HiệuứngsinhđaExcitonpinmặttrờichấmlượngtử Kiều Thị Quyên Trường Đại học Công nghệ Luận văn ThS ngành: Vật liệu linh kiện nanô; Mã số: (Đào tạo thí điểm) Người hướng dẫn: GS Nguyễn Văn Hiệu Năm bảo vệ: 2007 Abstract: Trình bày hiệuứngsinhđaexcitonpinmặttrờichấmlượngtử lí thuyết thơng qua thuyết lượngtử hóa lần hai hệ nhiều hạt lí thuyết nhiễu loạn Từ tính cách tổng qt yếu tố ma trận, xác suất xảy hiệuứngsinh exciton, hai exciton, ba excitonchấmlượngtử bán dẫn hấp thụ photon Đưa xác suất tổng hợp hiệuứngsinhđaexcitonchấmlượngtử bán dẫn kích thích dòng photon có lượng thay đổi khoảng xác định Keywords: EXCITON; Hiệu ứng; Khoa học vật liệu; Lượng tử; Pinmặttrời Content MỞ ĐẦU Trong năm gần khoa học kĩ thuật cơng nghệ giới ngày có nhiều bước tiến nhảy vọt, nhiều vật liệu mới, nhiều tượng tìm thấy đường thực nghiệm lí thuyết Hiệuứngsinhexciton bán dẫn khối nghiên cứu từ lâu song trình sinh nhiều exciton chưa trọng mà người ta nghiên cứu sinh biexciton hấp thụ photon, chấmlượngtử mức lượng gián đoạn nên xác suất sinhđaexcitontừ việc hấp thụ photon tăng lên so với bán dẫn khối Hơn nữa, ánh sáng mặttrời có dải phổ rộng hấp thụ ánh sáng mặttrời đồng thời xảy trình sinh nhiều excitonHiệuứngsinhđaexcitonpinmặttrờichấmlượngtử nhóm nhà nghiên cứu Mĩ tìm thấy thực nghiệm vào năm 2005 Vì vậy, yêu cầu đặt phải xây dựng mơ hình lí thuyết để so sánh Vì luận văn thạc sĩ tơi xin trình bày hiệuứngsinhđaexcitonpinmặttrờichấmlượngtử lí thuyết thơng qua thuyết lượngtử hóa lần hai hệ nhiều hạt lí thuyết nhiễu loạn Phương pháp nghiên cứu dựa vào thuyết lượngtử hóa lần hai hệ nhiều hạt để viết hàm sóng điện tử bán dẫn chấmlượng tử, hàm sóng trường điện từ, sử dụng tính chất tốn tửsinh tốn tử hủy hạt tính tốn Dựa vào lí thuyết nhiễu loạn để viết Hamilton tương tác trường điện từ trường spinơ, tính yếu tố ma trận, tính xác suất xảy q trình sinhđaexciton hệ điện tửchấmlượngtử bán dẫn bị kích thích photon bị kích thích ánh sáng mặttrời dòng photon có lượng thay đổi liên tục từ vùng tử ngoại đến vùng hồng ngoại References Tiếng Việt Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn Bá Ân, Cơ sở lý thuyết vật lí lượng tử, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội, 2004 Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn Bích Hà, Bài giảng lí thuyết lượngtử hệ nanô, Đại học công nghệ- Đại học quốc gia Hà nội, 2004 Nguyễn Văn Hiệu, Phương pháp lý thuyết trường lượngtử vật lí chất rắn vật lí thống kê, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội, 2000 Tiếng Anh Califano, M , Zunger, A & Franceschetti, A Appl Phys Lett 84, 2409- 2411, 2004 G Allan, C Delerue, Role of impact ionization in multiple exciton generation in PbSe nanocrytals, Phys Rev 73, 205423, 2006 Gmachl, C et al, Rep Prog Phys 64, 1533- 1601, 2001 Jung, H K., Taniguchi, K & Hamaguchi, C I Appl Phys Lett 79, 2473- 2480, 1996 Keldysh, L V Sov Phys JETP USSR 21, 1135, 1965 10 Philippe Guyot- Sionnest, Quantum dots a new quantum state, News and views, Nature materials vol 4, septembre 2006 11 R J Ellingson, M C Beard, J C Johnson, P Yu, O I Micie, A J Nozik, A Schabaev, and A L Efros, Hight efficient Multiple Exciton Generation in Colloidal PbSe and PbS Quantum Dots, Nano Lett 5, 865 871, 2005 12 Schaller, R D & Klimov, V I., Phys Rev Lett 92, 186601, 2004 ... từ trường spinơ, tính yếu tố ma trận, tính xác suất xảy trình sinh đa exciton hệ điện tử chấm lượng tử bán dẫn bị kích thích photon bị kích thích ánh sáng mặt trời dòng photon có lượng thay đổi... nghiên cứu dựa vào thuyết lượng tử hóa lần hai hệ nhiều hạt để viết hàm sóng điện tử bán dẫn chấm lượng tử, hàm sóng trường điện từ, sử dụng tính chất toán tử sinh toán tử hủy hạt tính tốn Dựa... liên tục từ vùng tử ngoại đến vùng hồng ngoại References Tiếng Việt Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn Bá Ân, Cơ sở lý thuyết vật lí lượng tử, Nhà xuất Đại học Quốc gia Hà nội, 2004 Nguyễn Văn Hiệu, Nguyễn