Trắc nghiệm điện tử công suất

Đề thi trắc nghiệm điện tử công suất thời gian 90 phút

CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Các câu hỏi cốt lỏi (450 câu) Đối với cơng tắc bán dẫn lý tưởng, lượng thất thời gian khởi dẫn (B) = V I t swon = V I t swoff a WSWON = V I t swoff b WSWON = V I t swon c WSWON d WSWON Đối với công tắc bán dẫn lý tưởng, lượng thất thoát thời gian khởi ngưng (A) = V I t swon = V I t swoff a WSWOFF = V I t swoff b WSWOFF = V I t swon c WSWOFF d WSWOFF Đối với công tắc bán dẫn lý tưởng, lượng thất thoát chu kỳ giao hoán (B) a WSW = V I (t swon + t swoff ) = V I (t swon + t swoff ) b WSW = V I (t swon + t swoff c WSW d WSW = V I (t swon + t swoff ) ) Đối với công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán chu kỳ giao hoán (C) a PSW = VI (t swon + t swoff ) f b PSW = VI (t swon + t swoff ) f c PSW d PSW = VI (t swon + t swoff ) f = VI (t swon + t swoff ) f Cơng suất thất tổng cộng diode tính (A) a PT = PON + POFF + PSW c PT = VR I R t off T b PT = VF I F t on T d PT = V F max I F max (t swon + t swoff ) f Transistor công suất (BJT) xem cơng tắc bán dẫn có khả chịu dịng điện lớn nên điện tính vùng phát phải thật lớn (D) a Transistor thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở ký sinh b Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) nhiều cực cực phát c Transistor có điện trở cực phát nhỏ d Các câu a, b, c Phát biểu sau đặc tính transistor (BJT) cơng suất (D) a Độ lợi dòng nhỏ tuỳ thuộc vào dòng thu nhiệt độ, dòng thu lớn độ lợi nhỏ b Độ lợi dòng lớn tuỳ thuộc vào dòng thu nhiệt độ, dòng thu lớn độ lợi lớn c Ngoài tượng huỷ thác phân cực nghịch cịn có tượng huỷ thác thứ cấp transistor hoạt động điện dòng lớn d Các câu a c Cơng suất thất Transistor cơng suất (BJT) dẫn bảo hoà (A) a PON = VCEbh I CM + V BEbh I B b PON = VCC I r c PON = VCEbh I CM + VCEbh I B d PON t off T t = VCC I CM on T Công suất thất Transistor cơng suất (BJT) ngưng dẫn dịng rỉ bé cơng thức sau xác (B) a POFF = VCEbh I CM + VBEbh I B b POFF = VCC I r c POFF = VCEbh I CM + VCEbh I B d POFF t off T t = VCC I CM on T 10 Năng lượng thất thoát tổng cộng Transistor cơng suất (BJT) giao hốn (B) a WSW = VCEM I CM (t swon + t swoff ) = VCEM I CM (t swon + t swoff ) b WSW = VCEM I CM (t swon + t swoff c WSW d WSW = VCEM I CM (t swon + t swoff ) ) 11 Cơng suất thất tổng cộng Transistor cơng suất (BJT) giao hốn (C) b PT = (PON + POFF + WSW ) a PT = PON + POFF + PSWON c PT = (PON t on + POFF t off + WSW ) f d PT = (PON + POFF + WSW ) f 12 Phát biểu sau cho cấu trúc mosfet cơng suất (B) a Có cấu trúc xen kẻ tiếp giáp np để cấp dịng lớn b Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên gọi Vmosfet để cấp dòng lớn c Có diện tích tiếp xúc vùng nhỏ để cấp dòng lớn d Các câu a, b, c 13 Phát biểu sau cho đặc tính mosfet cơng suất (D) a Điện trở giửa cực D S dẫn nhỏ (vài chục mΩ ) b Tổng trở vào lớn, điện cực đại VGS cở vài chục volt c Thời gian đáp ứng dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) d Tất câu a, b, c 14 Phát biểu sau khác biệt mosfet so với BJT công suất (C) a Tần số làm việc thấp so với BJT công suất b Đáp ứng tần số nhỏ BJT cơng suất c Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, khơng có tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất d Thực mạch thúc khó BJT cơng suất 15 Cơng suất tổn