TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN KHOA VẬT LÝ VẬT LÝ VẬT LIỆU NANO GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN: PGS.TS PHẠM THÀNH HUY HỌC VIÊN: ĐẶNG THỊ THU THẢO LỚP: VẬT LÝ CHẤT RẮN K20 Chuyên đề: Hãy trình bày hiểu biết cấu trúc chiều SnO2 , tính chất, công nghệ chế tạo ( phương pháp vật lý ) ứng dụng I Cấu trúc tinh thể tính chất SnO2 Cấu trúc tinh thể SnO2 - Là tinh thể phân cực bất đẳng hướng, có cấu trúc rutile TiO2, GeO2 - Ô đơn vị chứa sáu nguyên tử, hai thiếc, bốn oxi Bao quanh nguyên tử thiếc có sáu nguyên tử oxi.Các nguyên tử oxi tạo thành hình bát diện có tâm nguyên tử thiếc - Hằng số mạng tinh thể: a = b = 4,737Ao, c = 3,186Ao - Tỷ trọng 300oK 6.95g/cm3 - Điểm nóng chảy: 1630oC - Hệ số dãn nở nhiệt: 0.02oC-1 Hình Cấu trúc tinh thể SnO2 Tính chất tinh thể SnO2 Tính chất khối: - Là loại bán dẫn loại n, suốt, độ rộng vùng cấm 3,6 - 4,3 eV - Trong mạng tinh thể tồn nhiều sai hỏng SnO2 biết đến bán dẫn loại n diện nút khuyết oxi mạng tinh thể, nút khuyết tạo điều kiện cho điện tử nguyên tử Sn trở thành điện tử tự do, từ hình thành hai mức donor ED1 ED2 ED1 cách đáy vùng dẫn 0.03eV, trạng thái oxi hóa đạt nhiệt độ khoảng 200oC E cách D2 đáy vùng dẫn 0.15 eV, trạng thái oxi hóa đạt nhiệt độ 400oC - Thiếc oxit có khả bền hóa học, bền học cao, bị ăn mịn kiềm nóng đậm đặc Tính chất điện: - Độ dẫn điện tinh thể bán dẫn σb tổng độ dẫn electron (σe) lỗ trống (σp) σb = σe +σp - Điện trở vật liệu khối Rb tính theo công thức Rb = l / (σb.A) , với σb = σe+σp = n.µ e e + p.µ p.e µ l độ linh động, l: chiều dài vật liệu, A: diện tích bề mặt - Nồng độ hạt tải điện đuợc tính: n = Nc exp ( EF – Ec / KT ); p = Nv exp ( Ev – EF / KT ) với Nc Nv mật độ trạng thái hiệu dụng electron vùng dẫn lỗ trống vùng hóa trị SnO2 bán dẫn loại n, tồn nút khuyết oxi mạng tinh thể SnO2 Trong tinh thể SnO2 đồng thời chứa hai loại hạt: Sn4+ (đã bị oxi hóa hồn tồn) Sn2+ Tồn hai loại hạt mang lại cho SnO tính dẫn điện Các ion nằm cạnh trao đổi cặp điện tử cho dẫn đến di chuyển điện tử từ nơi sang nơi khác tương ứng với tăng độ linh động hạt tải điện, làm tăng tính dẫn điện màng Hình trao đổi ion Sn2+ Sn4+ Tính chất dây nano SnO2 a Tính chất quang - SnO2 chất bán dẫn vùng cấm rộng (Eg = 3,62 eV 300 K)mà vật liệu có lượng liên kết exciton lớn (130 meV) Độ rộng vùng cấm quang học dây nano SnO2 khoảng 3,6 eV, giá trị xấp xỉ so với vật liệu khối Tuy nhiên, đường kính dây (khoảng 80 nm) lớn nhiều so với bán kính Bohr SnO2 (2,6 nm) Hình thể phổ huỳnh quang nhiệt độ phòng dây nano SnO2 nhiệt độ mọc khác Hình Phổ huỳnh quang dây nano SnO2 mọc 750-950 oC (a) sơ đồ vùng lượng dây nano SnO2 (b) Vật liệu SnO2 dạng khối không phát quang với cấu trúc nano thể tính chất phát quang mạnh Điều giải thích khuyết tật bề mặt nút khuyết oxy vùng gần bề mặt Dây nano SnO2 mọc 750 oC 850 oC có đỉnh phát xạ tương ứng 588 nm 573 nm, dây nano mọc 950 oC 1000 oC thể đỉnh phát xạ 558 nm 582 nm Trong hầu hết trường hợp vùng phát xạ huỳnh quang dịch