Câu hỏi trắc nghiệm điện tử công suất doc

1 CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW Chương 1: Mở đầu 1. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là a. swoffSWON tIVW 6 1 = b. swonSWON tIVW 6 1 = c. swonSWON tIVW 3 1 = d. swoffSWON tIVW 3 1 = 2. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là a. swoffSWOFF tIVW 6 1 = b. swonSWOFF tIVW 6 1 = c. swonSWOFF tIVW 3 1 = d. swoffSWOFF tIVW 3 1 = 3. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là a. ( ) swoffswonSW ttIVW += . 3 1 b. ( ) swoffswonSW ttIVW += . 6 1 c. ( ) swoffswonSW ttIVW += . 2 1 d. ( ) swoffswonSW ttIVW += . 4. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là a. ( ) fttVIP swoffswonSW += 3 1 b. ( ) fttVIP swoffswonSW += 2 1 c. ( ) fttVIP swoffswonSW += 6 1 d. ( ) fttVIP swoffswonSW += 5. Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính a. SWOFFONT PPPP ++= b. T t IVP on FFT = c. T t IVP off RRT = d. fttIVP swoffswonFFT )( 6 1 maxmax += 6. Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn nên a. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh b. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát c. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ d. Cả ba câu trên đều đúng 7. Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất a. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng nhỏ độ lợi càng nhỏ b. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn c. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn d. Cả ba câu trên đều đúng 8. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) khi dẫn bảo hoà sẽ là a. ( ) T t IVIVP on BBEbhCMCEbhON += b. T t IVP off rCCON = c. ( ) T t IVIVP on BCEbhCMCEbhON += d. T t IVP on CMCCON = 9. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất a. ( ) T t IVIVP off BBEbhCMCEbhOFF += b. T t IVP off rCCOFF = 2 c. ( ) T t IVIVP off BCEbhCMCEbhOFF += d. T t IVP on CMCCOFF = 10. Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là a. ( ) swoffswonCMCEMSW ttIVW += . 3 1 b. ( ) swoffswonCMCEMSW ttIVW += . 6 1 c. ( ) swoffswonCMCEMSW ttIVW += . 2 1 d. ( ) swoffswonCMCEMSW ttIVW += . 11. Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là a. SWONOFFONT PPPP ++= b. ( ) SWOFFONT WPPP ++= c. fWPPP SWOFFONT ++= d. ( ) fWPPP SWOFFONT ++= 12. Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất a. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp n-p để cấp dòng lớn b. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là vmosfet để cấp dòng lớn c. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn d. Cả ba câu trên đều đúng 13. Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất a. Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục Ωm ) b. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại V GS cở vài chục volt c. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) d. Cả ba câu trên đều đúng 14. Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất a. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất b. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất c. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất d. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất 15. Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là a. T t RIP off DSonDON 2 = b. T t RIP on DSonDON 2 = c. T t IVP on DRDSON max = d. T t IVP off DRDSON max = 16. Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là a. T t RIP off DSonDOFF 2 = b. T t RIP on DSonDOFF 2 = c. T t IVP on DRDSOFF max = d. T t IVP off DRDSOFF max = 17. Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là a. ( ) swoffswonDDSSW ttIVW += . 3 1 max b. ( ) swoffswonDDSSW ttIVW += . 6 1 max c. ( ) swoffswonDDSSW ttIVW += . 2 1 max d. ( ) swoffswonDDSSW ttIVW += . max 18. Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là a. SWONOFFONSW PPPP ++= b. ( ) SWOFFONSW WPPP ++= c. ( ) fWWP SWoffSWonSW += d. ( ) fWPPP SWOFFONSW ++= 19. Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là a. SWOFFONT PPPP ++= b. T t IVP on DDST = c. T t IVP off DCDT = d. fttIVP swoffswonDDST )( 6 1 max += 20. Triac có bao nhiêu cách kích dẫn 3 a. Một cách b. Hai cách c. Ba cách d. Bốn cách 21. Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac a. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm b. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm c. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm d. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm 22. Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac a. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC b. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC c. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC d. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung 23. Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch) a. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng b. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng c. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt d. Các phát biểu trên đều đúng 24. Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch) a. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V AK âm và cho xung kích đi vào cực G K , nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G A b. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V AK dương và cho xung kích đi vào cực G A , nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G K c. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V AK dương và cho xung kích đi vào cực G K , nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G A d. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V AK âm và cho xung kích đi vào cực G A , nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G K 25. Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR) a. GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực G A b. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng c. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng d. Các phát biểu trên đều sai 26. Mạch bảo vệ GTO hình vẽ có nhiệm vụ a. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi đóng GTO b. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi ngắt GTO c. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi đóng GTO d. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi ngắt GTO 27. Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 4 a. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet b. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet c. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet d. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet 28. Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) a. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW) b. Tần số làm việc cao (vài kHz) c. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 s 󽝮 ) d. Các phát biểu trên đều đúng 29. Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất. a. BJT b. TRIAC c. UJT d. MOSFET 30. Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất. a. MOSFET b. TRIAC c. SCR d. DIAC 31. Linh kiện nào sau đây là SCR. c dba 32. Linh kiện nào sau đây là TRIAC c dba 33. Linh kiện nào sau đây là GTO ba c d 34. Linh kiện công suất là linh kiện có: a. Có hình dạng và kích thước lớn b. Dễ ghép với nhôm tản nhiệt. c. Làm việc với dòng lớn, áp lớn d. Cả ba câu trên đều đúng 35. Mạch điều khiển công suất làm việc với điện áp lớn cần sử dụng linh kiện nào sau: 5 a. SCR b. MOSFET c. Diode d. IGBT 36. Cấu tạo TRIAC có số tiếp giáp P-N : a. 3 b. 4 c. 5 d. 6 37. Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là: a. 3 b. 4 c. 5 d. 6 38. Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp V AK là: a. 0,2 V b. 0,3 V c. 0,7 V d. Lớn hơn bằng 1V 39. SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1µs thì: a. Chuyển sang trạng thái dẫnb. Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn c. Không dẫn. d. Tất cả đều sai 40. Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau khi được phân cực thuận và được kích dẫn còn phải: a. Duy trì tín hiệu kích b. Điện áp phân cực phải được tăng c. Dòng I A đủ lớn d. Không cần thêm điều kiện nào. 41. Trong các loại linh kiện sau đây loại nào không phải là loại công suất a. UJT b. MCT c. BJT d. MOSFET 42. Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch a. Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện b. Mạch công suất lớn c. Mạch chịu nhiệt độ cao d. Mạch công suất có tần số cao 43. SCR sẽ bị đánh thủng khi : a. Dòng kích cực cổng cực đại. b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm. c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương. d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại. 44. Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng trong các mạch công suất có đặc tính chung là : a. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương lớn, khi khóa thì điện trở tương đương nhỏ. b. Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay đổi. c. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện trở tương đương lớn. d. Cả ba câu kia đều sai. 45. Dòng điện rò : a. Có giá trị rất nhỏ, vài µA. b. Có giá trị nhỏ, vài mA. c. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A. d. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA. 46. Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi : a. 1 lớp tiếp giáp p-n b. 3 lớp tiếp giáp p-n c. 2 lớp tiếp giáp p-n d. 5 lớp tiếp giáp p-n 47. Điện trường nội E i trong diode : a. Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n. b. Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p. c. Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch. d. Tất cả đều sai. 48. Diode dẫn dòng điện từ anode sang catot khi : a. Phân cực ngược. b. Phân cực thuận. 6 c. Điện trở tương đương của diode lớn. d. Cực dương của nguồn nối với catot, cực âm của nguồn nối với anode. 49. SCR cấu tạo từ : a. 4 lớp bán dẫn. b. 5 lớp bán dẫn. c. 2 lớp bán dẫn. d. 3 lớp bán dẫn. 50. Tín hiệu điều khiển SCR : a. Là 1 xung dương. b. Là 1 xung âm. c. Là 1 xung bất kỳ. d. Là 1 xung dương có độ rộng định trước. 51. Dòng điều khiển mở SCR : a. Đi ra khỏi cực điều khiển. b. Đi vào cực điều khiển. c. Nhỏ hơn giá trị dòng điện nhỏ nhất. d. Lớn hơn giá trị dòng điện chảy qua SCR. 52. Để SCR dẫn ta: a. Chỉ cần điện áp phân cực thuận lớn hơn 0 volt. b. Kích vào cực G, điện áp phân cực không quan trọng. c. Phải đảm bảo có tín hiệu kích và điện áp phân cực. d. Có tín hiệu kích âm và điện áp phân cực dương. 53. Khi dòng điều khiển I G = 0: a. SCR không dẫn. b. SCR sẽ dẫn cưỡng ép khi U AK > U thuận max c. SCR sẽ bị đánh thủng khi U AK > U thuận max d. Điện trở tương đương của SCR rất nhỏ. 54. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng : a. Dòng qua anode – catot SCR nhỏ hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục. b. Dòng qua anode – catot SCR bằng giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục. c. Dòng qua anode – catot SCR lớn hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục. d. Tất cả đều sai. 55. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng : a. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn. b. Kích 1 xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn. c. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục. d. Xung kích mất tác dụng điều khiển. 56. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng, để SCR ngưng dẫn : a. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì. b. Đảo chiều điện áp trên anode – catot ngay lập tức. c. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì hoặc đặt điện áp ngược lên SCR sau 1 thời gian phục hồi. d. Tất cả đều sai. 57. Đặc tính Volt – Ampe của Triac bao gồm : a. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3. b. 2 đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ. c. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 2 và thứ 4. d. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ. 58. Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng : a. Dẫn dòng theo cả 2 chiều. b. Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC. c. Tương đương với 2 SCR đấu song song. d. Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau. 59. Triac thì: a. Giống như 2 diode ghép song song. 7 b. Giống như 2 SCR ghép song song nhưng ngược chiều nhau. c. Giống như 2 SCR ghép song song. d. Giống như 1 SCR. 60. Triac : a. Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung dương. b. Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung âm. c. Điều khiển mở dẫn dòng bằng cả xung dương và xung âm. d. Điều khiển mở dẫn dòng bằng 1 xung dương và 1 xung âm liên tiếp. 61. SCR là phần tử : a. Điều khiển hoàn toàn. b. Có thể điều khiển khóa bằng cực điều khiển. c. Điều khiển không hoàn toàn. d. Có thể điều khiển mở và khóa bằng cực điều khiển 62. Để có dòng điện chảy qua SCR thì : a. Điện áp anode phải dương so với catot. b. Điện áp anode phải âm so với catot. c. Cần có tín hiệu kích cho cực cổng. d. Cả a và c 63. Cực cổng của SCR dùng để : a. Làm cho SCR dẫn. b. Làm cho SCR tắt. c. Điều khiển dòng điện qua SCR. d. Điều khiển điện áp trên catot. 