồng độ NaOH lên tính chất quang vật liệu ZnSe chế tạo đƣợc 31 n n 3.11 Ảnh HR-TEM (a,b); EDX, SEAD (c), STEM mapping (d) o mẫu ZnSe chế tạo 190 C 20 giờ, tỉ lệ Zn:Se=1:1, [NaOH]= M 32 n 3.1 Phổ hấp thụ huỳnh quang vật liệu nano ZnSe .32 n 3.13 Giản đồ nhiễu xạ tia X QDs ZnSe 33 n 3.1 Phổ tán xạ Raman QDs ZnSe 34 Hình 3.15 Ảnh hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (HR-TEM) EDX QDs ZnSe 35 3.1 Phổ hấp thụ (a) đồ thị biểu diễn phụ thuộc α2 theo hν (b) chấm lƣợng tử ZnSe theo thời gian thủy nhiệt: 1; 2; 3; 36 n 3.1 Phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử ZnSe tổng hợp theo thời gian thủy nhiệt: 1; 2; 3; dƣới kích thích laser 266 nm 37 n 3.1 Ảnh HR-TEM chấm lƣợng tử ZnSe nồng độ chất hoạt động bề mặt khác 38 n 3.1 Phổ hấp thụ chấm lƣợng tử ZnSe với tỉ lệ Zn:MPA khác dƣới kích thích laser 355 nm 39 n Phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử ZnSe với tỉ lệ Zn:MPA khác dƣới kích thích laser 355 nm 40 n nh 3.21 Sự phụ thuộc vị trí đỉnh phát quang theo nhiệt độ chế tạo (bƣớc sóng kích thích 355 nm) .41 Sự phụ thuộc vị trí đỉnh phát quang theo nhiệt độ chế tạo (bƣớc sóng kích thích 266 nm) .41 n vi MỤC LỤC Trang LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT iii DANH MỤC CÁC BẢNG .iv DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ v MỞ ĐẦU C ƢƠNG TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ZnSe 1.1 CÁC THÔNG TIN CƠ BẢN VÀ TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU VẬT LIỆU NANO ZnSe 1.1.1 Các t ông tin vật liệu ZnSe .4 1.1.2 T n n ng iên cứu vật liệu ZnSe 1.2 CÁC PHƢƠNG PHÁP CHẾ TẠO VẬT LIỆU NANO ZnSe C ƢƠNG TỔNG HỢP VÀ NGHIÊN CỨU ĐẶC TRƢNG VẬT LIỆU NANO ZnSe 11 2.1 TỔNG HỢP VẬT LIỆU NANO ZnSe BẰNG PHƢƠNG PHÁP THỦY NHIỆT 11 2.1.1 Chế tạo tinh thể nano ZnSe 11 2.1.1.1 Hoá chất 11 2.1.1.2 Quy trình chế tạo 11 2.1.2 Chế tạo chấm lƣợng tử ZnSe 13 2.1.2.1 Hoá chất 13 2.1.2.2 Quy trình chế tạo 13 2.2 CÁC PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU NANO ZnSe 15 vii 2.2.1 Một số p ƣơng p áp p ân tíc cấu trúc, vi hình thái vật liệu 15 2.2.1.1 Phương pháp giản đồ nhiễu xạ tia X 15 2.2.1.2 Phương pháp tán xạ Raman 17 2.2.1.3 Phương pháp Hiển vi điện tử quét (SEM) 18 2.2.1.4 Phương pháp Hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 20 2.2.2 Một số p ƣơng p áp ng iên cứu tính chất quang vật liệu .22 2.2.2.1 Phương pháp đo phổ hấp thụ UV-Vis 22 2.2.2.2 Phương pháp đo phổ Huỳnh quang .23 C ƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN .24 3.1 CÁC KẾT QUẢ TRONG CHẾ TẠO TINH THỂ NANO ZnSe 24 3.1.1 Ản ƣởng thời gian thủy nhiệt 26 3.1.2 Ản ƣởng tỉ lệ tiền chất 28 3.1.3 Ản ƣởng nồng độ NaOH 30 3.2 CÁC KẾT QUẢ TRONG CHẾ TẠO CHẤM LƢỢNG TỬ BÁN DẪN ZnSe 33 3.2.1 Ản ƣởng thời gian thuỷ nhiệt 35 3.2.2 Ản ƣởng nồng độ chất hoạt