chuyển Stocks khơng có vùng phát xạ gần bờ Theo cơng bố Zhou sai hỏng chủ yếu cấu trúc nano SnO2 nút khuyết oxy vùng bề mặt Trạng thái bề mặt khoảng 2,7 eV bên đáy vùng dẫn 0,9 eV bên đỉnh vùng hóa trị Ngồi ra, nút khuyết oxy có độ âm điện cao nên hút điện tử xung quanh tạo thành trạng thái liên quan với nút khuyết oxy gần đáy vùng dẫn Vị trí trạng thái có liên quan đến chất lỗ trống Với dây nano mọc nhiệt độ 750-1000 oC lượng phát xạ khoảng 2,1-2,2 eV thấp chênh lệch lượng đáy vùng dẫn với trạng thái bề mặt (2,7 eV) Do đó, khẳng định rằng, điện tử dây nano từ vùng dẫn bị giam giữ mức lượng bẫy gần bề mặt bên vùng dẫn sau tái hợp với lỗ trống bề mặt a Tính chất điện SnO2 chất bán dẫn loại n hạt tải điện tử Tính bán dẫn SnO2 nút khuyết oxy xen kẽ nguyên tử Sn gây nên Tùy thuộc vào phương pháp chế tạo khác dẫn tới số lượng nút khuyết oxy số nguyên tử Sn xen kẽ khác nhau, độ dẫn dây nano thay đổi Hiện nhà khoa học tranh luận loại sai hỏng đóng góp vào việc vận chuyển điện tích vật liệu mà khuyết tật điểm khó quan sát trực tiếp Một vấn đề quan trọng liên quan đến vận chuyển điện tích dây nano tiếp xúc vật liệu với điện cực Tiếp xúc kim loại với chất bán dẫn đóng vai trò quan trọng tất thiết bị điện tử Có hai loại tiếp xúc vùng chuyển tiếp kim loại với bán dẫn tiếp xúc Ohmic tiếp xúc Schottky Tiếp xúc Ohmic tiếp xúc mà đường đặc trưng I-V tuyến tính đối xứng Ngược lại, đặc trưng I-V thiết bị khơng tuyến tính khơng đối xứng tiếp xúc Schottky Đặc trưng điện điều khiển độ tin cậy cao quan trọng chế tạo mạch điện tử Khi tiếp xúc kim loại bán dẫn lý tưởng đặc tính tiếp xúc xác định loại bán dẫn khác cơng kim loại vật liệu bán dẫn Nie cộng khảo sát tính chất điện dây nano SnO2 đơn sợi Dây nano có đường kính chiều dài 50 nm 2,2 μm, đầu nối với kim loại W, đầu lại nối với dây Au Kết nghiên cứu Hình Hình4 Sơ đồ khảo sát tính chất điện dây nano SnO2 (a) đường đặc trưng I-V tiếp xúc kim loại bán dẫn (b) Điện áp cong tuyến tính 0,1 V/s dịng thay đổi theo mối quan hệ chỉnh lưu Tính chất chỉnh lưu bắt nguồn từ rào Schottky chuyển tiếp dây nano SnO2 với kim loại, rào gây chênh lệch cơng dây nano SnO2 (4,9 eV) so với Ag (4,26 eV) W (4,55 eV) Điều giải thích đường đặc trưng I-V gần đối xứng Sự di chuyển hạt tải tiếp xúc kim loại bán dẫn gây chế khác dịch chuyển nhiệt qua rào thế, xuyên ngầm với hỗ trợ điện tử vùng tiếp giáp kim loại-bán dẫn hay xuyên ngầm thông qua rào II Các công nghệ chế tạo dây nano SnO2 Hiện có nhiều phương pháp khác để chế tạo vật liệu oxit kim loại bán dẫn chiều Trong phần trình bày khái quát số phương pháp vật lý thường sử dụng để chế tạo dây nano SnO2 Phương pháp bốc bay nhiệt theo chế lỏng rắn (VLS) Dây nano số cấu trúc nano chiều khác nano, cấu trúc nano hình cấu trúc lược chế tạo phương pháp đơn giản bốc bay nhiệt từ nguồn vật liệu rắn Phương pháp sử dụng để chế tạo dây nano nhiều vật liệu khác như: ZnO, SnO2, In2O3, WO3, Quy trình chế tạo vật liệu dùng bột kim loại oxit kim loại đóng vai trị vật liệu nguồn, sau nung