hao mosfet công suất dẫn (B) a PON = I D2 RDSon t off b PON = I D2 RDSon T t on T c PON = VDS max I DR t on T t off d PON = VDS max I DR T 16 Công suất tổn hao mosfet công suất ngưng dẫn (D) a POFF = I D2 RDSon t off T c POFF = VDS max I DR t on T b POFF = I D2 RDSon t on T t off d POFF = V DS max I DR T 17 Năng lượng tổn hao mosfet công suất (B) a WSW = V DS max I D (t swon + t swoff ) = V DS max I D (t swon + t swoff ) b WSW = V DS max I D (t swon + t swoff c WSW d WSW = V DS max I D (t swon + t swoff ) ) 18 Công suất tổn hao mosfet công suất thời gian giao hoán (C) b PSW = (PON + POFF + WSW ) a PSW = PON + POFF + PSWON c PSW = (WSWon + WSWoff )f d PSW = (PON + POFF + WSW )f 19 Công suất tổn hao tổng cộng mosfet công suất (A) a PT = PON + POFF + PSW c PT = VCDID t off T b PT = VDSID t on T d PT = VDS max ID ( t swon + t swoff )f 20 Triac có cách kích dẫn (D) a cách b hai cách c ba cách d bốn cách 21 Phát biểu sau thuận lợi việc kích dẫn triac (A) a Dịng kích dương trường hợp dịng qua triac dương, dịng kích âm trường hợp dịng qua triac âm b Dịng kích dương trường hợp dịng qua triac dương, dịng kích dương trường hợp dịng qua triac âm c Dịng kích âm trường hợp dịng qua triac dương, dịng kích âm trường hợp dòng qua triac âm d Dòng kích âm trường hợp dịng qua triac dương, dịng kích dương trường hợp dịng qua triac âm 22 Phát biểu sau cho cách kích triac (B) a Vì triac dẫn hai chiều nên kích điện DC xung thơng dụng điện AC b Vì triac dẫn hai chiều nên kích điện AC xung thơng dụng điện DC c Vì triac dẫn chiều nên kích điện AC xung thơng dụng điện DC d Vì triac dẫn hai chiều nên kích điện AC DC thơng dụng xung 23 Phát biểu cho SCS (silicon controlled switch) (C) a Có cấu tạo giống SCR cực G kích xung âm để điều khiển đóng b Có cấu tạo giống GTO cực G kích xung dương để điều khiển đóng c Có cấu tạo giống SCR có hai cực G kích xung âm xung dương để điều khiển đóng ngắt d Các phát biểu 24 Phát biểu cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch) (C) a Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm cho xung kích vào cực GK, muốn SCS ngưng ta cho tiếp xung kích cực GA b Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương cho xung kích vào cực GA, muốn SCS ngưng ta cho tiếp xung kích cực GK c Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương cho xung kích vào cực GK, muốn SCS ngưng ta cho tiếp xung kích cực GA d Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm cho xung kích vào cực GA, muốn SCS ngưng ta cho tiếp xung kích cực GK 25 Phát biểu sau cho GTO (gate turn off SCR) (B) a GTO có cấu tạo giống SCS, khơng có cực GA b GTO có cấu tạo giống SCR có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng c GTO có cấu tạo giống SCR có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng d Các phát biểu sai 26 Mạch bảo vệ GTO hình vẽ có nhiệm vụ (B) a Hạn chế tốc độ tăng dv/dt đóng GTO b Hạn chế tốc độ tăng dv/dt ngắt GTO c Hạn chế tốc độ tăng dịng di/dt đóng GTO d Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt ngắt GTO 27 Phát biểu sau với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)(C) a IGBT linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh cơng suất lớn SCR điện điều khiển lớn cực cổng mosfet b IGBT linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh cơng suất lớn SCS điện điều khiển lớn cực