động bề mặt 38 3.2.3 Ản ƣởng nhiệt độ thuỷ nhiệt 40 KẾT LUẬN 42 TÀI IỆU T AM K ẢO 43 viii (a) (b) n 3.16 Phổ hấp thụ (a) đồ thị biểu diễn phụ thuộc α theo hν (b) chấm lƣợng tử ZnSe theo thời gian thủy nhiệt: 1; 2; 3; Từ đồ thị biểu diễn phụ thuộc (αhv) theo hν (Hình 3.16b), tính đƣợc độ rộng vùng cấm mẫu ZnSe chế tạo đƣợc (Bảng 1) Độ rộng vùng cấm giảm từ 3.28 ÷2.96 eV thời gian phản ứng tăng từ 1÷6 giờ, độ rộng vùng cấm ZnSe bán dẫn khối 2,67 eV, cho thấy rõ hiệu ứng giam giữ lƣợng tử Hình 3.17 phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử ZnSe theo thời gian thủy nhiệt dƣới bƣớc sóng kích thích 266 nm Kết cho thấy QDs ZnSe phát quang vùng: 376-414 nm, độ bán rộng hẹp (25-40 nm) Khi thời gian thủy nhiệt tăng từ đến giờ, có dịch đỉnh huỳnh quang phía sóng dài Có thể thấy rằng, thời gian thủy nhiệt tăng, kích thƣớc chấm lƣợng tử tăng, hiệu ứng giam giữ lƣợng tử thể rõ ràng thông qua thay đổi phổ hấp thụ huỳnh quang Các kết đƣợc công bố Hội nghị Vật lý chất rắn Khoa học vật liệu toàn quốc năm 2019 36 n 3.17 Phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử ZnSe tổng hợp theo thời gian thủy nhiệt: 1; 2; 3; dƣới kích thích laser 266 nm Bảng 3.1 phụ thuộc đỉnh hấp thụ, huỳnh quang QDs ZnSe theo thời gian thủy nhiệt Bảng 3.1 Đỉnh hấp thụ, huỳnh quang QDs ZnSe theo thời gian thủy nhiệt Thời gian Bờ hấp thụ (nm) Eg (eV) Đỉnh huỳnh quang (nm) Độ bán rộng đỉnh huỳnh quang (nm) 352 3,28 376 32 361 3.23 388 40 368 3.18 402 30 374 3.06 406 27 392 2.96 414 25 thủy nhiệt (giờ) 37 3.2.2 Ản ƣởng nồng độ c ất oạt động bề mặt 3-Mercaptopropionic acid (MPA) chất hoạt động bề mặt đƣợc sử dụng việc tổng hợp chấm lƣợng tử ZnSe Nó có vai trị quan trọng, có tác dụng 2+ vừa chất tạo phức với Zn , vừa phổi tử ligand bề mặt mầm vi tinh thể ZnSe tạo thành, cô lập phân tử không co chúng kết đám lại với Dƣới kết việc khảo sát ảnh hƣởng MPA, cụ thể tỉ lệ Zn:MPA tới tính chất chấm lƣợng tử ZnSe chế tạo đƣợc (1:1,2) (1:1,5) (1:1,8) n 3.18 Ảnh HR-TEM chấm lƣợng tử ZnSe nồng độ chất hoạt động bề mặt khác Hình 3.18 ảnh HR-TEM mẫu với tỉ lệ Zn: MPA là: 1:1,2 ; 1:1,5 1:1,8 Khi tỉ lệ Zn: MPA 1:1,2, chấm lƣợng tử đƣợc hình thành có dạng hình vng, kích thƣớc khoảng 20nm Khi lƣợng chất hoạt động bề mặt tăng lên (Zn:MPA=1:1,5), chấm lƣợng tử ZnSe hình thành khối hình vng nhỏ hơn, cỡ 15 nm Khi lƣợng MPA tiếp tục tăng (Zn:MPA=1:1,8), hình vng ZnSe lại có xu hƣớng tiếp tục nhỏ lại, cỡ 10nm Nhƣ việc tăng nồng độ chất hoạt động bề mặt MPA giúp phân bố tốt nhƣ định hình/khống chế tốt số lƣợng nhƣ kích thƣớc mầm tinh thể sau phát triển thành chấm lƣợng tử hồn chỉnh Hình 3.19 phổ hấp thụ chấm lƣợng tử ZnSe với tỉ lệ Zn:MPA khác Các kết thu đƣợc cho thấy tỉ lệ Zn:MPA có ảnh hƣởng tới tính chất quang chấm lƣợng tử chế tạo đƣợc Khi lƣợng chất