64. SCR dùng trong mạch điều khiển pha có thể nhận nhiều xung trong một chu kỳ. Với xung đầu tiên mở SCR, và xung thứ 2 để : a. Mở tải. b. Tắt SCR. c. Tăng dòng điện chảy qua SCR. d. Không có ảnh hưởng gì. 65. Trong mạch SCR điều khiển pha toàn kỳ khi góc kích tăng từ 0 lên 90 0 thì điện áp chỉnh lưu trung bình trên tải sẽ : a. Không đổi. b. Tăng rất ít. c. Giảm rất ít. d. Giảm xuống zero. 66. Khi đã được kích, dòng điện qua triac sẽ : a. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là âm so với anode 1. b. Xuất hiện khi có tín hiệu cổng. c. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là dương so với anode 1. d. Câu b thì đúng. 67. SCR sẽ bị đánh thủng khi : a. Dòng kích cực cổng cực đại. b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm. c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương. d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại. 68. Diac là linh kiện đóng ngắt bằng : a. Dòng điện thường trực. b. Hiệu ứng trường. c. Điện áp ngược đặt lên các tiếp giáp P-N. d. Xung điện có độ rộng bé. 69. Thời gian phục hồi của diode công suất khi diode đang dẫn đột ngột chuyển sang trạng thái ngưng là do a. Diode có công suất lớn, thời gian này bằng không b. Diode có thời gian chuyển tiếp do sự phục hồi của các hạt tải trong nối pn c. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch d. Diode có dòng giảm từ I F đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode 70. Thời gian chuyển tiếp của diode là thời gian a. Diode có dòng giảm từ I F đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode 8 b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I RM c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I RM rồi lại trở về 0 d. Diode dòng I F = 0 71. Thời gian tích trử của diode là thời gian a. Diode có dòng giảm từ I F đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I RM c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I RM rồi lại trở về 0 d. Diode dòng I F = 0 72. Thời gian phụ hồi nghịch của diode là thời gian a. Diode có dòng giảm từ I F đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến I RM c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số I RM rồi lại trở về 0 d. Diode dòng I F = 0 73. Dòng I A của SCR được tính theo công thức nào sau đây a. ( ) ( ) 21 211 1 󽝢󽝢 󽝢 +− ++ = CBOCBOG A III I b. ( ) ( ) 21 212 1 󽝢󽝢 󽝢 −+ ++ = CBOCBOG A III I c. ( ) ( ) 21 212 1 󽝢󽝢 󽝢 +− ++ = CBOCBOG A III I d. ( ) ( ) 21 212 1 󽝢󽝢 󽝢 −− ++ = CBOCBOG A III I 74. Cách làm tăng dòng I A để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau đây là đúng a. Tăng điện thế Anot → làm tăng dòng rỉ I CBO → làm xảy ra hiện tượng huỷ thác ( ) 1 21 →+ 󽝢󽝢 b. Tăng dòng I G để các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫn bảo hoà c. Tăng nhiệt độ các mối nối bên trong SCR, hay tăng tốc độ tăng thế dv/dt tạo dòng nạp cho điện dung mối nối pn. d. Các phát biểu a, b, c đều đúng 75. Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng a. Cắt bỏ nguồn cung cấp b. Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng I A <I R (gọi là thắng động lực) c. Tạo V AK <0 (dòng xoay chiều hay xung giao hoán) d. Các phát biểu a, b, c đều đúng 76. Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thế thuận dv/dt a. Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dẫn, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn b. Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot làm cho SCR dẫn điện c. Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR chưa dẫn điện, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn d. Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR dẫn điện 77. Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng dòng thuận di/dt a. Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ hỏng b. Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng không cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn c. Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ hỏng d. Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn 9 78. Cho mosfet công suất như hình vẽ, cho các thông số sau: I DR = 2mA, Ω= 3,0 DSon R , D= 50%, I D =6A, V DS =100V, t swno =100ns, t swoff = 200ns, tần số giao hoán 4kHz. Công suất thất thoát tổng cộng của mosfet là f =4kHz in + - Vcc R Q1 a. 3,3[W] b. 6,7[W] c. 0,8[W] d. 5,4[W] 79. Cho mạch điện như hình vẽ. Diode dẫn với dòng AI D 30= , VV F 1.1= , mAI R 3,0= , stt fswon 󽝮 1,1== , stt rswoff 󽝮 1,0== , tính hiệu có chu trình định dạng %50=D , công suất thất thoát tổng cộng trong Diode (lấy gần đúng)là D R=10 Ohm + - Vs 400V/10kHz a. 40,4[W] b. 44[W] c. 60,4[W] d. 70,4[W] 80. Linh kiện nào sau đây là IGBT a. b. c. d. 81. Linh kiện nào sau đây là MCT a. b. c. d. 82. IGBT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet 83. MCT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet 84. MCT là linh kiện công suất được chế tạo nhằm khắc phục nhược điểm của a. Mosfet và GTO b. BJT và Mosfet c. Mosfet và IGBT d. SCR và Mosfet 85. Công suất trung bình khi sử dụng linh kiện IGBT cung cấp cho tải R trong thời gian dẫn là a. T t R V P ON L s L         = 10 b. T t R V P ON L s L         = 2 2 c. T t R V P ON L s L         = 2 d. T t R V P ON L s L         = 2 2 86. Công suất tổn hao trong thời gian giao hoán của IGBT là a. P sw = 1/3( V CEmax .I cmax )( t swon + t swoff )T sw b. P sw = 1/6( V CEmax .I cmax )( t swon + t swoff )f sw c. P sw = 1/6( V CEmax .I cmax )( t swon + t swoff )T sw d. P sw = 1/3( V CEmax .I cmax )( t swon + t swoff )f sw 87. Triac được xem như 2 SCR mắc đối song nhưng chỉ khác là a. Triac còn có thể kích được dòng đi ra cực G nhưng mạch 2 SCR thì không b. Triac còn có thể kích được dòng đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không c. Triac còn có thể kích được áp đi ra cực G nhưng mạch mạch 2 SCR thì không d. Triac có thể kích được áp đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không 88. Mạch 2 SCR mắc đối song thường được sử dụng hơn mạch sử dụng Triac vì a. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển dễ b. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển khó c. Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển dễ d. Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển khó 89. Để điều khiển MCT ta cho a. Điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng, điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt b. Điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng c. Điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng, điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt d. Điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng 90. Phát biểu nào sau đây đúng về bộ chỉnh lưu dùng SCR a. Có thể điều khiển đóng và ngắt linh kiện nhanh, do đó đạt đáp ứng điện áp ngõ ra tốt. b. Hiện tượng chuyển mạch xảy ra do tác dụng của cuộn kháng tải c. Để nâng cao chất lượng dòng tải, có thể tăng tần số sóng đồng bộ d. Có khả năng thực hiện chế độ trả năng lượng về nguồn xoay chiều 91. Mạch bảo vệ IGBT thường được chọn các mạch a. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET b. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR c. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR d. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là BJT 92. Mạch bảo vệ MCT thường được chọn các mạch a. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET b. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR c. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR d. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là BJT 93. Để điều khiển đóng ngắt IGBT ta điều khiển bằng cách a. Cấp dòng cho cực khiển b. Cấp áp cho cực khiển c. Cấp xung đi vào cực khiển d. Cấp xung đi ra cực khiển 94. Để điều khiển đóng MCT ta điều khiển bằng cách a. Cấp dòng cho cực khiển b. Cấp áp cho cực khiển c. Cấp xung dương vào cực khiển d. Cấp xung âm vào cực khiển 95. Để điều khiển ngắt MCT ta điều khiển bằng cách [...]... a Biến đổi dòng điện DC thành dòng điện AC b Làm thay đổi biên độ của điện áp AC c Làm thay đổi tần số của điện áp vào d Biến đổi dòng điện AC thành dòng điện DC 69 Chọn phát biểu đúng nhất : 69.a.1 Điện áp sau mạch chỉnh lưu có dạng phẳng hoàn toàn 69.a.2 Số lần đập mạch của điện áp sau chỉnh lưu càng lớn càng tốt 69.a.3 Dạng điện áp sau chỉnh lưu không phụ thuộc vào tải 69.a.4 Dạng điện áp sau chỉnh... như dạng điện áp 70.a.2 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp với tải thuần trở 70.a.3 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp với tải thuần cảm 70.a.4 Dạng dòng tải sẽ lặp lại như dạng điện áp với tải trở cảm 71 Tần số của điện áp ra trong mạch chỉnh lưu cầu 1 pha bằng : a Tần số điện áp vào b 2 lần tần số điện áp vào c 3 lần tần số điện áp vào d 4 lần tần số điện áp vào 72 Tần số của điện áp... Làm giảm trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất Làm giảm trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất Làm tăng trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất Làm tăng trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất IGCT là linh kiện công suất có tính năng vượt trội so với các linh kiện công suất khác đó Làm giảm nhanh trị số dòng điện qua cực cổng Làm giảm nhanh trị số hiệu điện thế qua cực... mạch công suất để dễ điều khiển đóng ngắt thường chọn a Linh kiện điều khiển bằng xung âm b Linh kiện điều khiển bằng xung dương c Linh kiện điều khiển bằng áp d Linh kiện điều khiển bằng dòng 97 Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất a BJT b GTO c MOSFET d IGBT 98 Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất a BJT b GTO c SCR d IGBT 99 Linh kiện công suất. .. GTO c MCT d IGBT 100 Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất a BJT b MCT c MOSFET d IGBT 101 Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có tần số làm việc cao nhất a BJT b GTO c IGBT d SCR 102 Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có tần số làm việc cao nhất a BJT b MCT c MOSFET d IGBT 103 IGCT là linh kiện công suất được chế tạo nhờ sự cải tiến... hình vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp MBA là v iac = 220 2 sin100 t (V) Dòng điện chỉnh lưu trung bình qua tải thuần trở là 2,41A Giá trị điện trở tải là : D1 D3 V iac TAI D2 D4 100 Ω b 56 Ω c 82 Ω d 23 Ω 67 Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu 1 pha dùng diode như hình vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp MBA là v iac = 220 2 sin100 t (V) Dòng điện chỉnh lưu trung bình qua tải thuần trở là 2,41A Công suất chỉnh... IGCT là linh kiện công suất được chế tạo nhờ sự cải tiến của linh kiện nào sau đây a MCT b IGBT c GTO d GCT 104 IGCT là linh kiện công suất có cấu tạo gồm a MCT và một số phần tử hỗ trợ b IGBT và một số phần tử hỗ trợ c GTO và một số phần tử hỗ trợ d GCT và một số phần tử hỗ trợ 105 Điều khiển đóng IGCT ta dùng a Xung đưa vào cực khiển để đóng GCT b Xung đưa vào cực khiển để ngắt GCT c Áp đưa vào cực... kỳ có 1 tụ lọc bằng : a tần số điện áp vào b 2 lần tần số điện áp vào c 3 lần tần số điện áp vào d 4 lần tần số điện áp vào 73 Mạch chỉnh lưu 1 pha có giá trị điện áp ngược đặt trên mỗi diode lớn nhất là: a Chỉnh lưu toàn kỳ b Chỉnh lưu bán kỳ c Mạch chỉnh lưu cầu d Tất cả đều đúng 74 Trong mạch chỉnh lưu một bán kỳ có điều khiển tải R như hình vẽ với góc kích bình của điện thế ra trên tải là: , trị... 1 pha không điều khiển như hình sau, điện áp thứ cấp máy biến áp có giá trị đỉnh đỉnh là Vpp = 25V, tải thuần trở R = 10 Ohm thì công suất chỉnh lưu trung bình của mạch là : D1 D3 V iac TAI D2 a 27,93W b.55,87W D4 c.6,28 W d.13,2W 23 53 Cho sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa chu kỳ dùng diode như vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp MBA là v iac = 220 2 sin100 t (V) Giá trị điện áp chỉnh lưu trung bình là : T1... kỳ hình tia dùng diode như hình vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp MBA là v iac = 220 2 sin100 t (V) Điện áp ngược lớn nhất mà diode phải chịu là : T2 Vac D1 Viac D2 TAI a 311 V b.622,25 V c.155,56 V d.440 V 65 Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu 1 pha dùng diode như hình vẽ Điện áp xoay chiều phía thứ cấp MBA là v iac = 220 2 sin100 t (V) Dòng điện qua tải thuần trở là 2,41A Điện áp chỉnh lưu trung bình trên . 1 CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW Chương 1: Mở đầu 1. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng. tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất d. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất 15. Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là a. T t RIP off DSonDON 2 = b. T t RIP on DSonDON 2 = c. T t IVP on DRDSON