cổng mosfet c IGBT linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh cơng suất lớn Transistor điện điều khiển lớn cực cổng mosfet d IGBT linh kiện kết hợp giửa đặc tính tác động nhanh cơng suất lớn Triac điện điều khiển lớn cực cổng mosfet 28 Phát biểu sau với đặc tính IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)(D) a Cơng suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW) b Tần số làm việc cao (vài kHz) c Thời gian giao hốn ngắt bé (khoảng 0,15 µs ) d Các phát biểu 29 Trong linh kiện sau loại linh kiện công suất (c) a BJT b TRIAC c UJT d JFET 30 Trong linh kiện sau loại khơng có khả điều khiển cơng suất.(d) a MOSFET b TRIAC c THYIRSTOR d DIAC 31 Linh kiện sau SCR (a) c b a d 32 Linh kiện sau TRIAC (d) a b c d 33 Linh kiện sau GTO (b) a b c d 34 Linh kiện công suất linh kiện có:(d) a Có hình dạng kích thước lớn b Dễ ghép với nhơm tản nhiệt c Làm việc với dòng lớn, áp lớn d Cả a, b, c 35 Mạch điều khiển công suất cần làm việc với điện áp lớn cần sử dụng.( a) a SCR b FET c Diode d Cả a, b, c 36 Cấu tạo TRIAC có số mối nối P-N :( c ) a b c d 37 Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là: ( b) a b c d 38 Diode công suất trạng thái dẫn có điện áp VAK là: (c) a 0,2 V b 0,3 V c 0,6 V d Lớn 0,8 V 39 SCR phân cực thuận kích xung có độ rộng µs thì: (c) a Chuyển sang trạng thái dẫn b Có thể dẫn xung có biên độ lớn c Khơng dẫn d Tất sai 40 Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau phân cực thuận kích dẫn cịn phải: (d) a Duy trì tín hiệu kích b Điện áp phân cực phải tăng d Không cần thêm điều kiện c Dòng IA đủ lớn 41 Trong loại linh kiện sau loại loại công suất (a) a UJT b JFET c BJT d MOSFET 42 Transistor công suất thường sử dụng mạch (a) a Như cơng tắc đóng ngắt mạch điện b Mạch công suất lớn c Mạch chịu nhiệt độ cao d Mạch cơng suất có tần số cao 43 SCR bị đánh thủng (d): a Dịng kích cực cổng cực đại b Điện áp đặt anode-cathode âm c Điện áp đặt anode-cathode dương d Điện áp đặt anode-cathode âm giá trị điện áp ngược cực đại 44 Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng mạch cơng suất có đặc tính chung (c): a Khi mở cho dịng chảy qua có điện trở tương đương lớn, khóa điện trở tương đương nhỏ b Khi mở cho dòng chảy qua hay khóa điện trở tương đương khơng thay đổi c Khi mở cho dịng chảy qua có điện trở tương đương nhỏ, khóa điện trở tương đương lớn d Tất sai 45 Dòng điện rò (d): a Có giá trị nhỏ, vài µA b c Có giá trị nhỏ, vài mA Là dịng điện chảy qua phần tử phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A d Là dịng điện chảy qua phần tử phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA 46 Diode phần tử bán dẫn công suất cấu tạo (a): a lớp tiếp giáp p-n b lớp tiếp giáp p-n c lớp tiếp giáp p-n d lớp tiếp giáp p-n 47 Điện trường nội Ei diode (b): a Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n b Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p c Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch d Tất sai 48 Diode dẫn dòng điện từ anode sang cathode (b): a Phân cực ngược b Phân cực thuận c Điện trở tương đương diode lớn d Cực dương nguồn nối với cathode, cực âm nguồn nối với anode 49 SCR cấu tạo từ (a): a lớp bán dẫn b lớp bán dẫn c lớp bán dẫn d lớp bán dẫn 50 Tín hiệu điều khiển SCR (a): a Là xung dương b Là xung âm c Là xung d Là xung dương có độ rộng định trước 51 