hoạt động bề 38 mặt tăng, bờ hấp thụ dịch phía bƣớc sóng ngắn (tƣơng ứng kích thƣớc hạt giảm) thể hiệu ứng giam giữ lƣợng tử Bờ hấp thụ quan sát 388 nm với mẫu có tỉ lệ ban đầu Zn:MPA=1:1,2 Khi tăng tỉ lệ lên, bờ hấp thụ không đƣợc rõ ràng cho thấy chất lƣợng mẫu giảm Hình 3.20 phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử dƣới bƣớc sóng kích thích 355 nm Đỉnh phát quang có xu hƣớng dịch phía bƣớc sóng ngắn, cụ thể tỉ lệ Zn:MPA tăng từ 1:1,2 đến 1:1,8 vị trí đỉnh phát quang dịch 14 nm so với ban đầu Chấm lƣợng tử ZnSe có hai đỉnh phát quang, đỉnh thứ khoảng 400 nm (đỉnh 1) có nguồn gốc từ phát xạ chuyển mức vùng-vùng cỡ 520 nm (đỉnh 2) liên quan tới phát xạ bề mặt n 3.19 Phổ hấp thụ chấm lƣợng tử ZnSe với tỉ lệ Zn:MPA khác dƣới kích thích laser 355 nm Khi thay đổi tỉ lệ Zn:MPA, vị trí đỉnh có thay đổi cịn vị trí đỉnh gần nhƣ khơng thay đổi Khi tỉ lệ Zn:MPA giảm từ 1:1,8 tới 1:1,2, cƣờng độ đỉnh thứ tăng mạnh cƣờng độ đỉnh thứ giảm cho thấy phát xạ bề mặt đƣợc khống chế, chứng tỏ chất lƣợng tinh thể chấm lƣợng tử đƣợc tăng lên Điều hoàn toàn phù hợp với kết từ phổ hấp thụ nhƣ trình bày 39 n 3.20 Phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử ZnSe với tỉ lệ Zn:MPA khác dƣới kích thích laser 355 nm 3.2.3 Ản ƣởng n iệt độ t uỷ n iệt Trong phản ứng thuỷ nhiệt, nhiệt độ yếu tố có ảnh hƣởng mạnh tới hình thành pha cấu trúc, tính chất vật liệu, đóng vai trị quan trọng cho hình thành sản phẩm nhƣ ổn định nhiệt động học pha sản phẩm Do hạn chế tủ sấy đƣợc đến 200 oC nên đề tài này, yếu tố nhiệt độ đƣợc tiến hành khảo sát 120 oC, 140 oC, 160 oC Hình 3.21 3.22 phổ huỳnh quang chấm lƣợng tử nhiệt độ 120 oC, 140 oC, 160 oC dƣới kích thích laser 266 nm 355 nm Khi nhiệt độ phản ứng tăng, bƣớc sóng phát quang dịch phía sóng dài, cƣờng độ phát quang đƣợc tăng cƣờng Điều giải thích: nhiệt độ phản ứng thuỷ nhiệt tăng, chấm lƣợng tử phát triển kích thƣớc lớn hơn, dẫn tới “dịch đỏ” Đồng thời nhiệt độ tăng, cƣờng độ đỉnh huỳnh quang thứ tăng, cƣờng độ đỉnh thứ hai giảm thể việc khống chế tốt phát xạ bề mặt không mong muốn 40 n 3.21 Sự phụ thuộc vị trí đỉnh phát quang theo nhiệt độ chế tạo (bƣớc sóng kích thích 355 nm) n 3.22 Sự phụ thuộc vị trí đỉnh phát quang theo nhiệt độ chế tạo (bƣớc sóng kích thích 266 nm) 41 KẾT LUẬN Với mục tiêu chế tạo vật liệu ZnSe cấu trúc nano/chấm lƣợng tử bán dẫn, điều khiển đƣợc phổ phát quang vùng cực tím xanh da trời, khảo sát đƣa điều kiện công nghệ chế tạo tối ƣu, luận văn thu đƣợc số kết sau : Chế tạo thành công vật liệu ZnSe phương pháp thuỷ nhiệt, có chất lượng tốt, công nghệ ổn định, điều chỉnh vùng phổ phát quang (376-470 nm), cụ thể sau : +) Tinh thể nano ZnSe kích thƣớc trung bình khoảng 100 nm, phát quang ánh sáng màu xanh da trời bƣớc sóng 470 nm nhiệt độ phản ứng 