đến nhiệt độ bay chúng điều kiện chân không thổi khí trơ làm khí mang thổi oxy với lưu lượng thích hợp để xảy phản ứng với vật liệu nguồn Dây nano hình thành vùng nhiệt độ thấp, nơi vật liệu nguồn lắng đọng từ pha lên đế Đối với dây nano SnO2 chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt từ vật liệu nguồn bột Sn, SnO SnO2 a) Chế tạo dây nano SnO2 từ bột Sn Bột Sn sử dụng phổ biến trình chế tạo dây nano SnO2 phương pháp bốc bay nhiệt có nhiệt độ bay thấp Dây nano SnO2 chế tạo phương pháp từ vật liệu nguồn bột Sn thu hút nhiều quan tâm nghiên cứu Trong trình mọc người ta thường sử dụng lớp Au phủ lên đế (Si Al2O3) có chiều dày khác làm xúc tác Nhiệt độ mọc dây nano nằm khoảng 700-900 oC Các kết nghiên cứu có nhiều thơng số ảnh hưởng tới hình thái, cấu trúc dây nano nhiệt độ mọc , thời gian mọc , lưu lượng thổi khí , chiều dày lớp xúc tác … Để khảo sát ảnh hưởng nhiệt độ tới trình chế tạo vật liệu, Kim cộng tiến hành mọc dây nano SnO2 lên đế Si, khoảng nhiệt độ 600-900 oC với thời gian Trong q trình mọc hỗn hợp khí O2 Ar (áp suất riêng phần khí theo tỷ lệ tương ứng % 97 %) thổi với lưu lượng khơng đổi nhằm trì áp suất lò Torr Kết 600oC chưa tạo thành dây nano mà vật liệu thu có cấu trúc đám đảo 700oC trở lên tạo thành dây nano Ngồi ra, nhiệt độ 700oC dây nano có đường kính nhỏ (30-120 nm), nhiệt độ cao đường kính dây tăng lên Mazeina cộng khảo sát ảnh hưởng chiều dày lớp xúc tác thời gian mọc dây nano SnO2 phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng bột Sn nhiệt độ 900oC thời gian 0,5 Dây nano lắng đọng lên đế Sapphia phủ Au có chiều dày nm, nm 10 nm Kết chiều dày lớp xúc tác tăng đường kính dây nano tăng lên Kết phù hợp với cơng bố nhóm Lee.Hạt Sn dùng làm vật liệu nguồn cho trình mọc dây nano SnO2 Nhóm nghiên cứu Maghraby tiến hành khảo sát ảnh hưởng trình mọc dây nano lên đế Si có phủ vật liệu xúc tác khác (Au, SnO2 khơng có xúc tác) Hạt Sn có đường kính 23 mm cho vào thuyền nhơm, đặt lị sau nâng nhiệt độ lị lên 900oC, thời gian mọc lưu lượng khí Ar 100 ml/phút Q trình thực áp suất khí Kết chụp ảnh SEM hình thái dây nano phụ thuộc vào xúc tác phủ lên đế Si Đối với đế khơng có xúc tác đế có phủ Au dây nano mọc đồng đế phủ SnO2 chủ yếu tạo thành dải nano (nanoribbons) mỏng, điều giải thích tương thích số mạng đế vật liệu lắng đọng Yin cộng tiến hành mọc dây nano SnO2 hạt Sn có sử dụng H2O làm chất oxy hóa Hạt Sn có đường kính mm phủ lớp Au dày 10 nm bên làm xúc tác, sau đưa vào lị Nước cất để thuyền đặt đầu vào ống thạch anh, đầu lại để hở Lò gia nhiệt đến 700 oC 800 oC giữ nhiệt độ h, khí N2 thổi với lưu lượng lít/giờ làm khí mang Dây nano mọc nhiệt độ 700oC có chiều dài đường kính 100-150 µm 16-40 nm, với dây mọc 800 oC có giá trị tương ứng 150-200 µm 20-60 nm Yin tiến hành khảo sát 600oC 650oC thấy hình thành hạt vật liệu bám hạt Sn, nâng nhiệt lên 900oC vật liệu thu đai nano(nanobelts) có đường kính 300-500 nm với hạt nano SnO2 Kết lần khẳng định tăng nhiệt độ đường kính chiều dài dây nano tăng lên đồng thời nhiệt độ tốt để mọc dây nano SnO2 từ bột Sn khoảng 700-800oC.Ngoài việc sử dụng bột hạt Sn nhóm Hurtado thành công việc chế tạo dây nano SnO2 từ vật liệu nguồn màng Sn Quy trình mọc tóm tắt sau: phủ lớp kim loại Sn lên đế Al2O3, sau phún xạ lớp Au dày nm lên trên.