Dòng điều khiển mở SCR (b): a Đi khỏi cực điều khiển b Đi vào cực điều khiển c Nhỏ giá trị dòng điện nhỏ d Lớn giá trị dòng điện chảy qua SCR 52 Để SCR dẫn ta: (c) a Chỉ cần điện áp phân cực thuận lớn volt b Kích vào cực G, điện áp phân cực không quan trọng c Phải đảm bảo có tín hiệu kích điện áp phân cực d Có tín hiệu kích âm điện áp phân cực dương 53 Khi dòng điều khiển IG = 0: (b) a SCR không dẫn b SCR dẫn cưỡng ép UAK > U thuận max c SCR bị đánh thủng UAK > U thuận max d Điện trở tương đương SCR nhỏ 54 Khi SCR kích mở dẫn dịng (c): a Dòng qua anode – cathode SCR nhỏ giá trị dịng điện trì SCR dẫn tiếp tục b Dòng qua anode – cathode SCR giá trị dịng điện trì SCR dẫn tiếp tục c Dòng qua anode – cathode SCR lớn giá trị dịng điện trì SCR dẫn tiếp tục d Tất sai 55 Khi SCR kích mở dẫn dịng (d): a Kích xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn b Kích xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn c Kích xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục d Xung kích tác dụng điều khiển 56 Khi SCR kích mở dẫn dịng, để SCR ngưng dẫn (c): a Giảm dòng anode – cathode mức dịng trì b Đảo chiều điện áp anode – cathode c Giảm dòng anode – cathode mức dịng trì đặt điện áp ngược lên SCR sau thời gian phục hồi d Tất sai 57 Đặc tính Volt – Ampe Triac bao gồm (d): a đoạn đặc tính góc phần tư thứ thứ b đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ c đoạn đặc tính góc phần tư thứ thứ d đoạn đặc tính góc phần tư thứ thứ đối xứng qua gốc tọa độ 58 Triac linh kiện bán dẫn có khả (a): a Dẫn dòng theo chiều b Ứng dụng mạch công suất điều chỉnh điện áp DC c Tương đương với SCR đấu song song d Tương đương với SCR đấu ngược chiều 59 Nguyên tắc hoạt động triac thì: (b) a Giống diode ghép song song b Giống SCR ghép song song ngược chiều c Giống SCR ghép song song d Giống SCR 60 Triac (c): a Điều khiển mở dẫn dòng xung dương b Điều khiển mở dẫn dòng xung âm c Điều khiển mở dẫn dòng xung dương xung âm d Điều khiển mở dẫn dòng xung dương xung âm liên tiếp 61 SCR phần tử (c): a Điều khiển hoàn toàn b Có thể điều khiển khóa cực điều khiển c Điều khiển khơng hồn tồn d Có thể điều khiển mở khóa cực điều khiển 62 Để có dịng điện chảy qua SCR (d): a Điện áp anode phải dương so với cathode b Điện áp anode phải âm so với cathode c Cần có tín hiệu kích cho cực cổng d Cả a c 63 Cực cổng SCR dùng để (a): a Làm cho SCR dẫn b Làm cho SCR tắt c Điều khiển dòng điện qua SCR d Điều khiển điện áp cathode 64 SCR dùng mạch điều khiển pha nhận nhiều xung chu kỳ Với xung mở SCR, xung thứ để (d): a Mở tải b Tắt SCR c Tăng dòng điện chảy qua SCR d Khơng có ảnh hưởng 65 Trong mạch SCR điều khiển pha tồn kỳ góc kích tăng từ lên 900 điện áp chỉnh lưu trung bình tải (d): a Khơng đổi b Tăng c Giảm d Giảm xuống zero 66 Khi kích, dịng điện qua triac (d): a Xuất điện áp anode âm so với anode b Xuất có tín hiệu cổng c Xuất điện áp anode dương so với anode d Cả a c 67 SCR bị đánh thủng (d): a Dịng kích cực cổng cực đại b Điện áp đặt anode-cathode âm c Điện áp đặt anode-cathode dương d Điện áp đặt anode-cathode âm giá trị điện áp ngược cực đại 68 Diac linh kiện tương đương (c): a Hai SCR mắc song song ngược chiều b Hai SCR mắc nối tiếp ngược chiều c Hai diode mắc song song ngược chiều d Hai diode mắc nối tiếp ngược chiều 69 Nguồn áp xoay chiều dạng sin v iac = 220 sin100πt [V] mắc nối tiếp với tải điện trở R = 2Ω diode lý tưởng hình vẽ Dịng trung bình qua diode lấy gần (B) T1 Vs D1 Viac TAI a 59 [A] b 49 [A] c 70 [A] d 99 [A] 70 Mạch chỉnh lưu bán kỳ diode hình vẽ, với v iac = 220 sin100πt [V] mạch có tần số xung ra: (a) D1 T1 Viac Vs TAI a Bằng tần số nguồn vào b Gấp lần tần số nguồn vào c Gấp lần tần số nguồn vào d Tất sai 71 Trong sơ đồ hình vẽ tải R, diode D1sẽ dẫn thời điểm (d) D1 T1 Viac Vs TAI b π đến π a đến π d (2k+1) π đến 2(k+1) π c 2k π đến (2k+1) π 72 Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1sẽ dẫn thời điểm (c) T1 Vs D1 Viac TAI b π đến π a đến π d (2k+1) π đến π (k+1) c 2k π đến (2k+1) π 73 Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 dẫn thời điểm (d) T1 Vs D1 Viac TAI b 2k π đến (2k+1) π a đến π d Phụ thuộc vào L c (2k+1) π đến π (k+1) 74 Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 dẫn thời điểm (b) T1 D1 Vs Viac TAI D b 2k π đến (2k+1) π a đến π c (2k+1) π đến π (k+1) d Các câu a, b, c sai 75 Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1sẽ dẫn thời điểm (d) T1 Vs D1 Viac TAI b 2k π đến (2k+1) π a đến π d Các câu a, b, c sai c (2k+1) π đến π (k+1) 76 Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình tải R là: (c) T2 Vs D1 Viac D1 TAI a VAV = c VAV = VM 2π VM b VAV = d VAV = VM π VM cos α 2π π 88 Trong sơ đồ hình sau, tần số xung tải là: (b) T2 Vs D1 Viac D1 TAI a Bằng tần số nguồn vào b Gấp lần tần số nguồn vào c Gấp lần tần số nguồn vào d Tất sai 89 Trong sơ đồ hình sau có điện áp vào U = 150 (V) , tải R = 10 Ω điện áp tải :(lấy gần ) (c) T2 Vs D1 Viac D1 TAI a 15 V b 100 V c 135V d 175 V 90 Trong sơ đồ hình sau có điện áp vào Um = 150 (V) , tải R = 10 Ω điện áp ngược cực đại diode là:(lấy gần ) (b) T2 Vs D1 Viac D1 TAI a 424 V b 300 V c 212 d 150 V 91 Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn thời điểm (d) T2 Vs D1 Viac D1 TAI b π đến π a đến π c 2k π đến (2k+1) π d (2k+1) π đến π (k+1) 92 Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1 dẫn thời điểm (c) T2 Vs D1 Viac D1 TAI b π đến π a đến π d (2k+1) π đến π (k+1) c 2k π đến (2k+1) π 93 Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn thời điểm (d) T2 D1 Viac Vs D1 TAI D b π đến π a đến π d.(2k+1) π đến π (k+1) c 2k π đến (2k+1) π 94 Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn thời điểm(b) T2 Vs D1 Viac D1 TAI a Phụ thuộc vào R b Phụ thuộc vào E d (2k+1) π đến π (k+1) c 2k π đến (2k+1) π 95 Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn thời điểm (a) T2 Vs D1 Viac D1 TAI a Phụ thuộc vào L b Phụ thuộc vào R d (2k+1) π đến π (k+1) c 2k π đến (2k+1) π 96 Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1 D2:(a) 10 ... cơng suất 15 Công suất tổn hao mosfet công suất dẫn (B) a PON = I D2 RDSon t off b PON = I D2 RDSon T t on T c PON = VDS max I DR t on T t off d PON = VDS max I DR T 16 Công suất tổn hao mosfet công. .. với BJT công suất (C) a Tần số làm việc thấp so với BJT công suất b Đáp ứng tần số nhỏ BJT cơng suất c Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, khơng có tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất d... anode-cathode dương d Điện áp đặt anode-cathode âm giá trị điện áp ngược cực đại 44 Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng mạch cơng suất có đặc tính chung (c): a Khi mở cho dịng chảy qua có điện trở tương