190 0C, thời gian phản ứng 20 giờ, tỉ lệ mol Zn:Se = 1:1 +) Chấm lƣợng tử ZnSe phát quang từ 376-414 nm, hiệu ứng giam giữ lƣợng tử đƣợc thể qua dịch đỉnh bƣớc sóng phát quang theo kích thƣớc chấm lƣợng tử (kích thƣớc dao động từ 4÷20 nm) nhiệt độ phản ứng, thời gian phản ứng, tỉ lệ tiền chất đƣợc tiến hành khảo sát: nhiệt độ phản ứng từ 120 oC÷160 oC, thời gian phản ứng 1÷6 giờ, tỉ lệ mol Zn:MPA = (1:1,2)÷(1,8) Các nghiên cứu sâu tính chất quang nhƣ giải thích đƣợc vấn đề liên quan đến chế tạo vật liệu tiếp tục đƣợc nghiên cứu thời gian tới (nghiên cứu thông qua phép đo huỳnh quang phân giải thời gian, huỳnh quang theo nhiệt độ, ) 42 TÀI LIỆU THAM KHẢO Aqiang Wang, Huaibin Shen, Shuaipu Zang, Qingli Lin, Hongzhe Wang, Lei Qian, Jinzhong, Niu and Lin Song Li, 2015, Bright, Efficient, and Color-stable Violet ZnSe-Based Quantum Dots Light-Emitting Diodes, Nanoscale, 7, pp 2951-2959 Young-wook Jun, Ja-Eung Koo and Jinwoo Cheon, 2000, One-step synthesis of size tuned zinc selenide quantum dots via a temperature controlled molecular precursor approach, Chemical Communication, 14, pp 1243-1244 Bohua Dong, Lixin Cao, Ge Sua and Wei Liu, 2010, Facile synthesis of highly luminescent UV-blue emitting ZnSe/ZnS core/shell quantum dots by a two-step method, Chem Commun 46, pp 7331–7333 S Mahajan, Meenu Rani, R B Dubey and Jagrati Mahajan, 2013, Characteristics and properties of CdSe quantum dots, International Journal of Latest Research in Science and Technology, 2, pp 457-459 W C W Chan and S Nie, 1998, Quantum Dot, Bioconjugates for Ultrasensitive Nonisotopic Detection, Science, 281, pp 2016-2018 A P Alivisatos, 2004, The use of nanocrystals in biological detection, Nat Biotechnol., 22, pp.47-52 Fuzhong Gong, Lu Sun, Heng Ruan, and Huamen Cai, 2018, Hydrothermal synthesis and photoluminescence properties of Cu-doped ZnSe quantum dots using glutathione as stabilizer, Materials Express, 8, pp 562-566 Narayan Pradhan, David M Battaglia, Yongcheng Liu and Xiaogang Peng, 2007, Efficient, Stable, Small, and Water-Soluble Doped ZnSe Nanocrystal Emitters as Non-Cadmium Biomedical Labels, Nano Letters, 7, pp 312-317 S M Emin, N Sogoshi, S Nakabayashi, T Fujihara and C D Dushkin, 2009, Kinetics of Photochromic Induced Energy Transfer between Manganese-Doped ZincSelenide Quantum Dots and Spiropyrans, Journal 43 of Physical Chemistry C, 113, pp 3998-4007 10.L Yang, J Zhu and D Xiao, 2012, Microemulsion-mediated hydrothermal synthesis of ZnSe and Fe-doped ZnSe quantum dots with different luminescence characteristics, RSC Advances, 2, pp 8179-8188 11 Yang J, Zeng J-H, Yu S-H, Yang L, Zhou G-E, Qian Y-T, 2000, Formation process of CdS nanorods via solvothermal route, Chemistry of Materials, 12, pp 3259–3263 12 KaranSurana, Pramod