Đế đưa vào lị mọc nhiệt độ 700-900oC, khí O2 thổi vào với lưu lượng 50, 100 500 sccm Cơ chế hình thành dây nano SnO2 trường hợp Hình Hình Cơ chế mọc dây nano SnO2 sử dụng vật liệu nguồn màng Sn Các kết thu nhiệt độ mọc lưu lượng khí O2 đóng vai trị quan trọng q trình mọc dây nano Hầu hết cơng trình cơng bố kết chế tạo dây nano SnO2 phương pháp bốc bay nhiệt từ hạt Sn có sử dụng xúc tác mọc nhiệt độ 700oC Tuy nhiên,nhóm nghiên cứu Kumar việc chế tạo dây nano không cần sử dụng xúc tác nhiệt độ mọc 500oC Dây nano tạo thành có đường kính chiều dài 100-200 nm 20-30 µm, dây nano nhánh có đường kính nhỏ (30-100 nm).Trong thí nghiệm độ chân khơng lị cần đạt tương đối thấp 4.10-4mbar Shen thành công việc chế tạo dây nano SnO2 không dùng xúc tác mà sử dụng hạt Sn nhiệt độ mọc tương đối cao (900oC) đường kính dây nano lên tới 200 nm b.Chế tạo dây nano SnO2 từ bột SnO Trong quy trình chế tạo dây nano SnO2 bột SnO thường sử dụng làm vật liệu nguồn có nhiệt độ nóng chảy (1080oC) thấp so với SnO2 (1630oC) nên nhiệt độ mọc dây nano từ bột SnO thấp so với SnO2 Baik cộng chế tạo thành công dây nano SnO2 lên đế Si phủ Au (2 nm) từ bột SnO mọc 900oC Dây nano mọc đồng đế Si với đường kính từ 50-130 nm chiều dài khoảng 100 µm Duraia khảo sát ảnh hưởng nhiệt độ đến trình mọc dây nano sử dụng bột SnO Nhiệt độ khảo sát thí nghiệm 750oC, 950oC 1100oC áp suất khí Kết khảo sát cho thấy nhiệt độ 750oC số lượng dây nano tạo thành đường kính dây khoảng 93-200 nm tăng nhiệt độ lên 950oC lượng dây nano tạo thành tương đối nhiều đường kính dây tăng lên (112-400 nm) Khi nhiệt độ mọc 1100oC đường kính dây tăng lên nhiều (khoảng 1,5 µm) Như vậy, tăng nhiệt độ mọc đường kính dây nano tăng lên đáng kể Điều giải thích nhiệt độ tăng nguyên tử Sn O2 nhận nhiều lượng để mọc tạo thành tinh thể SnO2 dẫn tới tăng đường kính dây nano SnO2 Li sử dụng phương pháp khử trực tiếp SnO carbon để chế tạo dây nano SnO2 Quá trình thực nhiệt độ 900oC với lưu lượng thổi khí Ar O2 90sccm 10 sccm Dây nano tạo phương pháp có đường kính đồng khoảng 100 nm chiều dài từ 10-15 µm Shaalan cộng chế tạo dây nano SnO2 phương pháp bốc bay nhiệt không sử dụng xúc tác Vật liệu nguồn cho vào thuyền nhơm, sau dùng đế Si phủ lên thuyền để vật liệu lắng đọng lên đế Tiến hành hút chân khơng đến 90 Pa nâng nhiệt độ lò từ nhiệt độ phòng lên 900oC giữ nhiệt độ 80 phút Dây nano thu mọc đế, đường kính khoảng 30-100 nm chiều dài dây 10 µm c.Chế tạo dây nano SnO2 từ bột SnO2 SnO2 có nhiệt độ nóng chảy cao (1630oC) nên việc sử dụng làm vật liệu nguồn cho q trình chế tạo dây nano đòi hỏi nhiệt độ mọc cao so với bột Sn SnO Xie cộng khảo sát ảnh hưởng xúc tác đến trình mọc dây nano SnO2 Xúc tác sử dụng Ga, GaN Au phủ lên đế Si, nhiệt độ mọc khoảng 1000oC Kết chế tạo cho thấy với mẫu sử dụng xúctác Ga GaN dây nano thu đều, bề mặt nhẵn, đường kính từ 50-100 nm phát quan trọng dây nano mọc xúc tác Ga có chiều dài lớn nhiều so với sử dụng xúc tác Au Dây nano chế tạo phương pháp bốc bay nhiệt có số hạn chế như:lượng vật liệu tạo ít; nhiệt độ mọc cao để bốc bay vật liệu nguồn; thường sử dụng xúc tác cho q trình mọc nên nguyên nhân tạo tạp chất khuyết tật cho vật liệu Để khắc phục hạn chế trên, Tao đồng nghiệp khảo sát ảnh hưởng nhiệt độ thời gian mọc dây nano SnO2 không sử dụng xúc tác Tác giả sử dụng bột SnO2 làm vật liệu nguồn chế tạo nhiệt độ 900oC, 1000oC 1100oC với lưu lượng khí N2 thổi 50 ml/phút Như vậy, mọc 900oC tạo thành hạt nano SnO2, 1000 oC tạo thành tinh thể nano với hình dạng tương đối đồng chưa hình thành dây nano Với mẫu mọc 1100oC tạo thành dây nano với đường kính khoảng 50-150 nm chiều dài dây tới vài chục micro mét Ở việc tạo thành dây nano cịn có xuất hạt nano SnO2 bám bề mặt dây nano Ngoài ra, thời gian mọc ảnh hưởng đến trình mọc dây nano, thời gian mọc tăng lên chiều dài dây nano tăng giảm số lượng hạt nano bám bề mặt dây, ngược lại thời gian tăng lại làm cho đường kính dây tăng lên Quá trình hình thành dây nano giải thích là: nhiệt độ lớn 1000oC, SnO2 bị phân hủy thành SnO O2 sau SnO tiếp tục bị phân hủy thành SnO2 Sn, chúng bị oxy hóa đủ O2 mơi trường Ở khơng sử dụng xúc tác cho q trình mọc nên không thấy xuất hạt kim loại đầu dây nano Do đó, q trình mọc dây nano xảy theo chế hơi-rắn (VS) Việc chế tạo dây nano SnO2 sử dụng vật liệu nguồn bột SnO2 thường tiến hành nhiệt độ cao Để khắc phục hạn chế này, số tác giả chế tạo dây nano SnO2 sử dụng C trộn với bột SnO2 theo tỷ lệ định nhiệt độ khoảng 800-850 oC Phương pháp bốc bay chùm điện tử Bốc bay nhiệt phương pháp phổ biến để chế tạo dây nano SnO2 Tuy nhiên, phương pháp có số hạn chế như:tổng hợp nhiệt độ cao (> 700 oC) khó điều khiển xác chiều dài đường kính dây nano khó mọc dây nano thẳng đế Để hạn chế nhược điểm người ta sử dụng phương pháp bốc bay chùm điện tử Đây phương pháp chế tạo dây nano có tính tinh thể cao, dễ dàng điều khiển chiều dài mật độ dây nano phương pháp ứng dụng cơng nghiệp tốc độ lắng đọng vật liệu cao Sơ đồ nguyên lý thiết bị mơ tả Hình Hình Sơ đồ ngun lý hệ bốc bay chùm điện tử Hệ bốc bay chùm điện tử bao gồm: (1) phát chùm điện tử; (2) bơm chân khơng;(3) giá giữ đế; (4) lị gia nhiệt đế (5) hình tinh thể để quan sát trình mọc dây Quy trình mọc dây nano tóm tắt sau: Lấy phiến Si loại p làm đưa vào buồng lắng đọng để phún xạ lớp Au dày nm lên bề mặt Buồng lắng đọng, sau đó, hút chân không bơm học bơm khuếch tán nhằm đạt chân không cao (1.10- mbar) Đế Si có phủ Au nung đến 450oC 15 phút để chuyển màng Au thành hạt Au đóng vai trị làm xúc tác cho q trình mọc, sau đế làm nguội nhiệt độ phòng Đế tiếp tục nung nóng tới 450oC 15 phút nhiệt độ ổn định Sn tạo nhờ chùm điện tử bắn phá vào Sn đồng thời O2 thổi vào thông qua điều khiển lưu lượng nhằm đảm bảo áp suất riêng phần