KSingh, Hee-WooRhee, B.Bhattacharya, 2014, Synthesis, characterization and application of CdSe quantum dots, Journal of Industrial and Engineering Chemistry, 20, pp 4188-4193 13.Matthew L Landry, Thomas E Morrell, Theodora K Karagounis, ChihHao Hsia, and Chia-Ying Wang, 2014, Simple Syntheses of CdSe Quantum Dots, Journal of Chemical Education, 91, pp 274–279 14 Ataul AzizIkram, David T.Crouse, Michael M.Crouse, 2017, Electrochemical fabrication of cadmium telluride quantum dots using porous anodized aluminum on a silicon substrate, Materials Letters, 61, pp 3666-3668 15 Akeel M.Kadim, 2017, Fabrication of Quantum Dots Light Emitting Device by Using CdTe Quantum Dots and Organic Polymer, Journal of Nano Research, 50, pp 48-56 16 Hk Jun, Mohamed Abdul Careem, A K Arof, 2014, Fabrication, Characterization, and Optimization of CdS and CdSe Quantum DotSensitized Solar Cells with Quantum Dots Prepared by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, International Journal of Photoenergy, pp 1-14 17.Peng ZA, Peng X., 2001, Mechanisms of the Shape Evolution of CdSe Nanocrystals, Journal of the American Chemical Society, 123, pp 13891395 18 Rogach AL, Franzl T, Klar TA, Feldmann J, Gaponik N, Lesnyak V, 44 Shavel A, Eychmüller A, Rakovich YP, Donegan JF, 2007, Aqueous synthesis of thiol-capped CdTe nanocrystals: State-of-the-art, The Journal of Physical Chemistry C, 111, pp 14628-14637 19.Qian H, Li L, Ren J., 2005, One-step and rapid synthesis of high quality alloyed quantum dots (CdSe/CdS) in aqueous phase by microwave irradiation with controllable temperature, Materials Research Bulletin, 40, pp 1726-1736 20 Jafar Ahamed, K Ramar and P Vijaya Kumar, 2016, Synthesis and Characterization of ZnSe Nanoparticles by Co-precipitation Method, Journal of Nanoscience and Technology 2, pp 148-150 21.Pei Xie, Shaolin Xue, Youya Wang, Zhiyong Gao, Hange Feng, Lingwei Li, Dajun Wu, Lianwei Wang and Paul K Chu, 2017, Morphologycontrolled synthesis and electron field emission properties of ZnSe nanowalls, RSC Advances, 7, pp 10631-10637 22.Soodabe Gharibe, Shahrara Afshar and Leila Vafayi, 2014, Development of a Hydrothermal Method to Synthesize Spherical Znse Nanoparticles: Appropriate Templatesfor Hollow Nanostructures, Chemical Society of Ethiopia, 28, pp 37-44 23 Satyajit Saha, Tapan Kumar Das and Rahul Bhattacharya, 2016, Fabrication of ZnSe based dye sensitised solar cell and its characterization, International Journal of Research in Applied, Natural and Social Sciences, 4, pp 1-8 24 Aeshah Salem, Elias Saion, Naif Mohammed Al-Hada, Halimah Mohamed Kamari, Abdul Halim Shaari and Shahidan Bin Radiman, 2017, Simple synthesis of ZnSe nanoparticles by thermal treatment and their characterization, Results in Physics, 7, pp 1175-1180 25.Colli A, Hofmann S, Ferrari A, Ducati C, Martelli F, Rubini S, Cabrini S, Franciosi A, Robertson J, 2005, Low-temperature synthesis of ZnSe nanowires and nanosaws by catalyst-assisted molecular-beam epitaxy, Applied Physics Letters, 86, pp 1531031-1531033 45 26 Haiyan Hao, Xi Yao and Minqiang Wang, 2007, Preparation and optical characteristics of ZnSe nanocrystals doped glass by sol–gel in situ crystallization method, Optical Materials, 29, pp 573–577 27.Juliana J Andrade, Aluízio G Brasil Juniorac, Breno J A P Barbosa, Clayton A Azevedo Filhoac, Elisa S Leitead, Patrícia M A Fariasae, Adriana Fontesae, Beate S Santosac, 2010, Biocompatible Water Soluble UV-Blue Emitting ZnSe Quantum Dots for Biomedical Applications, Proceedings of SPIE, 7575, pp 757507-757512 28 Igor M R Moura1, Paulo E Cabral Filho, Maria A B L Seabra, Goreti Pereira, Giovannia A.L Pereira, Adriana Fontes, Beate S Santos, 2018, Highly fluorescent positively charged ZnSe quantum dots for bioimaging, Journal of Luminescence, 201, pp 284-289 29 K Saikia, P Deb and E Kalita, 2013, Sensitive fluorescence response of ZnSe(S) quantum dots: an efficient fluorescence probe, Physica Scripta, 87, pp 065802-065808 30 K Senthilkumar, T Kalaivani, S Kanagesan,V Balasubramanian, 2012, Synthesis and characterization studies of ZnSe quantum dots, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 23, pp 2048–2052 31 Margaret A Hines and Philippe Guyot-Sionnest, 1998, Bright UV-Blue Luminescent Colloidal ZnSe Nanocrystals, The Journal of Physical Chemistry B, 102(19), p 3655–3657 32 Reiss, G Quemard, S Carayon, J Bleuse, F Chandezon and A Pron, 2004, Luminescent ZnSe nanocrystals of high color purity, Materials science communication, 84, pp 10–13 33 Xinhua Zhong, Renguo Xie, Ying Zhang, Thomas Basche´and Wolfgang Knoll, 2005, High-Quality Violet- to Red-Emitting ZnSe/CdSe Core/Shell Nanocrystals, Chemistry of Materials, 17, pp 4038-4042 34 Fakhrurrazi Ashari, Josephine Liew Ying Chyi, Zainal Abidin Talib, W Wahmood Wan Yunus, Fakhrurrazi Ashari, Josephine Liew Ying Chyi, Zainal Abidin Talib, W Wahmood Wan Yunus, Leongyongjian, 46 Leehankee, Chang Fu Dee and Burhanuddin Yeo Majlis,2016, Optical Characterization of Colloidal Zinc Selenide Quantum Dots Prepared, Sains Malaysiana, 45(8), pp.1191–1196 35 Yejin Kim, Hyung Soon Im, Kidong Park, Jundong Kim, Jae-Pyoung Ahn and Seung Jo Yoo, Jin-Gyu Kim and Jeunghee Park, 2017, Bent Polytypic ZnSe and CdSe Nanowires Probed by Photoluminescence, Advanced Science News, 13, pp 1603695-1603704 36 Jiang C, Zhang W, Zou G, Yu W and Qian Y, 2005, Synthesis and characterization of ZnSe hollow nanospheres via a hydrothermal route, Nanotechnology, 16, pp 551 37 Zhang X, Liu Z, Ip K, Leung Y, Li Q and Hark S, 