O2 ln khơng đổi suốt q trình mọc dây nano 4.10-4 mbar Điện gia tốc chùm điện tử 10 kV tốc độ bay Sn khoảng 2,5 Å/s Kết chụp ảnh FE-SEM dây nano mọc đồng thẳng đứng toàn đế Chiều dài đường kính nano tương ứng khoảng 2-4 µm 20-60 nm Như vậy, tốc độ mọc dây nano trường hợp khoảng 150 nm/phút Ngoài ra, quan sát ảnh FE-SEM thấy đầu sợi dây nano có hạt Au, nhiệt độ mọc lớn điểm eutectic hệ Sn- Au Điều khẳng định chế mọc dây nano VLS Phương pháp có nhiều thuận lợi so với phương pháp khác như: (1) chân không cao làm giảm nhiễm bẩn oxi hóa bề mặt vật liệu; (2) nhiệt độ mọc thấp tốc độ mọc ngăn chặn khuếch tán lẫn cấu trúc nano; (3) điều khiển trình mọc trực tiếp; (4) tất thơng số mọc điều chỉnh xác tách biệt nhau, vấn đề mọc riêng dây nano nghiên cứu riêng lẻ.Bên cạnh phương pháp chế tạo dây nano kể cịn có số phương pháp khác tạo cấu trúc chiều có kích thước nano như: phương pháp tổng hợp dựa vào phản ứng cháy phương pháp nhiệt phân dung dịch Cai cộng chế tạo dây nano SnO2 đơn tinh thể với đường kính từ 10-100 nm chiều dài vài µm phương pháp đốt cháy sử dụng vật liệu nguồn bột Al, Cu2O SnO Hỗn hợp vật liệu nguồn trộn sấy 120oC giờ, sau cho vào thuyền đưa vào buồng đốt Phản ứng cháy hỗn hợp xảy mơi trường khơng khí nhờ sử dụng cuộn dây đốt nóng điện Đối với phương pháp này, trình hình thành dây nano xảy theo chế hơi-rắn (VS) hơi-lỏng-rắn (VLS) III Một số ứng dụng cấu trúc chiều SnO2 - Với tính chất quang mà SnO2 có ứng dụng chế tạo cảm biến ánh sáng tia cực tím, diode phát quang, chất dẫn suốt,… Mondal cộng tiến hành nghiên cứu tính chất quang dây nano SnO2 tổng hợp phương pháp bốc bay nhiệt nhiệt độ khác từ 750- 1000 oC Sự tiến công nghệ nano năm qua cho phép chế tạo vật liệu có cấu trúc nano chiều với tên gọi khác tùy thuộc vào hình thái chúng SnO2 quan tâm nghiên cứu phương diện nghiên cứu ứng dụng Nó nghiên cứu ứng dụng nhiều lĩnh vực khác cảm biến khí, pin mặt trời, thiết bị quang điện tử , điện cực suốt , xúc tác , tế bào nhạy quang ,… Hình thống kê số cơng trình cơng bố liên quan đến vật liệu nano oxit kim loại bán dẫn 10 năm qua công bố ScienceDirect Trong số vật liệu ZnO SnO2 thu hút nhiều quan tâm nghiên cứu chúng có nhiều ưu điểm giá thành rẻ, dễ chế tạo, thân thiện với môi trường, v.v WO3 10000 In2O3 TiO2 SnO2 8000 ZnO 6000 4000 2000 2004 2006 2008 2010 2012 Hình7 Thống kê số lượng cơng trình cơng bố liên quan đến vật liệu ZnO, SnO2 ... nano SnO2 Phương pháp bốc bay nhiệt theo chế lỏng rắn (VLS) Dây nano số cấu trúc nano chiều khác nano, cấu trúc nano hình cấu trúc lược chế tạo phương pháp đơn giản bốc bay nhiệt từ nguồn vật liệu... hình thành dây nano xảy theo chế hơi-rắn (VS) hơi-lỏng-rắn (VLS) III Một số ứng dụng cấu trúc chiều SnO2 - Với tính chất quang mà SnO2 có ứng dụng chế tạo cảm biến ánh sáng tia cực tím, diode phát... tạo cấu trúc chiều có kích thước nano như: phương pháp tổng hợp dựa vào phản ứng cháy phương pháp nhiệt phân dung dịch Cai cộng chế tạo dây nano SnO2 đơn tinh thể với đường kính từ 10-100 nm chiều