2004, Luminescence of ZnSe nanowires grown by metalorganic vapor phase deposition under different pressures, Journal of Applied Physics, 95, pp 5752–5 38 Hernández R., Rosendo E., García G., Pacio M., Díaz T., Juárez H and Galeazzi R., 2014, Obtaining and characterization of ZnSe nanoparticles from aqueous colloidal dispersions, Superficies y Vacío, 27(1), pp 11-14 39 X Wang, X L Ma, X Feng, and Y F Zheng, 2010, Controlled Synthesis and Characterization of ZnSe Quantum Dots, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 10, pp 7812–7815 40 Sunirmal Jana, In Chan Baek, Mi Ae Lim and Sang Il Seok, 2008, ZnSe colloidal nanoparticles synthesized by solvothermal method in the presence of ZrCl4, Journal of Colloid and Interface Science, 322, pp 473–477 41 Pushpendra Kumar and Kedar Singh, 2009, Wurtzite ZnSe quantum dots: Synthesis,characterization and PL properties, Journal of optoelectronic and Biomedical Materials, 1(1), pp 59 – 69 42 A Chaieb, O Halimi, A Bensouici, B Boudine, M Sebais and B Sahraoui, 2008, Optical Properties of the ZnSe Nanocrystals Embedded in PMMA Matrix, IEEE 47 43.Hoàng Thị Chúc Quỳnh, 2014, Nghiên cứu điều chế bột ZnSe kích thước nano theo phương pháp thủy nhiệt, Luận văn Thạc sĩ, Trƣờng Đại học Khoa hoc Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Hà Nội, Hà Nội 44 Hua Gong, Hui Huang, Liang Ding, Minqiang Wang, Kaiping Liu, 2006, Characterization and optical properties of ZnSe prepared by hydrothermal method, Journal of Crystal Growth, 288, pp 96– 99 45.Fuzhong Gong, Lu Sun, Heng Ruan, and Huamen Cai, 2018, Hydrothermal synthesis and photoluminescence properties of Cu-doped ZnSe quantum dots using glutathione as stabilizer, Materials Express, 8, pp 562-566 46 Safa Kasap, Peter Capper, 2017, Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, Springer US 47.Guha, S., 2001 Zinc Selenide Encyclopedia of Materials: Science and Technology, pp.9894–9897 48.QiZhang, HuiqiaoLi, YingMa, TianyouZha, 2016, ZnSe nanostructures: Synthesis, properties and applications, Progress in Materials Science, 83, pp 472-535 49.Nanoscience and nanotechnologies: opportunities and uncertainties, 2004, The Royal Society & The Royal Academy of Engineering, London 50 Andrade J.J., A G Brasil Jr., P.M.A Farias, A Fontes, B.S Santos, 2009, Synthesis and characterization of blue emitting ZnSe quantum dots, Microelectronics Journal, 40, pp 641-643 51 Bo Hou, Yongjun Liu, Yanjuan Li, Bo Yuan, Mingfen Jia, Fengzhi Jiang, 2012, Evolvement of soft templates in surfactant/cosurfactant system for shape control of ZnSe nanocrystals, Materials Science and Engineering B, 177, pp 411- 415 52 Fleischmann M, Hendra P J and McQuillan A J, 1974, Raman spectra of pyridine adsorbed at a silver electrode, Chemical Physics Letters, 26 (2), pp 163-166 48 53 Minqiang Wang, Xiao Huo, Jianping Li,Zhonghai Lin and Xi Yao, 2008, Study of ZnSe powder mass depleted in temperature field, Ceramics International, 34, pp 1081-1083 54 AnHui-Zhi, ZhaoQing and DuWei-Min, 2004, Raman spectra of ZnSe nanoparticles synthesized by thermal evaporation method, Chinese Physical Society, 13(10), pp 1753-1757 55.GuoweiLu, Huizi An, Yu Chen, Jiehui Huang, Hongzhou Zhang, Bin Xiang, Qing Zhao, Dapeng Yu and Weimin Du, 2005, Temperature dependence of Raman scattering of ZnSe nanoparticle grown through vapor phase, Journal of Crystal Growth 274, pp 530-535 56 Lingcong Shi, Chunrui Wang, Jiale Wang, Zebo Fang and Huaizhong Xing, 2016, Temperature-Dependent Raman Scattering of ZnSe Nanowires, Advances in Materials Physics and Chemistry 6, pp 305-317 57.Zhou W, Liu R, Tang D and Zou B, 2013, The effect of dopant and optical micro-cavity on the photoluminescence of Mn-doped ZnSe nanobelts, Nanoscale Research Letters, 8, pp 314-324 58.Mahesh Verma, D Patidar, K B Sharma, and N S Saxena, 2015, Synthesis, Characterization and Optical Properties ofCdSe and ZnSe Quantum Dots, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 10, pp 1– 59 Melissa Cruz-Aca, Sonia Bailón-Ruiz, Carlos R Marti-Figueroa, Ricardo Cruz-Aca and Oscar J Perales-Pérez, 2015, Synthesis, Characterization and Evaluation of the Cytotoxicity of Ni-Doped Zn(Se,S) Quantum Dots, Journal of Nanomaterials, 1, pp 1-8 60.M Bedir, M.Oztas, O.F Bakkaloglu, and R Ormanci, 2005, Investigations on structural, optical and electrical parameters of spray deposited ZnSe thin films with different substrate temperature, The European Physical Journal B, 45, pp 465 61.Ke Gong, David F Kelley, and Anne Myers Kelley, 2017, Nonuniform Excitonic Charge Distribution Enhances Exciton–Phonon Coupling in 49 ZnSe/CdSe Alloyed Quantum Dots, The Journal of Physical Chemistry Letters, 8, pp 626−630 62.Ni Liu, Ling Xu, Hongyu Wang, Jun Xu, Weining Su, Zhongyuan Ma and Kunji Chena, 2014, Sensitization enhancement of europium in ZnSe/ZnS core/shell quantum dots induced by efficient energy transfer Luminescence, 29, pp 1095-1101 50 ... dụng lĩnh vực quang xúc tác, xử lí mơi trƣờng, Từ lý trên, lựa chọn đề tài: ? ?Nghiên cứu chế tạo vật liệu phát quang ZnSe" Đề tài tập trung vào việc nghiên cứu chế tạo vật liệu ZnSe mơi trƣờng... (cal/mol K) 1.1.2 Tình hình nghiên cứu vật liệu ZnSe  Tình hình nghiên cứu ZnSe giới: Từ năm 1960, vật liệu ZnSe đƣợc quan tâm nghiên cứu nhằm mục đích sử dụng vật liệu vào chế tạo LED màu xanh da trời,... đầu Kết luận, luận văn đƣợc trình bày thành chƣơng: Chương 1: Tổng quan vật liệu ZnSe 1.1 Các thông tin tình hình nghiên cứu vật liệu nano ZnSe 1.2 Các phƣơng pháp chế tạo vật liệu nano ZnSe Chương